显示装置及其制造方法

专利名称：显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及显示装置及其制造方法，特别是涉及像素缺陷的修正。
背景技术：
近年来，对于具有多个TFT(薄膜晶体管)等开关元件的有源矩阵型显示装置，越 来越强烈地要求提高显示品质。但是，由于伴随显示的高精细化，基板上的配线等的图案 也被高精细化，所以难以完全防止由该配线等的断线和短路引起的显示不良(包括显示缺 损)的发生。 例如，存在发生TFT常时变为断开状态的TFT的断路(open)不良、和辅助电容部 中的漏电(短路)的情况。此外，也存在发生由TFT中的载流子的掺杂不良引起的TFT的 特性不良的情况。 由于这些不良，会发生显示常时成为亮点的显示不良。已知由于这种亮点显示不 良，对于使用者来说很显眼，因此通过使栅极配线与TFT的漏极部短路，使不良像素进行黑 显示从而对不良像素进行修正。 S卩，在常白的液晶显示装置中，通过使不良像素中的TFT的漏极部与栅极配线短 路，比较大的电压被经由漏极部与栅极配线短路的像素电极和相对电极(公共电极)大致 连续地施加到液晶层，结果使该不良像素常时进行黑显示。 在专利文献1中，将激光照射在TFT的栅极电极与漏极电极的重叠部分上。这样 一来，栅极绝缘膜被破坏而栅极电极与漏极电极熔融，电连接起来。扫描脉冲经由与漏极电 极连接的显示电极施加在液晶上。其结果，该像素在常开模式中变为暗显示，变得不显眼。
在专利文献2中，公开有如下技术在有源矩阵型显示装置中，通过对在亮点模式 中能够看到的像素缺陷部的TFT和修正用配线部进行激光照射，使它们在多个部位短路， 由此，从亮点模式修正为黑点模式。 此外，在专利文献3中，公开有如下技术在辅助电容部中发生漏电而变为亮点不 良的情况下，以夹着该漏电区域的方式分开像素电极，使TFT的漏极部与栅极配线短路，由 此使像素进行黑显示。 专利文献1 :日本特开平5-210111号公报
专利文献2 :日本特开平4-324819号公报
专利文献3 :日本特开2002-341379号公报

发明内容
但是，如上述现有技术那样，在当使栅极配线与TFT的漏极部短路时TFT为导通状 态的情况下，源极配线与栅极配线短路。其结果，存在源极配线的电位被牵引到栅极配线的 电位而降低的问题。 进一步，存在如下可能在与沿着包括该不良像素的源极配线的方向并列的像素 中，产生线状的显示不良(线缺陷)，进而，也存在如下可能产生以该不良像素为中心的十
4字状的显示不良。 本发明就是鉴于这样的诸问题而研发的，本发明的目的在于，提供一种通过进行 黑显示而进行修正的显示装置，该显示装置能够防止源极配线的电压下降从而可靠地减少 显示不良。 为了达到上述目的，在本发明中，使TFT的漏极部与栅极配线短路，并且，使源极 配线与栅极配线电分离，由此使像素进行黑显示从而对像素进行修正。 具体而言，本发明的显示装置的制造方法是制造有源矩阵型显示装置的方法，该 有源矩阵型显示装置包括TFT，该TFT分别设置在多个像素中，具有半导体层部和栅极电 极，该半导体层部包括源极部和漏极部；与上述TFT的源极部连接的源极配线；和与上述 TFT的栅极电极连接的栅极配线，该显示装置的制造方法的特征在于包括通过使成为亮 点缺陷的上述像素进行黑显示而对成为亮点缺陷的上述像素进行修正的修正工序；在上述 修正工序中，使成为亮点缺陷的上述像素中的上述TFT的漏极部与上述栅极配线短路，并 且，在成为亮点缺陷的上述像素中，以使上述源极配线与上述栅极配线电分离的方式，切断 上述TFT的半导体层部。 在上述修正工序中，也可以使上述成为亮点缺陷的像素中的上述TFT的漏极部、 与连接在与该成为亮点缺陷的像素不同的像素的上述TFT上的栅极配线短路。
在上述修正工序中，也可以通过使上述半导体层部与上述TFT的栅极电极短路， 使上述TFT的漏极部与上述栅极配线短路。 优选在上述像素中，用于使上述TFT的漏极部与上述栅极配线短路的短路区域 延伸设置在上述栅极配线或上述TFT的栅极电极上，在上述修正工序中，在上述短路区域 中，使上述TFT的漏极部与上述栅极配线短路。 在上述修正工序中，也可以使在与上述源极配线在相同的层形成并与上述漏极部 连接的导电层与上述栅极配线短路。 优选在上述多个像素中，分别设置有用于维持该像素中的显示电位的辅助电容 元件，在上述修正工序中，在成为亮点缺陷的上述像素中，进一步使上述辅助电容元件与上 述TFT的漏极部电分离。 优选在上述修正工序中，在与上述源极配线重叠的区域中切断上述半导体层部。
在上述修正工序中，也可以在不与上述源极配线重叠的区域中切断上述半导体层 部。 优选在上述修正工序之前，在切断上述半导体层部的区域中的与上述源极配线 相同的层形成遮光层。 上述遮光层也可以与上述TFT的漏极部电连接。此外，上述遮光层也可以呈岛状 电浮置。 此外，本发明的显示装置是有源矩阵型显示装置，其包括分别设置在多个像素中 的TFT、和与上述TFT连接的多根源极配线和栅极配线，上述多个像素的一部分是通过进行 黑显示而被修正后的修正像素，包括用于使上述TFT的漏极部与上述栅极配线短路的短 路部、和以使上述源极配线与上述栅极配线电分离的方式，切断上述TFT的半导体层部而 形成的切断部。 上述修正像素中的上述TFT的漏极部，也可以与连接在与该修正像素不同的像素的上述TFT上的栅极配线短路。 上述短路部也可以通过使上述半导体层部与上述TFT的栅极电极短路，使上述 TFT的漏极部与上述栅极配线短路。 优选在上述像素中，用于使上述TFT的漏极部与上述栅极配线短路的短路区域 延伸设置在上述栅极配线或上述TFT的栅极电极上，上述短路部形成在上述短路区域中。
优选上述短路部，使在与上述源极配线在相同的层形成并使与上述漏极部连接 的导电层与上述栅极配线短路。 优选在上述多个像素中，分别设置有用于维持该像素中的显示电位的辅助电容
元件，在上述修正像素中，上述辅助电容元件与上述TFT的漏极部进一步电分离。
优选上述切断部配置在与上述源极配线重叠的区域中。 上述切断部也可以配置在不与上述源极配线重叠的区域中。 在形成有上述切断部的区域中，在与上述源极配线相同的层形成有遮光层。 上述遮光层也可以与上述TFT的漏极部电连接。此外，上述遮光层也可以呈岛状
电浮置。-作用- 下面，对本发明的作用进行说明。 本发明的显示装置，因为具有使TFT的漏极部与栅极配线短路的短路部，所以在 修正像素中漏极部的电位变为与栅极配线相同的电位，能够使上述修正像素处于黑显示状 态。 进一步，因为在半导体层部中设置有切断部，使源极配线与栅极配线电分离，所以 源极配线的电位不会被牵引到栅极配线的电位而降低。因此，能够使修正像素进行黑显示 从而对修正像素进行修正，并且能够防止源极配线的电压下降从而减少显示不良(包括线 状和十字状的显示不良)。 在制造上述显示装置的情况下，进行通过使成为亮点缺陷的像素进行黑显示而对 成为亮点缺陷的像素进行修正的修正工序。通过修正工序，成为亮点缺陷的像素变为修正像素。 在修正工序中，使成为上述亮点缺陷的像素中的TFT的漏极部与栅极配线短路， 并且，在成为亮点缺陷的上述像素中，以使源极配线与栅极配线电分离的方式，切断TFT的 半导体层部。其结果，分别形成上述短路部和切断部。 此时，如果使上述漏极部与连接在与该成为亮点缺陷的像素不同的像素的TFT上 的栅极配线短路，则能够减少由修正像素周围的像素与修正像素之间的寄生电容引起的显 示品质的下降。 此外，如果为了使漏极部与栅极配线短路，使半导体层部与栅极电极短路，则不需 要另外设置短路区域。 另一方面，如果在栅极配线或栅极电极上延伸设置短路区域，则即使漏极部和栅 极配线等具有精细的图案(pattern)，也能够通过使该短路区域变得比较大而可靠地实现 上述短路。 此外，在修正工序中，如果使辅助电容元件与漏极部电分离，则即使在辅助电容元 件中发生不良，也能够防止由辅助电容元件与源极配线短路引起的显示不良。
此外，如果在与源极配线重叠的区域中切断半导体层部，则例如即使在利用激光 切断的情况下，激光也被源极配线遮断。另一方面，如果在切断半导体层部的区域中，在与 源极配线相同的层形成遮光层，则切断了半导体层部的激光被该遮光层遮断。另外，遮光层 也能够在与源极配线相同的工序中形成。 根据本发明，因为使修正的像素中的TFT的漏极部与栅极配线短路，并且，在该像 素中使源极配线与栅极配线电分离，所以能够使该像素进行黑显示从而对像素进行修正， 并且，能够使源极配线的电位不会被牵引到栅极配线的电位而降低，防止源极配线的电压 下降，可靠地减少包括线状和十字状的显示不良的显示不良。


图1是表示本实施方式1中的液晶显示装置的结构的电路图。 图2是放大表示修正像素的一部分的平面图。 图3是放大表示本实施方式2中的2个像素的平面图。 图4是示意性地表示像素的排列的平面图。 图5是放大表示实施方式3中的修正像素的一部分的平面图。 图6是放大表示实施方式4中的修正像素的一部分的平面图。 图7是将表示其它实施方式中的修正像素的一部分放大的平面图。 符号的说明 1液晶显示装置 5液晶层 10 TFT基板 11 CS配线 12像素 12a修正像素13栅极配线14源极配线15像素电极16TFT17栅极电极18源极部19漏极部20半导体层部25漏极电极27配线部30辅助电容元件33短路区域35短路部36第1切断部(切断部)37第2切断部
39短路用配线部
40遮光层
具体实施例方式
下面，基于附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，本发明并不限定于以
下的实施方式。(发明的实施方式l) 图1和图2表示本发明的实施方式1。在本实施方式l中，作为显示装置举出液晶 显示装置为例进行说明。图1是表示本实施方式1中的液晶显示装置1的结构的电路图。 图2是放大表示实施方式1的修正像素的一部分的平面图。 液晶显示装置1是有源矩阵型的液晶显示装置，其包括TFT基板10、与TFT基板 10相对配置的相对基板(省略图示)、和设置在上述相对基板与上述TFT基板10之间的液 晶层5。此外，液晶显示装置1是在没有对液晶层5施加电压的状态下进行白显示，并且，在 对液晶层5施加电压的状态下进行黑显示的常白型液晶显示装置。在上述相对基板上，如 图1所示，形成有用于对液晶层5施加电压的相对电极6。 另一方面，TFT基板10构成为所谓的有源矩阵基板。如图1所示，在TFT基板10 上呈矩阵状配置有多个作为显示的单位区域的像素12。在TFT基板10上，相互平行地延伸 形成有多根栅极配线13。此外，在TFT基板10上，相互平行地形成有多根源极配线14，该 多根源极配线14以与上述栅极配线13正交的方式配置。 进一步，在TFT基板10上，以与栅极配线13平行地延伸的方式形成有多根CS配 线11。由此，在TFT基板10上，由栅极配线13、源极配线14和CS配线11构成的配线群呈 格子状形成图案。 各像素12例如由被上述源极配线14和CS配线11区划的矩形的区域形成。在各 像素12中，呈矩形状形成有用于对液晶层5进行驱动的像素电极15。 在各像素12中，分别设置有作为对像素电极15进行开关驱动的开关元件的 TFT(薄膜晶体管)16。 TFT16具有半导体层部20和栅极电极17，该半导体层部20包括源 极部18和漏极部19。在图2中，表示具有2个栅极电极17的双栅极型TFT。
—方的栅极电极17a由栅极配线13的与源极配线14重叠的一部分区域构成。另 一方的栅极电极17b从栅极配线13分支而相对于该栅极配线13垂直地延伸。因此，栅极 电极17与栅极配线13电连接。 半导体层部20，如图2所示，由L字状的硅图案形成，其一部分以与源极配线14重 叠的状态沿源极配线14延伸，其前端(即，源极部18的前端)经由接触孔23与源极配线 14连接。S卩，源极配线14与源极部18电连接。另一方面，半导体层部20的另一端(即，漏 极部19的前端)经由接触孔24与漏极电极25连接。 S卩，源极部18由半导体层部20的比栅极电极17a靠近接触孔23侧的部分构成， 另一方面，漏极部19由半导体层部20的比栅极电极17b靠近接触孔24侧的部分构成。此 外，半导体层部20的2个栅极电极17a、17b之间的部分也称为沟道间区域。
上述漏极电极25是在与源极配线14相同的层形成的导电层，经由接触孔26与像 素电极15连接。即，TFT16的漏极部19经由漏极电极25和接触孔26与像素电极15连接。
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此外，在各像素12中，分别设置有用于维持该像素12的显示电位的辅助电容元件 30。即，辅助电容元件30经由配线部27连接在半导体层20上。辅助电容元件30如图2 所示，由CS配线11的一部分、和经由绝缘层与该CS配线11相对并且沿着该CS配线11延 伸的电容电极31构成。 上述配线部，由与半导体层部20相同的材料一体形成，其一端与半导体层部20的 漏极部19 一体连接，而另一端与电容电极31 —体连接。即，电容电极31也由与半导体层 部20相同的材料形成。 而且，在像素12中，在栅极配线13上延伸设置有用于使TFT16的漏极部19与栅 极配线13短路的短路区域33。短路区域33与栅极电极17b同样地，从栅极配线13分支而 相对于该栅极配线13垂直地延伸。另一方面，漏极电极25的一部分沿栅极配线13延长， 其前端部分与上述短路区域33相对。 进一步，多个像素12的一部分成为通过进行黑显示而被修正后的修正像素12a。 修正像素12a如图2所示，包括用于使TFT16的漏极部19与栅极配线13短路的短路部 35 ;和以使源极配线14与栅极配线13电分离的方式切断TFT16的半导体层部20而形成的 第l切断部36。 短路部35，通过在短路区域33中使在与源极配线14相同的层形成并与漏极部19 连接的导电层即漏极电极25与栅极配线13短路，使漏极部19与栅极配线13短路。S卩，短 路部35形成在短路区域33。 另一方面，第1切断部36配置在与源极配线14重叠的区域中。例如，第l切断部 36如图2所示，在半导体层部20的栅极电极17a的附近在栅极电极17b侧的位置形成。
此外，修正像素12a具有以使辅助电容元件30与上述TFT16的漏极部19电分离 的方式将配线部27切断而形成的第2切断部37。第2切断部37，例如在电容电极31的附 近位置形成。 而且，在没有显示不良的正常的像素12中，在经由栅极配线13对栅极电极17施 加有扫描电压的状态下，从源极配线14经由源极部18和漏极部19向像素电极15供给信 号电压。此时，辅助电容元件30被蓄电而维持显示电位。由此，能够在该像素12中进行希 望的显示。 例如，在栅极配线13上，施加有-5V的电压(低(Low)状态)，在对规定的像素列 进行扫描时施加10V的电压(高(High)状态)。另一方面，在相对电极上施加0 +5V的 电压。这样一来，在短路部35中栅极配线13与漏极部19短路的状态下，在液晶层5上施加 有大致作为上述栅极配线13的低(Low)状态的电压(-5V)、与相对电极的电压(0 +5V) 之差的5 10V的电压。这样一来，变得在常白的液晶层5上施加有5V以上的电压，在该 修正像素12a中进行黑显示。 另一方面，在修正像素12a中，漏极部19与栅极配线13因短路部35而短路，因此 在像素电极15上施加有比较大的电压。由此，在该修正像素12a中进行黑显示。此时，因 为形成有第1切断部36，所以源极配线14的电位不会受到短路部35的影响，不会降低。进 一步，即使在辅助电容元件30中存在短路不良等的情况下，也由于形成有第2切断部37，所 以施加在像素电极15上的电压不会受到辅助电容元件30侧的不良的影响。
-制造方法-
下面，对上述液晶显示装置1的制造方法进行说明。 液晶显示装置l，通过将TFT基板IO和相对基板粘合在一起，并且在各基板之间通过密封部件密封液晶层5而制造出来。由于本发明的特征在于对TFT基板10的显示不良进行修正，因此对本发明的修正工序进行说明。 S卩，在本实施方式1中的液晶显示装置1的制造方法中，包括使成为亮点缺陷的上
述像素进行黑显示从而对成为亮点缺陷的上述像素进行修正的修正工序。 首先，在修正工序之前，当形成TFT基板IO自身时，在与形成栅极配线13的工序
相同的工序中，在栅极配线13上延伸设置短路区域33。此外，在与形成源极配线14的工序
相同的工序中，形成漏极电极25，并且以与短路区域33重叠的方式形成其一部分。 然后，在修正工序中，使成为亮点缺陷的像素12中的TFT16的漏极部19与栅极配
线13短路，并且，在成为亮点缺陷的像素12中，以使源极配线14和栅极配线13电分离的
方式，将TFT16的半导体层部20切断。由此，形成短路部35和第1切断部36。 短路部35，在成为亮点缺陷的像素12的短路区域33中形成，由此，使漏极电极25
与栅极配线13短路。另一方面，第1切断部36通过在与源极配线14重叠的区域中切断半
导体层部20而形成。 进一步，在该修正工序中，在成为亮点缺陷的像素12中，将配线部27切断而形成第2切断部37，使辅助电容元件30与TFT16的漏极部19电分离。能够利用激光将上述半导体层部20和配线部27切断。
-实施方式l的效果- 因此，根据该实施方式l，液晶显示装置1由于具有使修正像素12a中的TFT16的漏极部19与栅极配线13短路的短路部35，因此漏极部19的电位变为与栅极配线13相同的电位，能够在常白的液晶层5上大致常时施加有电压从而使该修正像素12a处于黑显示状态。因此，因为没有明显示，所以对于液晶显示装置1的使用者来说很难视认像素的不良，能够防止显示品质的下降。 进一步，因为在修正像素12a的半导体层部20上形成了第1切断部36，所以能够使源极配线14与栅极配线13电分离。因此，能够防止源极配线14的电位被牵引到栅极配线13的电位而降低。因此，能够使修正像素12a进行黑显示从而对修正像素12a进行修正，并且能够防止源极配线14的电压下降从而减少显示不良(包括线状和十字状的显示不良)。 进一步，因为在修正像素12a中形成了第2切断部37，使辅助电容元件30与漏极部19电分离，因此即使在辅助电容元件30中发生不良(例如，电容电极31与CS配线11短路的不良等)，也能够防止由这些不良引起的显示不良。 而且，如上述那样，在修正像素12a中，通过将短路部35、第1切断部36和第2切断部37的形成作为一组的修正来进行，无论该修正像素12a中的亮点显示不良的原因是什么(不论亮点不良的原因是什么)，均能够通过可靠地使该修正像素12a成为黑点而对该修正像素12a进行修正，并且能够防止邻接的其它像素12的显示不良。 进一步，因为将短路区域33在栅极配线13上延伸设置从而进行另外设置，所以即使漏极部19和栅极配线13等为精细的图案，也能够比较大地形成该短路区域33从而可靠地实现上述短路。换言之，能够提高修正的可靠性。
另外，因为将第1切断部36配置在与源极配线14重叠的区域中，所以能够由源极配线14遮断将半导体层部20切断的激光。因此，不需要另外独立地设置用于遮断激光的基底层(遮光层)。
(发明的实施方式2) 图3和图4表示本发明的实施方式2。图3是放大表示本实施方式2中的2个像素的平面图。图4是示意性地表示像素排列的平面图。另外，在以后的各实施方式中，对与图1和图2相同的部分标注相同的标号，并省略其详细说明。 在上述实施方式1中在修正像素12a中形成有短路部35，与此相对，在本实施方式2中在与修正像素12a不同的像素12中形成有短路部35。 S卩，修正像素12a的漏极部19，与连接在与修正像素12a邻接的像素12的TFT16上的栅极配线13短路。形成有上述短路部35的像素12，经由CS配线11与修正像素12a邻接。即，与上述漏极部19短路的栅极配线13，与连接在修正像素12a的TFT16上的栅极配线13不同。 在修正像素12a的漏极电极25上，延伸设置有短路用配线部39。短路用配线部39如图3所示， 一端与漏极电极25 —体连接，而另一端以与上述邻接的像素12中的栅极配线13的短路区域33重叠的方式配置。这样，在上述邻接的像素12的短路区域33中形成有短路部35。 根据这样的结构，修正像素12a的漏极部19，变为与连接在上述邻接的像素12的TFT16上的栅极配线13相同的电位，因此在该修正像素12a中的像素电极15上施加有比较大的电压。由此，能够在该修正像素12a中进行黑显示。 在制造本实施方式2的液晶显示装置1的情况下，在制造TFT基板10时，在与源极配线14相同的工序中，形成漏极电极25和短路用配线部39。其后，在修正工序中，在上述短路区域33中使成为亮点缺陷的像素12中的TFT16的漏极部19，与连接在与该成为亮点缺陷的像素12不同的像素12的TFT16上的栅极配线13短路。能够利用激光实现该短路。 _实施方式2的效果- 所以，根据该实施方式2，除了能够得到与上述实施方式1同样的效果外，还能够减少由修正像素12a周围的像素12与修正像素12a之间的寄生电容引起的显示品质的下降。 关于该点，参照图4进行详细叙述。在图4中用标号A表示的像素是进行黑显示后的修正像素12a。该修正像素A的TFT的栅极电极属于栅极配线GL3。在图4中栅极配线GL1 5被从上向下扫描。 首先，在修正像素A的漏极部与栅极配线GL3短路(上述实施方式1那样的修正构造)的情况下，当栅极配线GL3变为断开(OFF)(即，低(Low)状态)之际，修正像素A的周围的像素B、 C、 D、 E中的各像素电极15，由于与修正像素A之间的寄生电容而受到影响，像素电极15的电位发生变化，结果存在显示品质下降的可能。 但是，因为修正像素A的下侧的像素E被接下来立即扫描并写入，所以该像素电极15的电位比较立即地回到正常值。另一方面，关于B、C、D的3个像素，其像素电极15的电位变为与通常时不同的值直到下次写入的定时为止，会对显示品质赋予影响。
但是，如本实施方式2那样，在修正像素A的漏极部与栅极配线GL2短路的情况下，当栅极配线GL2变为断开(OFF)之际(即，低(Low)状态)，修正像素A周围的像素B、C、D、E中的各像素电极15，由于与修正像素A之间的寄生电容而受到影响，显示品质会发生变化。但是，通过此后立即写入栅极配线GL3，像素C、 D、 E中的像素电极15的电位立即回到正常的电位。因此，与修正像素A的漏极部和栅极配线GL3短路(上述实施方式l那样的修正构造)的情况比较，能够提高修正像素A周围的显示品质。 因此，可以说在修正像素12a与其周围的像素12之间生成的寄生电容比较大的情况下，从提高显示品质的观点出发，本实施方式2的结构是有效的，如果上述寄生电容比较小并且是不成为问题那样的程度，则从提高开口率(即erture ratio)的观点出发，优选上述实施方式1的结构。
(发明的实施方式3) 图5表示本发明的实施方式3。图5是放大表示实施方式3中的修正像素的一部分的平面图。 在上述实施方式1中，在栅极配线13上形成有短路区域33，与此相对，在本实施方式3中，在TFT16的栅极电极17上形成有短路区域33。 SP，如图5所示，在像素12中，在TFT16的栅极电极17的前端延伸设置有短路区域33。短路区域33的、栅极配线13的长度方向的宽度变得比栅极电极17大。另一方面，漏极电极25的一部分以与短路区域33重叠的方式延长，与短路区域33相对。这样，在修正像素12a中，在上述短路区域33中形成有短路部35。 根据这样的结构，因为修正像素12a的漏极部19变为与栅极配线13相同的电位，所以在该修正像素12a中的像素电极15上施加有比较大的电压。由此，与上述实施方式1同样，能够在该修正像素12a中进行黑显示。 在制造本实施方式3的液晶显示装置1的情况下，在制造TFT基板10时，在与源极配线14相同的工序中，以一部分与短路区域33重叠的方式形成漏极电极25。其后，在修正工序中，使成为亮点缺陷的像素12中的漏极部19在短路区域33中与栅极配线13短路。能够利用激光来实现该短路。因此，即使根据实施方式3，也能够得到与上述实施方式1相同的效果。(发明的实施方式4) 图6表示本发明的实施方式4。图6是放大表示实施方式4中的修正像素的一部分的平面图。另外，在图6中，省略了辅助电容元件30的图示。 在上述实施方式1中，在栅极配线13上设置短路区域33，与此相对，在本实施方式4中，不设置这样的短路区域33。 S卩，在本实施方式4中，以使半导体层部20与栅极电极17b短路的方式形成有修
正像素12a中的短路部35。由此，使TFT16的漏极部19与栅极配线13短路。 根据这样的结构，由于修正像素12a的漏极部19经由栅极电极17的短路部35变
为与栅极配线13相同的电位，因此在该修正像素12a中的像素电极15上施加有比较大的
电压。由此，与上述实施方式1同样，能够在该修正像素12a中进行黑显示。 在制造本实施方式4的液晶显示装置1的情况下，在修正工序中，通过利用激光等
使成为亮点缺陷的像素12中的栅极电极17与半导体层部20短路，使漏极部19与栅极配线13短路。
因此，根据该实施方式4也能够得到与上述实施方式1同样的效果。优选本实施方式4在栅极电极17的宽度比较大的情况下等，能够提高开口率这一点。
(其它实施方式) 在上述实施方式1中，将第1切断部36配置在与源极配线14重叠的区域中，但是本发明不限定于此。即，也可以将第1切断部36配置在不与源极配线14重叠的区域中。此外，如像素的放大平面图即图7所示，也可以设置在与源极配线14相同的层形成的遮光层40，以与该遮光层40重叠的方式配置第1切断部36。在制造的情况下，在修正工序之前，在切断半导体层部20的区域中的与源极配线14相同的层形成遮光层40。其后，在修正工序中，在与上述遮光层40重叠的区域中，利用激光等切断半导体层部20从而形成第1切断部36。 由此，因为能够利用遮光层40遮断激光等，因此能够抑制由照射激光等引起的液晶层5的特性劣化。此外，上述遮光层40也可以与TFT16的漏极部19电连接。另一方面，遮光层40也可以呈岛状电浮置。 此外，在上述各实施方式中，对液晶显示装置l进行了说明，但是本发明不限于此，也能够同样地适用于有源矩阵型的其它显示装置。
工业上的可利用性 如以上说明了的那样，本发明对于通过使像素缺陷进行黑显示而对像素缺陷进行修正的显示装置及其制造方法是有用的。
1权利要求
一种显示装置的制造方法，其用于制造有源矩阵型显示装置，该有源矩阵型显示装置包括TFT，该TFT分别设置在多个像素中，具有半导体层部和栅极电极，该半导体层部包括源极部和漏极部；与所述TFT的源极部连接的源极配线；和与所述TFT的栅极电极连接的栅极配线，该显示装置的制造方法的特征在于包括通过使成为亮点缺陷的所述像素进行黑显示而对成为亮点缺陷的所述像素进行修正的修正工序，在所述修正工序中，使成为亮点缺陷的所述像素中的所述TFT的漏极部与所述栅极配线短路，并且，在成为亮点缺陷的所述像素中，以使所述源极配线与所述栅极配线电分离的方式，切断所述TFT的半导体层部。
2. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，使所述成为亮点缺陷的像素中的所述TFT的漏极部，与连接在与 该成为亮点缺陷的像素不同的像素的所述TFT上的栅极配线短路。
3. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，通过使所述半导体层部与所述TFT的栅极电极短路，使所述TFT的 漏极部与所述栅极配线短路。
4. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在所述像素中，用于使所述TFT的漏极部与所述栅极配线短路的短路区域延伸设置在 所述栅极配线或所述TFT的栅极电极上，在所述修正工序中，在所述短路区域中，使所述TFT的漏极部与所述栅极配线短路。
5. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，使在与所述源极配线相同的层形成并与所述漏极部连接的导电层 与所述栅极配线短路。
6. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于 在所述多个像素中，分别设置有用于维持该像素中的显示电位的辅助电容元件， 在所述修正工序中，在成为亮点缺陷的所述像素中，进一步使所述辅助电容元件与所述TFT的漏极部电分离。
7. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于 在所述修正工序中，在与所述源极配线重叠的区域切断所述半导体层部。
8. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，在不与所述源极配线重叠的区域切断所述半导体层部。
9. 根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在所述修正工序之前，在切断所述半导体层部的区域中的与所述源极配线相同的层形 成遮光层。
10. 根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于所述遮光层与所述TFT的漏极部电连接。
11. 根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于所述遮光层呈岛状电浮置。
12. —种显示装置，其是有源矩阵型显示装置，包括分别设置在多个像素中的TFT ;和与所述TFT连接的多根源极配线和栅极配线，该显示装置的特征在于所述多个像素的一部分是通过进行黑显示而被修正后的修正像素，包括 用于使所述TFT的漏极部与所述栅极配线短路的短路部；禾口以使所述源极配线与所述栅极配线电分离的方式，切断所述TFT的半导体层部而形成 的切断部。
13. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于所述修正像素中的所述TFT的漏极部，与连接在与该修正像素不同的像素的所述TFT 上的栅极配线短路。
14. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于所述短路部，通过使所述半导体层部与所述TFT的栅极电极短路，使所述TFT的漏极部 与所述栅极配线短路。
15. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于在所述像素中，用于使所述TFT的漏极部与所述栅极配线短路的短路区域延伸设置在 所述栅极配线或所述TFT的栅极电极上， 所述短路部形成在所述短路区域中。
16. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于所述短路部，使在与所述源极配线相同的层形成并与所述漏极部连接的导电层与所述 栅极配线短路。
17. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于在所述多个像素中，分别设置有用于维持该像素中的显示电位的辅助电容元件， 在所述修正像素中，所述辅助电容元件与所述TFT的漏极部进一步电分离。
18. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于 所述切断部配置在与所述源极配线重叠的区域。
19. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于 所述切断部配置在不与所述源极配线重叠的区域。
20. 根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于在形成有所述切断部的区域中，在与所述源极配线相同的层形成有遮光层。
21. 根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于 所述遮光层与所述TFT的漏极部电连接。
22. 根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于 所述遮光层呈岛状电浮置。
全文摘要
本发明提供一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括通过使成为亮点缺陷的像素进行黑显示而对成为亮点缺陷的像素进行修正的修正工序，在修正工序中，使成为亮点缺陷的像素中的TFT的漏极部与栅极配线短路，并且，在成为亮点缺陷的像素中，以使源极配线与栅极配线电分离的方式，切断TFT的半导体层部。
文档编号G02F1/1368GK101784949SQ20088010321
公开日2010年7月21日 申请日期2008年3月28日 优先权日2007年8月30日
发明者中岛睦, 吉田裕志 申请人:夏普株式会社