形成图案的方法

专利名称：形成图案的方法
技术领域：
本发明技术领域是形成图案的方法，例如，在半导体衬底上形成遮掩图案的方法。
背景技术：
已存在许多期望形成具有极短间距的重复图案的应用。例如，集成电路制作可能会涉及形成存储器存储单位重复图案(即NAND单位单元、动态随机存取Q)RAM]单位单元、 交叉点存储器单位单元等)。集成电路制作可涉及在半导体衬底上形成图案化掩模，接着通过一次或一次以上蚀刻将图案从掩模转移到衬底中。赋予衬底的图案可用来形成集成电路的个别组件。图案化掩模可包括光刻图案化光致抗蚀剂。许多单独光掩模(或光罩)可用于在光致抗蚀剂中以光刻方式产生所需遮掩图案。可能出现的一个问题是每个光掩蔽步骤会引入掩模未对准的风险。另一个问题是，每个光掩蔽步骤都是制作过程中的另一步骤，相对于具有较少步骤的制作过程来说，此会增加成本并降低产量。集成电路制作不断追求的目标是增大集成电路的密度，且因此可减小个别集成电路组件的尺寸。因此，形成具有越来越大密度的个别特征的图案化掩模就成为人们不断追求的目标。当图案化掩模包括特征的重复图案时，形成较高密度或换句话说越来越小间距的重复图案就成为人们不断追求的目标。期望研发形成图案的新方法，从而能以高密度形成重复图案。人们不断追求的另外一个目标是降低成本和提高产量。因此，期望研发形成图案的方法，从而能以相对较少的光掩蔽步骤形成重复图案。


图1-9显示了半导体晶片的一部分在一个实施例的不同处理阶段的截面视图。图10-12显示了半导体晶片的一部分在一个实施例的不同处理阶段的截面视图。 图10的处理阶段处于图2的处理阶段之后，且另一选择为处于图3的处理阶段之后。图13-18显示了半导体晶片的一部分在一个实施例的不同处理阶段的截面视图。 图13的处理阶段处于图2的处理阶段之后。
具体实施例方式一些实施例包含在半导体衬底上形成开口图案的方法。所述开口随后可用于图案化半导体衬底的一种或一种以上材料。例如，所述开口可用于图案化DRAN组件、NAND组件、 SARM组件等等。其实施例可包含在衬底上形成光刻图案化特征，且随后使用所述特征对准牺牲间隔材料。随后，可移除一些牺牲间隔材料以在衬底上留下开口图案。在一些实施例中，牺牲间隔材料可包括金属。例如，牺牲间隔材料可包括金属有机组合物。在一些实施例中，间隔材料可跨越特征进行旋转浇铸。在此类实施例中，间隔材料可分散于具有适当粘度的溶液
5中，以便可跨越特征均勻地且保形地(conformally)提供间隔材料。例如，金属有机组合物可分散于含有丙二醇及/或一种或一种以上丙二醇衍生物的流体中的量应足以产生适合粘度以供保形(conformal)沉积金属有机组合物。参照图1-18来阐述实例性实施例。图1展示半导体构造10的一部分。所述半导体构造包含上面具有多个间隔特征 14、16和18的半导体衬底12。半导体衬底12可包括例如掺有少量背景P-型掺杂物的单晶硅、或基本上由其组成或由其组成。术语“半导体构造”、“半导电衬底”和“半导体衬底"意指任何包括半导电材料的构造，包含但不限于块状半导电材料，例如，半导电晶片(单独存在或存在于包括其它材料的组合件中)；和半导电材料层(单独存在或存在于包括其它材料的组合件中)。术语“衬底”涉及任何支撑结构，其包含但不限于上文所述的半导电衬底。在一些实施例中， 衬底可为光罩衬底，且尤其可为待并入光罩或光掩模中的衬底。半导体衬底可以是均一性的，或者可包括与集成电路(IC)及/或微电子机械系统 (MEMS)制作相关联的多个层和多种材料中的任一者。例如，半导体衬底可包括多个与DRAM 制作、NAND制作及/或SRAM制作相关联的层和多种材料。特征14、16和18包括材料20。材料20可以是任一适合的组合物或组合物的组合，且在一些实施例中可包括有机聚合物、或基本上由其组成或由其组成(例如，材料20可以包括一种或一种以上光致抗蚀剂、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯、或基本上由其组成或由其组成)。如果材料20由光致抗蚀剂组成，则可通过先在衬底12的表面上形成光致抗蚀剂层、且然后使用光掩模来光刻图案化光致抗蚀剂而由此产生特征来形成特征14、16和 18。如果材料20包括光致抗蚀剂以外的组合物，则可通过先在衬底12的表面上形成材料 20、再于所述层上形成光刻图案化的光致抗蚀剂掩模、且然后将图案从掩模转移到所述层中以产生特征来形成特征14、16和18。尽管所显示的特征14、16和20是均一的，但在其它实施例中，所述特征可包括两种或两种以上不同的材料。特征14、16和18通过间隙22,24,26和28彼此隔开。所述间隙延伸到衬底12的
上表面。个别特征具有顶部表面15和从所述顶部表面延伸到衬底12上表面的侧壁表面 17。接下来参见图2，沿横向修整特征14、16和18以沿所示截面减小所述特征的横向尺寸。换句话说，特征14、16和18在图1处理阶段具有第一横向宽度，且然后经受处理使所述横向宽度减少到图2中所示的第二横向宽度。所述横向修整沿着所示截面使间隙22、 24、26和28的宽度扩大。特征14、16和18的横向修整可以采用任何适合的处理来完成。例如，如果特征 14、16和18由光致抗蚀剂(或其它有机聚合物)组成，则横向修整可采用基于A的等离子体来完成。在一些实施例中，横向修整可以采用基于A的等离子体与一种或一种以上钝化添加剂(例如CH2F2)的组合。在其它实施例中，横向修整可采用湿式化学处理技术来移除材料20的最外面部分。可用于横向修整的实例性湿式化学法可包括首先对材料20的最外面部分实施酸处理、随后在碱(例如，四甲基氢氧化铵)水溶液中溶解经酸处理的区域。尽管图2显示的横向修整特征是矩形块，但在一些实施例中横向修整可产生其它几何形状。例如，横向修整可将图1的特征14、16和18转换为圆顶形特征。图2的经横向修整特征14、16和18保留顶部表面15和侧壁表面17，但是，经横向修整特征的所述表面中至少有一些表面的位置与横向修整前所述表面的位置相比会发生移动。在一些实施例中，可省略特征14、16和18的横向修整，且因此在一些实施例中可省略图2的处理阶段。如果特征14、16和18为有机聚合物(其可以是或者可以不是光致抗蚀剂，且在一些实施例中可包括聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或两种、或基本上由其组成或由其组成)，如果所述特征会溶于浇铸溶液的溶剂中，则可对所述特征进行处理以使其在材料 30的随后旋转浇铸中不溶(下文参照图3进行论述)。如果特征14、16和18为有机聚合物(其可以是或者可以不是光致抗蚀剂，且在一些实施例中可以包括光致抗蚀剂、或基本上由其组成或由其组成)，则可对所述特征进行处理以使其对随后额外有机聚合物的横向修整期间所采用的化学试剂表现惰性(例如，所述随后的横向修整可发生在下文参照图7所述的处理阶段)。所述处理可以包括(例如)沿特征14、16和18的暴露表面形成保护性材料薄层(未显示)；沿特征14、16和18引发化学变化(例如化学交联)；及/或沿所述特征的暴露外表面引发化学变化(例如通过暴露于等离子体中的卤素)。在一些实施例中，至少一些特征的处理可在材料30的形成及/或处理期间发生(下文参照图3进行论述)。例如，如果特征的处理包括交联，则至少有一部分此类交联可于所用材料30的热处理(例如，烘焙)期间引发以将材料30转化为金属氧化物(如下所述)。参照图3，于特征14,16和18上和特征间的间隙22、24、26和28内形成材料30。 材料30相对于特征来说是保形的，且因此具有波状形貌，所述波形形貌包括特征上的波峰 32,且包括特征间的间隙内的波谷34。在一些实施例中，材料30可对应于旋转浇铸层。所述层是通过旋转浇铸具有适合粘度的混合物以形成所示保形层而形成。粘度可通过在旋转浇铸所使用的混合物中并入丙二醇及/或一种或一种以上丙二醇衍生物进行调节。示例性丙二醇衍生物为丙二醇单甲基醚乙酸酯。在一些实施例中，用于旋转浇铸的混合物可包括分散于含有丙二醇及/或一种或一种以上丙二醇衍生物的溶液中的金属有机物。例如，所述溶液可包括分散于含有丙二醇单甲基醚乙酸酯的溶液中的含钛金属有机物，其浓度为约1重量％到约5重量％。如果旋转浇铸材料包含含钛金属有机物，则所述金属有机物随后可在能将至少一些钛转化成氧化钛的条件下进行处理；且在一些实施例中，其可在将材料30全部转化为氧化钛的条件下进行处理。此类条件可包含热处理，例如，在约80°C到约140°C的温度下进行处理。此加热可通过溶胶-凝胶反应形成氧化钛。材料30可形成为具有任一适当的厚度，且在一些实施例中可形成小于或等于约 50纳米、小于或等于约40纳米、小于或等于约30纳米或者甚至小于或等于约20纳米的厚度。材料30可称作牺牲材料，这是因为所述材料中有一些随后将被移除以形成延伸到衬底12的开口(此移除将在下文中参照图6进行阐述)。参照图4，于材料30上形成填充材料36。所述填充材料填充了材料30的波状形貌的波谷34，且在所示实施例中还覆盖所述波状形貌的波峰32。材料36可包括任何适合材料，且在一些实施例中，可包括有机聚合物、或基本上由有机聚合物组成、或由有机聚合物组成。在一些实施例中，材料36可包括光致抗蚀剂、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或一种以上、或基本上由光致抗蚀剂、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或一种以上组成、或由光致抗蚀剂、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或一种以上组成。参照图5，对构造10实施处理以从材料30的波状形貌的波峰32上移除材料36， 但保留此波状形貌的波谷34中的材料36。所述处理可包括蚀刻及/或可包括平面化。在所示实施例中，材料36的移除使得材料36的上表面相对于材料30的上表面凹陷。在其它实施例(未图示)中，材料36经部分移除后，材料36的上表面相对于材料30的上表面可不发生凹陷，但可与材料30的上表面平齐或高于材料30的上表面。图5的处理阶段所保留的填充材料36可填充材料30的波状形貌的波谷34，同时使所述波状形貌的波峰32保持暴露。参照图6，相对于衬底12的表面、且相对于材料20和36选择性移除材料30的暴露部分以产生延伸到衬底12的上表面的开口 40、42、44、46、48和50。材料30的移除可包括各向异性蚀刻。在一些实施例中，材料30为氧化物，衬底12的表面由硅组成，且材料20 和36为光致抗蚀剂，此时材料30的选择性移除可使用氟基化学试剂。开口 40、42、44、46、48和50的形成会导致产生与初始特征14、16和18交替布置的多个额外特征52、54、56和58。开口 40、42、44、46、48和50与跨越衬底12形成的开口图案相对应。在接下来的处理中，在衬底12内的一种或一种以上IC组件的制作期间，可使用所述开口的图案。例如， 可通过开口置入掺杂物以在衬底12中形成所需掺杂物图案，及/或可通过所述开口实施蚀刻以将所需图案转移到衬底12中。或者，可相对于材料36和30实施额外处理以改变开口图案。例如，图7展示在填充材料36已经受可沿所示截面减小填充材料横向宽度的条件后的构造10。如果填充材料36为光致抗蚀剂，则用于减小填充材料横向宽度的条件可对应于填充材料的光刻图案化及/或以基于O2的等离子体或湿式化学法所进行的填充材料的横向修整。在材料20为光致抗蚀剂的实施例中，上文参照图2所述的为使材料20在横向修整中表现惰性而对材料20实施的处理可使特征14、16和18能够于填充材料36的横向修整期间实质上保持不变。填充材料36的横向宽度的降低使额外特征52、54、56和58中的材料30的一些部分暴露。图8显示在移除所述部分之后的构造10，其有效地对应于额外特征52、54、56和 58中的材料30区域的横向修整。材料30和36的横向修整可达成额外特征52、54、56和 58的横向修整、和开口 40、42、44、46、48和50沿所示截面的横向扩展。尽管所显示的额外特征52、54、56和58在特征14、16和18之间大致居中，但在其它实施例中，所述额外特征可偏移而位于特征14、16和18之间的间隙中。同样，尽管所显示的额外特征52、54、56和 58与特征14、16和18具有大约相同的宽度，但在其它实施例中，所述额外特征可具有不同于初始特征14、16和18的宽度。此外，尽管所示实施例在初始特征14、16和18的各特征间仅形成一个额外特征(以达到间距加倍)，但在其它实施例中，可在初始特征之间形成多个额外特征以使初始间距增加到三倍、四倍等等。
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在一些实施例中，图3-8的处理除了使用开始时用于形成特征14、16和18的步骤 (即，参照图1阐述的光掩蔽)外未再使用额外光掩蔽步骤即可使额外特征52、54、56和58 对准初始特征14、16和18。相对于使用额外光掩模的处理，此可降低掩模未对准的风险，且相对于使用额外光掩模的处理，其还可提高产量。开口 40、42、44、46、48和50共同形成延伸跨越衬底12的开口图案。所述开口图案可用于在下伏衬底12中产生所需图案。例如，图9展示经一次蚀刻后将开口 40、42、44、 46,48和50延伸到衬底12中的构造10。在衬底12中形成图案可对应于与DRAM、SRAM及 /或NAND相关的各种组件的图案化。例如，可采用图案化在衬底12中产生NAND门。尽管图9展示使用开口 40、42、44、46、48和50而蚀刻到衬底12内之后的构造10， 但在其它实施例中，可使用所述开口进行替代蚀刻的其它处理或除蚀刻外另外进行其它处理。例如，开口 40、42、44、46、48和50可用于界定掺杂物在衬底12中的沉积位置。开口 40、42、44、46、48和50的初始大小(即在图6的处理阶段时开口的大小)可由在开口形成期间使用的保形牺牲材料的厚度来决定(例如，在图3-6的实施例中使用的材料30)。图10-12演示了与图3-6实施例相似的本发明实施例，但在所述实施例中采用了不同厚度的保形材料来产生开口。参照图10，其展示构造10处于一处理阶段，该处理阶段是在图2的处理阶段之后、 且可替换图3的处理阶段。具体来说，图10展示构造10所处的处理阶段，该处理阶段中， 跨越特征14、16和18且跨越所述特征间的间隙22、24J6和28形成相对薄的保形材料60 的层。材料60可包括任何适合的组合物，且可(例如)包括与材料30有关的任何上述组合物。材料60可通过类似于上文针对材料30所述的旋转浇铸方式的旋转浇铸来形成。参照图11，填充材料36形成于间隙22、24J6和28中，且显示所述构造所处的处理阶段，其中在特征14、16和18上的材料60处于暴露状态。所述处理阶段可与上文参照图5所述者相似，且可采用与上文参照图4和5所述者相似的处理而形成。参照图12，移除材料60的暴露区域以形成开口 40、42、44、46、48和50 ；且还形成包括材料60和36的特征52、54、56和58。由于材料60比材料30薄，所以处于图12的处理阶段的开口 40、42、44、46、48和50要比处于图6的处理阶段的类似开口窄。图3_6和 9-11的处理表明，开口 40、42、44、46、48和50的横向宽度可通过调整开口产生期间所采用的保形材料的厚度来进行调整。图1-12的处理采用保形材料(30和60)，其跨越特征(14、16和18)且跨越所述特征间的间隙(间隙22、24、沈和28)而形成。如果采用后续处理来扩大沿特征14、16和 18形成的开口(例如，上文参照图7和8阐述的用于扩大开口 40、42、44、46、48和50的处理)，则所述处理可横向蚀刻填充材料(36)和下伏于填充材料的保形材料(例如，图7和8 的保形材料30)。在一些实施例中，下述作法是有利的避免跨越特征14、16和18间的间隙形成保形材料，从而可避免在后续处理中对所述保形材料的横向蚀刻。图13-18演示了一示例性实施例，与跨越衬底12的暴露表面形成保形材料相比，在所述实施例中，保形材料是沿特征14、16和18选择性地形成。参照图13，所展示的构造10处于与图2的处理阶段相似的处理阶段。所述构造包含特征14、16和18，其通过间隙22、24、沈和观而彼此隔开。在后续处理阶段中，所述特征以阴影线显示以帮助标识这些特征。阴影线并不用于指示特征的组成，且具体来说并不用
9于指示图13的特征14、16和18不同于图2的所述特征。参照图14，相对于衬底12的暴露表面沿特征14、16和18的顶部和侧壁表面15和 17选择性地形成保形材料70。因此，所述保形材料沿特征14、16和18的表面延伸，但不会延伸跨越衬底12在间隙22、24J6和28中的大部分表面。然而，由于材料70从特征14、16 和18的侧壁表面17向外横向延伸，因此在所述间隙中沿表面12存在一定量的衬底70。材料70可通过任一适合的方法形成，且在一些实施例中，可通过选择性原子层沉积(ALD)、选择性气相沉积等方法形成。为获得对小型特征尺寸的精确控制，可能期望采用自限定沉积技术(例如，ALD或相似技术)来沉积材料70。可由所述技术提供的对厚度和保形性的精确控制可使材料70的沉积位于紧密公差内，此可优化控制用于图案形成中的临界尺寸。可对材料20、衬底12的上表面和材料70的组合物加以选择，从而使得材料70能够相对于衬底12的上表面而选择性地沉积在材料20的表面上。在一些实例性实施例中， 特征14、16和18的材料20可包括光致抗蚀剂，衬底12的上表面可包括硅，且材料70可包括聚硅氧烷(采用与白井(Shirai)等人在《光聚合物科学与技术杂志》(Journal of Photopolymer Science and Technology)第 8 卷第 141-144 页(1995)中所述的方法相似的方法)。在一些实例性实施例中，特征14、16和18的材料20可包括氮化钛，衬底12的上表面可包括硼磷硅酸盐玻璃，且材料70可包括铜(采用与帕克(Park)等人在《韩国物理协会杂志》(Journal of the Korean Physical Society)第 39 卷第 1076-1080 页(2001)中所述的方法相似的方法)。在一些实例性实施例中，材料70可包括选择性沉积的金属(采用与桑奇尔(Sankir)等人在《材料加工技术杂志》(Journal of Materials Processing Technology)第196卷第155-159页Q008)中所述的方法相似的方法)。在一些实例性实施例中，材料70可包括选择性沉积的二氧化硅(采用与李(Lee)等人在《半导体科学技术》 (Semicond. Sci Technol.)第18卷第L45-L48页(2003)中所述的方法相似的方法)。在一些实例性实施例中，材料70可包括选择性沉积的HFO(采用与陈(Chen)等人在《材料研究协会研讨会论文集》(Mat. Res. Soc. Symp. Proc.)第917卷第161-166页(2006)中所述的方法相似的方法)。在一些实例性实施例中，材料70可包括选择性沉积的聚合物(采用与在美国专利第5，869，135号中所述的方法相似的方法)。参照图15，于材料70上、且于特征14、16和18间的间隙22、24、沈和28中形成填充材料36。参照图16，移除一些材料36以暴露特征14、16和18上的材料70。此移除可采用与上文参照图4和5所述相似的处理完成。参照图17，移除材料70以形成延伸到衬底12的开口 40、42、44、46、48和50。在所示实施例中，材料70的移除相对于材料20和36、以及相对于沿衬底12的上表面的材料来说具有选择性。所述选择性移除可采用任何适宜处理完成。开口 40、42、44、46、48和50 的形成会留下多个特征52、54、56和58，其中所述特征是由填充材料36组成。参照图18，特征52、54、56和58的横向宽度沿所示截面有所降低，从而导致开口 40、42、44、46、48和50发生横向扩展。如果材料36包括光致抗蚀剂，则特征52、54、56和 58的横向宽度降低可使用光刻处理及/或使用上文参照图2所述的横向修整方法完成。图17和18的处理相对于图6-8的处理之间的区别在于，在图17和18的处理中仅移除材料36，而不像在图6-8的处理中移除材料36和30。在一些实施例中，此区别使得采用图13-18的处理优于采用图6-8的处理，这是因为所述处理可撤除至少一个处理步骤。
可利用开口 40、42、44、46、48和50以类似于上文参照图9所述者相似的处理对衬底12实施后续处理。
权利要求
1.一种在衬底上形成开口图案的方法，所述方法包括在衬底上形成间隔特征，所述特征具有顶部且具有从所述顶部向下延伸的侧壁；所述衬底暴露于所述间隔特征之间的间隙内；跨越所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料；形成所述第一材料之后，在所述特征之间提供填充材料，同时使所述第一材料的若干区域暴露；和移除所述第一材料的所述暴露区域；所述第一材料的所述暴露区域的所述移除在所述衬底上产生所述开口图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中相对于所述衬底沿所述特征选择性沉积所述第一材料，从而沿所述特征的所述顶部和侧壁形成所述第一材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述选择性沉积包括原子层沉积。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一材料的所述暴露区域的所述移除包括相对于所述填充材料和所述特征选择性移除所述第一材料的所述暴露区域。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括金属。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征包括光致抗蚀剂。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口沿截面具有宽度，且所述方法进一步包括在形成所述开口后通过移除所述填充材料中的一些填充材料来延伸所述宽度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料包括有机聚合物。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料包括光致抗蚀剂，且其中所述填充材料中的所述一些填充材料的所述移除包括光刻图案化。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料包括有机聚合物，且其中所述填充材料中的所述一些填充材料的所述移除包括用基于A的等离子体或用湿式化学法对所述填充材料进行横向修整。
11.根据权利要求 ο所述的方法，其进一步包括在提供所述填充材料之前对所述特征实施处理，以使所述特征对横向修整表现惰性。
12.—种在衬底上形成开口图案的方法，所述方法包括在衬底上形成间隔特征；跨越所述特征且跨越所述特征之间的空间形成含金属层；所述含金属层具有波状形貌；所述含金属层的所述波状形貌包括所述特征上的波峰，且包括所述特征间的空间内的波谷；提供填充材料以填充所述波谷，同时使所述含金属层的所述波峰暴露；和相对于所述填充材料和所述特征选择性地移除所述含金属层的暴露区域；所述含金属层的所述暴露区域的所述移除在所述衬底上形成所述开口图案。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述含金属层的所述形成包括旋转浇铸。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述含金属层的所述形成包括旋转浇铸含有分散于包括丙二醇及/或一种或一种以上丙二醇衍生物的溶液中的金属有机组合物的混合物。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述含金属层包括钛。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括加热所述含金属层以将所述钛并入氧化钛中，且其中所述加热是在提供所述填充材料之前发生。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述提供所述填充材料包括 沉积所述填充材料以填充所述波谷并覆盖所述波峰，和从所述波峰上移除所述填充材料。
18.根据权利要求17所述的方法，其中从所述波峰上移除所述填充材料包括平面化。
19.根据权利要求12所述的方法，其中所述特征包括光致抗蚀剂。
20.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成所述间隔特征包括 在所述衬底上形成光致抗蚀剂层；和光刻图案化所述光致抗蚀剂。
21.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成所述间隔特征包括 在所述衬底上形成有机聚合物层；和图案化所述有机聚合物。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述有机聚合物包括聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一者或两者。
23.根据权利要求12所述的方法，其中所述形成所述间隔特征包括 在所述衬底上形成光致抗蚀剂层；光刻图案化所述光致抗蚀剂；和修整所述经光刻图案化的光致抗蚀剂。
24.根据权利要求12所述的方法，其中所述填充材料包括光致抗蚀剂。
25.根据权利要求12所述的方法，其中 所述间隔特征包括光致抗蚀剂；所述填充材料包括光致抗蚀剂；处理所述特征，以使其对随后横向修整所述填充材料期间所利用的条件表现惰性，其中所述处理是发生于形成所述含金属层之前及/或期间；且在移除所述含金属层的所述暴露区域后，横向修整所述填充材料。
26.—种在衬底上形成开口图案的方法，所述方法包括在所述衬底上以光刻方式形成多个光致抗蚀剂特征，所述特征通过间隙彼此隔开； 横向修整所述光致抗蚀剂特征；处理所述经修整的光致抗蚀剂特征，以使其在随后的层旋转浇铸期间不溶； 跨越所述特征且在所述间隙内旋转浇铸所述层；所述旋转浇铸层具有波状形貌；所述波状形貌包括所述特征上的波峰，且包括所述特征之间的间隙内的波谷；在所述波谷内形成光致抗蚀剂填充物，同时使所述旋转浇铸层的所述波峰暴露； 相对于所述光致抗蚀剂填充物且相对于所述特征选择性地移除所述旋转浇铸层的暴露区域；所述旋转浇铸层的所述暴露区域的所述移除在所述衬底上形成所述开口图案；和通过图案化所述光致抗蚀剂填充物来扩大所述图案的所述开口，且然后移除在所述图案化所述光致抗蚀剂填充物之后所述旋转浇铸层所暴露的部分。
27.根据权利要求沈所述的方法，其中所述形成所述光致抗蚀剂填充物包括 在所述旋转浇铸层的所述波谷内和所述波峰上形成所述光致抗蚀剂填充物；平面化所述光致抗蚀剂填充物，以从所述旋转浇铸层的所述波峰上移除所述光致抗蚀剂填充物，同时在所述波谷内保留所述光致抗蚀剂填充物。
28.根据权利要求沈所述的方法，其中所述旋转浇铸层包括金属有机材料。
29.根据权利要求沈所述的方法，其中所述旋转浇铸层包括分散于含有丙二醇及/或一种或一种以上丙二醇衍生物的溶液中的含钛金属有机物。
30.根据权利要求四所述的方法，其中所述溶液含有丙二醇单甲基醚乙酸酯。
31.根据权利要求四所述的方法，其进一步包括在形成所述光致抗蚀剂填充物之前， 加热所述旋转浇铸层，以将所述含钛金属有机物中的至少一些含钛金属有机物转化为氧化钛。
全文摘要
一些实施例包含形成开口图案的方法。所述方法可包含在衬底上形成间隔特征。所述特征可具有顶部，且可具有从所述顶部向下延伸的侧壁。可沿所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料。所述第一材料可通过跨越所述特征旋转浇铸所述第一材料的保形层形成，或者通过相对于所述衬底沿所述特征进行选择性沉积来形成。在所述第一材料形成之后，可在所述特征之间提供填充材料，同时使所述第一材料的若干区域暴露。然后，可相对于所述填充材料和所述特征二者选择性地移除所述第一材料的所述暴露区域以产生所述开口图案。
文档编号G03F7/00GK102341888SQ201080010243
公开日2012年2月1日 申请日期2010年2月4日 优先权日2009年3月3日
发明者古尔特杰·S·桑胡, 张明, 斯科特·西里斯, 约翰·斯迈思 申请人:美光科技公司