液晶显示装置及其背光驱动电路的制作方法

专利名称：液晶显示装置及其背光驱动电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及 一种液晶显示装置及其背光驱动电路。
技术背景由于液晶显示器具有轻、薄、耗电小等优点，被广泛应用于电 视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等现代化信息设备。目 前，液晶显示器在市场上的应用越来越重要。请参阅图l，为一种现有技术背光驱动电路的电路图。该背光驱动电路10包括一 电源160、 一第一脉沖发生器130、 一第二脉冲发生 器140、 一第一电容190、 一第二电容170、 一第三电容180、 一第一 晶体管IIO、 一第二晶体管120和一变压器150。该电源160为18V。 该变压器151包括一初级线圈151。该第 一 晶体管1 IO为一P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶 体管(P-Channel Enhancement Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, P-MOSFET)，其栅极111连接至该第 一 脉冲 发生器130,源极112连接至该电源160,漏极113连接至该变压器150 的初级线圏151的第一端152。该第二晶体管120为一N沟道增强型金属氧化物半导体场效应 晶体管(N-Channel Enhancement Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, N-MOSFET)，其4册极121连接至该第二脉冲 发生器140，源极122接地，漏极123连接至该变压器150的初级线圈 151的第一端152。该第一电容190的一端接地，另 一端连接至该变压器150的初级 线圏151的第二端153。该第二电容170的一端接地，另一端连接至该 电源160,用来过滤该电源160输出电平的低频干扰。该第三电容180 的一端接地，另 一端连接至该电源160，用来过滤该电源160输出电 平的高频干扰。该背光驱动电路10的工作原理如下当该第 一 脉冲发生器13 0和该第二脉沖发生器H 0输出的脉冲信 号都为低电平时，该第一晶体管110开启，第二晶体管120关闭。该 电源160、该第一晶体管110、该变压器150的初级线圏151和该第一 电容190构成 一 充电回路。18V的电源经过该第 一 晶体管110为该变 压器150初级储能，使该变压器150的初级电流逐渐增大，并且同时 为该第一电容190充电。当该第一电容190和该变压器150的初级线圏 151串联谐振时，该变压器150的初级电流达到最大，即该变压器150 的初级储能达到饱和。此后，该变压器150开始释放能量，并同时给 该第 一 电容190充电，该变压器150的初级电流逐渐渐小。当该第一 电容190被充到18V时，该变压器150的能量释放完全，该变压器150 的初级电流为零。当该第 一 脉冲发生器13 0和该第二脉冲发生器14 0输出的脉冲信 号都为高电平时，该第一晶体管110关闭，第二晶体管120开启。该 第 一电容190、该变压器150的初级线圏151和该第二晶体管120构成 一放电回路。该第一电容190开始放电，同时该变压器150开始初级 储能，该变压器150的初级电流逐渐增大。当该第一电容190和该变 压器15 0的初级线圏151串联谐振时，该变压器15 0的初级电流达到最 大，即该变压器150的初级储能达到饱和。此后，该变压器150开始 释放能量，该第一电容190继续放电。由于该电源160、该第一晶体管110、该变压器150的初级线圏151 和该第一电容190构成的充电回路中，该第一电容190很容易被充到 18V，因而流过第 一 晶体管IIO的电流较大。另，该第一晶体管IIO 为一P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管，其导通内阻较 大， 一般最小为0.1欧姆。因而，该第一晶体管110的耗散功率较大， 该耗散功率转换为热能，使该第一晶体管110的温升较高，影响该第 一晶体管IIO的运作效能，从而降低该背光驱动电路10的可靠性
发明内容
为了解决现有技术背光驱动电路可靠性较低的问题，有必要提 供一种可靠性较高的背光驱动电路。还有必要提供一种应用上述背光驱动电路的液晶显示装置。 一种背光驱动电路，其包括一电源，一第一脉冲发生器， 一第 二脉沖发生器，一变压器，一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和一电容。该变压器 包括一初级线圈。该P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极 连接至该第一脉沖发生器，源极连接至该电源，漏极连接至该变压 器的初级线圏的第一端。该N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 的栅极连接至该第二脉冲发生器，源极接地，漏极连接至该变压器 的初级线圏的第一端。该电容的一端连接至该电源，另一端连接至 该变压器的初级线圈的第二端。一种液晶显示装置，其包括一液晶显示面板、 一背光模组和一 背光驱动电路。该背光模组用来为该液晶显示面板提供面光源。该 背光模组包括一光源。该背光驱动电路用来驱动该光源。该背光驱 动电路包括一电源， 一第一脉冲发生器， 一第二脉沖发生器， 一变 压器，一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，一N沟道金属氧化 物半导体场效应晶体管和一电容。该变压器包括一初级线圏。该P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接至该第一脉沖发生 器，源极连接至该电源，漏极连接至该变压器的初级线圏的第一端。 该N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接至该第二脉冲 发生器，源极接地，漏极连接至该变压器的初级线圏的第一端。该 电容的一端连接至该电源，另一端连接至该变压器的初级线圏的第相较于现有技术，该背光驱动电路通过该电容、该变压器的初 级线圈和该p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管构成一电容放电 回路，由于电容特性决定其电量不容易被释放完全，因而流过该p 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的电流较小，使其耗散功率较 小，从而使该耗散功率转换的热能较少，该p沟道金属氧化物半导
体场效应晶体管的温升较低，不会影响其运作效能。另，该背光驱动电路也通过该电源、该变压器的初级线圏、该电容和该N沟道增 强型金属氧化物半导体场效应晶体管构成一电容充电回路，该电容 很容易被充电，使流过该N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶 体管的电流较大，然而，该N沟道增强型金属氧化物半导体场效应 晶体管的导通内阻较小， 一般为0.01欧姆，因而其耗散功率也较小， 该耗散功率转换为热能也较少，该N沟道增强型金属氧化物半导体 场效应晶体管晶体管的温升也较低，也不会影响其运作效能。因而， 该背光驱动电路和使用该背光驱动电路的液晶显示装置的可靠性较 高。


图l为一种现有技术背光驱动电路的电路图。 图2为本发明液晶显示装置的示意图。图3为图2所示液晶显示装置的背光驱动电路一较佳实施方式的 电路图。
具体实施方式
请参阅图2，为本发明液晶显示装置的示意图。该液晶显示装置 2包括一液晶显示面板40、 一背光才莫组30和一背光驱动电路20。该背 光模组30用来为该液晶显示面板40提供面光源。该背光模组30包括 一光源35。该背光驱动电路20用来驱动该光源。请参阅图3，为该背光驱动电路20 —较佳实施方式的电路图。该 背光驱动电路20包括一电源260、 一第一脉冲发生器230、 一第二脉 沖发生器240、 一第一电容290、 一第二电容270、 一第三电容280、 一第一晶体管210、 一第二晶体管220和一变压器250。该变压器250 包括一初级线圏251。该第 一 晶体管210为一P沟道增强型金属氧化物半导体场效应 晶体管，其栅极211连接至该第一脉冲发生器230，源极212连接至该
电源260，漏极213连接至该变压器250的初级线圏251的第 一端252。 该第二晶体管220为一N沟道增强型金属氧化物半导体场效应 晶体管，其栅极221连接至该第二脉沖发生器240，源极222接地，漏 极223连接至该变压器250的初级线圈251的第 一端252。该第一电容290的一端连接至该电源260，另 一端连接至该变压 器250的初级线圈251的第二端253。该第二电容270的 一 端接地，另 一端连接至该电源260，用来过滤该电源260输出电平的低频干扰。 该第三电容280的一端接地，另 一端连接至该电源260,用来过滤该 电源260输出电平的高频干扰。该电源260可以为18V。该第 一脉冲发生器230的幅值可以为 18V,工作频率可以为50KHz，占空比(duty ratio)可以为0.65。该第 二脉沖发生器240的幅值可以为5V,工作频率可以为50KHz，占空比 可以为0.35。该第二电容270可以为电解电容，其电容值可以为220 ;敞法。该第三电容280可以为贴片电容，其电容值可以为0.01」微法。 该第 一 晶体管210和该第二晶体管220皆为AP45 11GH型号。该变压 器250可以为EEL19。该背光驱动电路20的工作原理如下当该第 一 脉冲发生器230和该第二脉冲发生器240输出的脉冲信 号都为高电平时，该第一晶体管210关闭，第二晶体管220开启。该 电源260、该第一电容290、该变压器250的初级线圏251和该第二晶 体管240构成一充电回路。18V的电源为该变压器250初级储能，使 该变压器250的初级电流逐渐增大，并且同时为该第 一 电容290充电。 当该第一电容290和该变压器250的初级线圏251串联谐振时，该变压 器250的初级电流达到最大，即该变压器250的初级储能达到饱和。 此后，该变压器250开始释放能量，并且电源260继续给该第一电容 290充电，该变压器250的初级电流逐渐渐小。当该第一电容290被充 到18V时，该变压器250的能量释放完全，该变压器250的初级电流 为零。当该第 一脉冲发生器230和该第二脉冲发生器240输出的脉冲信
号都为低电平时，该第一晶体管210开启，第二晶体管220关闭。该 第一电容290、该变压器250的初级线圏251和该第一晶体管210构成 一放电回路。该第一电容290开始放电，同时该变压器250开始初级 储能，该变压器250的初级电流逐渐增大。当该第一电容290和该变 压器250的初级线圏251串联谐振时，该变压器250的初级电流达到最 大，即该变压辟250的初级储能达到饱和。此后，该变压器250开始 释放能量，该第一电容290继续^t电。相较于现有技术，该背光驱动电路20通过第一电容290、该变压 器250的初级线圏251和该第 一晶体管210构成一第 一电容290放电回 路，由于第一电容290特性决定其电量不容易被释放完全，因而流过 该第一晶体管210的电流较小，使该第一晶体管210的耗散功率较小， 从而使该耗散功率转换的热能较少，该第 一晶体管210的温升较低， 不会影响该第一晶体管210的运作效能。另，该背光驱动电路20也通 过该电源260、该变压器250的初级线圈251、该第一电容290和该第 二晶体管220构成 一 第 一 电容290充电回路，该第 一 电容290^艮容易被 充电，使流过该第二晶体管220的电流较大，然而该第二晶体管220 为一N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管，其导通内阻较 小， 一般为0.01欧姆，因而该第二晶体管220的耗散功率也较小，该 耗散功率转换为热能也较少，该第二晶体管220的温升也较低，也不 会影响该第二晶体管220的运作效能。因而，该背光驱动电路20和使 用该背光驱动电路20的液晶显示装置2的可靠性较高。本发明的背光驱动电路20还有其它多种变更设计，如该第一 晶体管210可以为一P沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管； 该第二晶体管220可以为一N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管。
权利要求
1.一种背光驱动电路，其包括一电源、一第一脉冲发生器、一第二脉冲发生器、一变压器、一第一晶体管、一第二晶体管及一电容，该变压器包括一初级线圈，该第一晶体管为P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，该第二晶体管为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于该第一晶体管的栅极连接至该第一脉冲发生器，源极连接至该电源，漏极连接至该变压器的初级线圈的第一端；该第二晶体管的栅极连接至该第二脉冲发生器，源极接地，漏极连接至该变压器的初级线圈的第一端；该电容的一端连接至该电源，另一端连接至该变压器初级线圈的第二端。
2. 如权利要求1所述的背光驱动电路，其特征在于该第一 脉冲发生器的幅值为18V,工作频率为50KHz，占空比为0.65。
3. 如权利要求1所述的背光驱动电路，其特征在于该第二 脉沖发生器的幅值为5V,工作频率为50KHz,占空比为0.35。
4. 如权利要求1所述的背光驱动电路，其特征在于该变压 器为EEL19。
5. 如权利要求1所述的背光驱动电路，其特征在于该第一 晶体管和该第二晶体管皆为AP4511GH型号。
6. 如权利要求1所述的背光驱动电路，其特征在于该背光 驱动电路进一步包括一第二电容，该第二电容一端接地，另一端 连接至该电源。
7. 如权利要求6所述的背光驱动电路，其特征在于该第二 电容为电解电容。
8. 如权利要求6所述的背光驱动电路，其特征在于该背光 驱动电路进一步包括一第三电容，该第三电容一端接地，另一端 连接至该电源。
9. 如权利要求8所述的背光驱动电路，其特征在于该第三 电容为贴片电容。
10. —种液晶显示装置，'其包括一液晶显示面板和一 背光冲莫组，该背光模组用来为该液晶显示面板提供面光源，其包括一光 源和一背光驱动电路，该背光驱动电路用来驱动该光源，其包括 一电源、 一第一脉冲发生器、 一第二脉冲发生器、 一变压器、一 第一晶体管、 一第二晶体管及一电容，该变压器包括一初级线圈， 该第一晶体管为p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，该第二晶体管为N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于 该第 一 晶体管的栅极连接至该第 一脉沖发生器，源极连接至该电 源，漏极连接至该变压器的初级线圈的第一端；该第二晶体管栅 极连接至该第二脉沖发生器，源极接地，漏极连接至该变压器的 初级线圈的第一端；该电容的一端连接至该电源，另一端连接至 该变压器初级线圈的第二端。
全文摘要
本发明涉及一种背光驱动电路，其包括一电源、一第一脉冲发生器、一第二脉冲发生器、一变压器、一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和一电容。该变压器包括一初级线圈。该P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接至该第一脉冲发生器，源极连接至该电源，漏极连接至该变压器的初级线圈的第一端。该N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接至该第二脉冲发生器，源极接地，漏极连接至该变压器的初级线圈的第一端。该电容的一端连接至该电源，另一端连接至该变压器的初级线圈的第二端。
文档编号G02F1/13GK101118726SQ20061006198
公开日2008年2月6日 申请日期2006年8月4日 优先权日2006年8月4日
发明者通 周, 周和康, 鲁建辉 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司