基于多周期标记的对准方法及装置的制作方法

专利名称：基于多周期标记的对准方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及ー种集成电路装备制造领域，尤其涉及一种适用于光刻设备的基于双光源多周期标记的对准方法及对准装置。
背景技术：
光刻装置是制造集成电路的主要设备，其作用是使不同的掩膜图案依次成像到基底(半导体硅片或IXD板)上的精确对准的位置。然而这个对准位置却因为连续图形所经历的物理和化学变化而改变，因此需要一个对准系统，以保证硅片对应掩膜的对准位置每次都能够被精确的对准。随着基底每单位表面积上的电子元件数量的增长以及电子元件的尺寸合成越来越小，对集成电路的精度要求日益提高，因此依次掩膜成像在基底上的位置必须越来越准确的固定，对光刻时对准精度的要求也越来越高。
美国专利US5243195公开了ー种对准系统其中提及ー种轴上对准方式，这种对准方式的优点在于掩膜和基底可以直接被对准，但其缺点在于难以改进到更高的精密度和准确度，而且各种エ艺步骤会引起对准标记变化，从而引入不对称性和基底光栅标记的沟槽有效深度的变化。这种现象导致エ艺检测不到光栅标记，或在其他情况下仅提供微弱的信号，对准系统稳定性降低。为了解决这个问题，中国专利CN03164858公开了ー种双波长对准系统，包括具有第一波长和第二波长的对准辐射源；具有第一波长通道和第二波长通道的检测系统，第一波长通道接收对准标记第一波长处的对准辐射，第二波长通道接收对准标记第二波长处的对准辐射；以及ー个定位単元，用以根据在第一波长处检测到的对准辐射相对于在第二波长处检测到的对准辐射的相对强度来确定对准标记的位置。从上述系统中，可以看出，该系统事实上是使用了两个独立的波长来照射和检测基底上的对准标记的位置，从而可以动态的选择对准激光，以取得更好的对准效果。但是，在现有的双波长激光測量系统中，由于标记或者硅片基底相对于參考光栅的旋转以及标记不均匀系数的共同作用，会导致在对准辐射接受过程中造成对准波形相位的失真，进而在定位单元导致计算获得的各级次对准位置的不准确，从而导致对准误差的产生，影响套刻准确度。为了避免上述现象的产生，需要对扫描获得各级次的波形进行相位矫正，以保证对准各级次位置的准确性。

发明内容
为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提供ー种光源多级次的对准系统，以及针对标记或者硅片基底旋转导致的波形相位失真的对准方法。为实现上述发明目的，本发明公开ー种基于多周期标记的对准方法，其特征在于利用多波长对准光源照射该多周期标记以获得各级次波形相位，对该多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正，利用校正后的各级次波形完成对准。更进一歩地，对该多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正包括修正后的各级次光的相位值=原始的各级次光的相位值土(硅片旋转值+标记旋转值)*标记參考光栅向量/各级次光的周期值土标记旋转值*扫描中心与期望位置的偏移值/各级次光的周期值；其中扫描中心与与期望位置的偏移值=O. 5* (标记扫描起始位置+标记扫描終止位置)-标记期望位置。更进一歩地，该多周期标记包括第一周期标记、第二周期标记和第三周期标记。更进ー步地，该扫描方向包括X方向和Y方向。更进ー步地,对该第一或第三周期标记X方向扫描的校正公式为phase = phase_m+ (Rz+Rm)*gd. y/pm+Rm*sco. y/pm ;其中Phase是校正后的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，Rz是硅 片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd. y是标记成像中心到标记參考光栅中心的Y向距离，Pm是第一或第三周期标记的周期值，sco. y是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，sco.y=O. 5* (WS_start_pos. y+WS_end_pos. y) -exp_pos. y, WS_start_pos. y 是第一或第三周期标记在Y方向的扫描起始位置，WS_end_pos. y是第一或第三周期标记在Y方向的扫描终止位置，exp_pos. y是第一或第三周期标记的期望位置。更进ー步地,对该第一或第三周期标记Y方向扫描的校正公式为phase = phase_m+ (Rz+Rm)*gd. x/pm_rm*sco. x/pm ;其中Phase是校正后的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，Rz是硅片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd. X是标记成像中心到标记參考光栅中心的X向距离，Pm是第一或第三周期标记的各级次光的周期值，sco. X是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，sco. x = 0. 5*(WS_start_pos. x+WS_end_pos. x)-exp_pos. x,WS_start_pos. x 是^!一或第三周期标记在X方向的扫描起始位置，WS_end_pos. x是第一或第三周期标记在X方向的扫描终止位置，exp_pos. X是第一或第三周期标记的期望位置。更进ー步地，对该第二周期标记X方向扫描的校正公式为phase =phase-(Rz+Rm)*gd. y/pm+rm*sco. y/pm ;其中Phase是校正后的第二周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第二周期标记的各级次光的波形相位，Rz是硅片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd. y是标记成像中心到标记參考光栅中心的Y向距离，pm是第ニ周期标记的各级次光的周期值，sco. y是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，sco. y =0. 5*(WS_start_pos. y+WS_end_pos. y)-exp_pos. y, WS_start_pos. y 是第二周期标记在 Y方向的扫描起始位置，WS_end_pos. y是第二周期标记在Y方向的扫描终止位置，exp_pos. y是第二周期标记的期望位置。更进ー步地，对该第二周期标记Y方向扫描的校正公式为phase = phase_m+(Rz+Rm)*gd. x/pm_rm*sco. x/pm ;其中Phase是校正后的第二周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第二周期标记的各级次光的波形相位,Rz是娃片旋转值,Rm是对准标记旋转值，gd. X是标记成像中心到标记參考光栅中心的X向距离，pm是第二周期标记的各级次光的周期值，sco. X是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，sco. x = 0. 5*(WS_start_pos. x+WS_end_pos. x)_exp_pos. x, WS_start_pos. x 是第二周期标记在 X 方向的扫描起始位置，WS_end_pos. X是第二周期标记在X方向的扫描终止位置，exp_pos. X是第二周期标记的期望位置。本发明同时公开一种基于多周期标记的对准装置，包括；多波长对准光源，用于照射该多周期标记；一探測器，用于获得各周期标记的各级次波形相位；还包括ー处理器，该处理器对多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正，利用校正后的各级次波形完成对准。更进一歩地，该多周期标记包括第一周期标记、第二周期标记和第三周期标记。
更进一歩地，该处理器对该多各级次波形相位的校正如下相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正包括修正后的各级次光的相位值=原始的各级次光的相位值土(硅片旋转值+标记旋转值)*标记參考光栅向量/各级次光的周期值土标记旋转值*扫描中心与期望位置的偏移值/各级次光的周期值；其中扫描中心与与期望位置的偏移值=O. 5* (标记扫描起始位置+标记扫描終止位置)-标记期望位置。更进一歩地，该多波长对准光源为红光激光和绿光激光。与现有技术相比较，本发明所提供的基于多周期标记的对准方法及装置能有效地校正实际工程中所出现的硅片或标记发生旋转时的误差，通过对扫描获得的标记各周期级次的波形进行相位校正，降低因标记或者硅片旋转产生的误差对实际对准位置的影响，保证各级次对准位置的准确性。


关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进ー步的了解。图I所示为已知技术的双光源多级次对准系统的示意图；图2所示为本发明所涉及的第一多周期对准标记的结构示意图；图3所示为本发明所涉及的第二多周期对准标记的结构示意图；图4是照射第一多周期对准标记后获得的原始波形相位图；图5是照射第二多周期对准标记后获得的原始波形相位图；图6是经校正后的第一多周期对准标记的波形相位图；图7是经校正后的第二多周期对准标记的波形相位图。
具体实施例方式下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。本发明对扫描获得的标记各周期级次的波形进行相位校正，降低因标记或者硅片旋转产生的误差对实际对准位置的影响，保证各级次对准位置的准确性。图I所示为已知技术的双光源多级次对准系统的示意图。如图I所示，双光源多级次对准系统包括光源模块11，12、參考光栅2、光纤13，23、棱镜14，24、偏振镜3、物镜4、标记5、级次光楔15，25、反射镜16，26、物镜17，27、像平面18，28以及探测器19、29。双光源多级次对准系统的具体工作原理对于本领域的普通技术人员来说是公知常识，在此不再赘述。图2、图3所示为本发明所涉及的对准标记的结构示意图。其中图2是三周期对准标记，该对准标记的周期为L > M > S。图3是双周期对准标记,该对准标记的周期为L >M0上述两种对准标记的具体工作原理对于本领域的普通技术人员来说是公知常识，在此不再赘述。图4、图5所示为本发明所涉及的对准标记所采集的波形示意图，其中图4是三周期对准标记经绿光波长照射后所获得的波形示意图，图5是双周期对准标记经绿光波长照射后所获得的波形示意图。本发明所提供的基予多波长对准系统和多周期标记的相位校正方法，先利用图I中所示的对准系统的光源11、12照射该多周期标记。其中该多周期标记既可以为图2、图3中所公开的多周期，也可以是其它的多周期标记。多周期标记的各级次光被探測器19、29捕获后，处理器获得各级次光的波形的相位。在该处理器中，对以获得的各周期各级次的波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行相位补正。进行相位补正时遵循以下补正算法 扫描中心与期望位置的偏移值=O. 5*(标记扫描起始位置+标记扫描终止位置)-标记期望位置；修正后的各级次光的相位值=原始的各级次光的相位值土(硅片旋转值+标记旋转值)*标记參考光栅向量/各级次光的周期值土标记旋转值*扫描中心与期望位置的偏移值/各级次光的周期值。进ー步的，将纠正方法公式化可得Rz :硅片旋转值；Rm :标记旋转；gd :标记參考光栅向量(即标记成像中心到标记參考光栅中心的X/Y向距离)；sco :扫描中心与期望位置的偏移值；pm :各级次光的周期值m(L_l, .........，G_l);phase_m :各级次光的相位值。公式描述如下sco. x = 0. 5* (WS_start_pos. x+WS_end_pos. x)_exp_pos. xsco. y = 0. 5* (WS_start_pos. y+WS_end_pos. y) -exp_pos. y根据标记的周期和扫描方向选择对应修正公式中周期X 向扫描M_X phase_m = phase_m_ (Rz+Rm) *gd. y/pm+rm*sco. y/pm ；大周期 X 向扫描L_X phase_m = phase_m+(Rz+Rm) *gd. y/pm+rm*sco. y/pm ；小周期X 向扫描S_X phase_m = phase_m+(Rz+Rm) *gd. y/pm+rm*sco. y/pm ；中周期Y 向扫描M_Y phase_m = phase_m_ (Rz+Rm) *gd. x/pm-rm*sco. x/pm ；大周期 Y 向扫描L_Y phase_m = phase_m+(Rz+Rm) *gd. x/pm-rm*sco. x/pm ；小周期Y 向扫描S_Y phase_m = phase_m+(Rz+Rm) *gd. x/pm-rm*sco. x/pm ；其中该X、Y方向为水平方向，WS_start_pos. x是各周期标记在X方向的扫描起始位置，WS_end_pos. x是各周期标记在X方向的扫描终止位置，WS_start_pos. y是各周期标记在Y方向的扫描起始位置，WS_end_pos. y是各周期标记在Y方向的扫描终止位置，exp_pos. X是各周期标记的期望位置。完成相位校正后，使用校正后的各周期各级次的相位进行最终对准位置计算。
以下将以多个实施例向结合的方式介绍本发明实施例一在本实施例中采用红色波长光源光源照明选择如图2所示的标记形式，进行水平向(X向扫描)，以期获得该方向的准确对准位置，经过图I的对准系统探测结构，可获得如图5所示的波形PL-l、PM-l、PM-2、PM-3、PM-4、PM-5、PM-6、PM-7，其中P表示各级次光信号的原始对准位置；L表示标记中较大尺寸的光栅周期，M表示标记中中等尺寸的光栅周期；阿拉伯数字表示对应周期通过对准系统所能获得的光信号的级次信息。各周期各级次周期存在放大或缩小状况。对各周期各级次光的原始相位进行相位修正，由于进行的是X向扫描，故扫描中心与期望位置的偏移值计算为sco. y = O. 5* (WS_start_pos. y+WS_end_pos. y) -exp_pos. y·
其中WS_start_pos表示标记扫描起始位置,WS_end_pos表示标记扫描终止位置，exp_pos标记期望位置。由于该标记由大中小周期组成，且沿水平向扫描，故可知大周期的相位修正为PL+new = Pl-!+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PL_!名；P1^new表不经过修正后的大周期对应的一级次光的相位，PL-I表不该大周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转；PL-1名表示大周期一级次光的波形的名义相位值。由于该标记由大中小周期组成，且沿水平向扫描，故可知中周期的相位修正为PM+new = PM-I (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/P^ 名;PM+new表示经过修正后的中周期对应的一级次光的相位,Pm-!表示该中周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转！Pjp1 表不中周期一级次光的波形的名义相位值。同理可获得中周期其它级次的相位修正值PM_2_new = PM_2- (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_2 名； PM_3_new = PM_3_ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_3 名;PM-4_new = PM_4_ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_4 名；PM-5_new = PM-5-(Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_5 名；PM_6_new = PM_6- (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_6 名；Pm十new = PM_7_ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_7 名；由于该标记由大中小周期组成，且沿水平向扫描，故可知小周期的相位修正为Ps+new = Ps-!+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/Ps_!名；Ps_!_new表示经过修正后的小周期对应的一级次光的相位,Ps-!表示该小周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转！Pf^1 表不小周期一级次光的波形的名义相位值。如图7所示，各周期各级次周期准确无放大或缩小。最后，应用各周期各级次修正后的相位，计算标记扫描的对准位置。实施例ニ在本实施例中采用红色波长光源照明选择如图2所示的标记形式，进行水平向(X向扫描)，以期获得该方向的准确对准位置，经过图I的对准系统探测结构，可获得如图4所示的波形Ρη'Ρμ-ρΡμ-ρΡμ-ρΡμ+ΡμιΡμ-ρΡμ-ρΡη，其中P表示各级次光信号的原始对准位置；L表示标记中较大尺寸的光栅周期，M表示标记中中等尺寸的光栅周期，S表示标记中较小尺寸的光栅周期；阿拉伯数字表示对应周期通过对准系统所能获得的光信号的级次信息。各周期各级次周期存在放大或缩小状况。对各周期各级次光的原始相位进行相位修正，由于进行的是X向扫描，故扫描中心与期望位置的偏移值计算为sco. y = O. 5* (WS_start_pos. y+WS_end_pos. y) -exp_pos. y其中WS_start_pos表示标记扫描起始位置,WS_end_pos表示标记扫描终止位置，exp_pos标记期望位置。由于该标记由大中周期组成，且沿水平向扫描，故可知大周期的相位修正为
PL+new = Pl-!+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PL_!名；PL_!_new表示经过修正后的大周期对应的一级次光的相位,Pl-!表示该大周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转；Pレ:表不大周期一级次光的波形的名义相位值。由于该标记由大中周期组成，且沿水平向扫描，故可知中周期的相位修正为PM+new = P1-!+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/P^ 名；PM+n 表示经过修正后的中周期对应的一级次光的相位,Psh表示该中周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转！Pjp1 表不中周期一级次光的波形的名义相位值。如图6所示，各周期各级次周期准确无放大或缩小。同理可获得中周期其它级次的相位修正值PM_2_new = PM_2+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_2 名；PM_3_new = PM_3+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_3 名;PM-4_new = PM_4+(Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_4 名；PM-5_new = PM-5+(Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_5 名；PM_6_new = PM_6+ (Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_6 名；PM-7_new = PM_7+(Rz+Rm) *gd. y/pm+Rm*sco. y/PM_7 名；最后，应用各周期各级次修正后的相位，计算标记扫描的对准位置。实施例三在本实施例中采用红色波长光源光源照明选择如图2所示的标记形式，进行垂向(Y向扫描)，以期获得该方向的准确对准位置，经过图I的对准系统探测结构，可获得如图4所示的波形Pm、Pm、PM-2、PM-3、P -4>PM-5>PM-6>PM-7>し，其中P表示各级次光信号的原始对准位置；L表示标记中较大尺寸的光栅周期,M表示标记中中等尺寸的光栅周期,S表示标记中较小尺寸的光栅周期；阿拉伯数字表示对应周期通过对准系统所能获得的光信号的级次信息。各周期各级次周期存在放大或缩小状況。进ー步的，对各周期各级次光的原始相位进行相位修正，由于进行的是X向扫描，故扫描中心与期望位置的偏移值计算为sco. x = 0. 5* (WS_start_pos. x+WS_end_pos. x)_exp_pos. x其中WS_start_pos表示标记扫描起始位置,WS_end_pos表示标记扫描终止位置，exp_pos标记期望位置。
由于该标记由大中周期组成，且沿水平向扫描，故可知大周期的相位修正为PL+new = Pl-!+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/Ph 名；PL_!_new表不经过修正后的大周期对应的一级次光的相位，Pl-!表不该大周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转；Pレ:表不大周期一级次光的波形的名义相位值。由于该标记由大中周期组成，且沿水平向扫描，故可知中周期的相位修正为PM+new = PM-「(Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/P^ 名；PM+n 表示经过修正后的中周期对应的一级次光的相位,Psh表示该中周期对应的一级次光的原始波形相位；Rz :娃片旋转值；Rm :标记旋转！Pjp1 表不中周期一级次光的波形的名义相位值。如图6所示，各周期各级次周期准确无放大或缩小。
同理可获得中周期其它级次的相位修正值PM-2-new = PM-2+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/PM_2 名；PM-3-new = PM-3+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/PM_3 名；PM-4_new = PM-4+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/PM_4 名；PM-5_new = PM-5+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/PM_5 名；PM-6_new = PM-6+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/PM_6 名；Pm十new = PM-7+ (Rz+Rm) *gd. x/pm_Rm*sco· x/PM_7 名；最后，应用各周期各级次修正后的相位，计算标记扫描的对准位置。本发明所提供的对准方法及对准装置通过对扫描获得的标记各周期级次的波形进行相位校正，降低因标记或者硅片旋转产生的误差对实际对准位置的影响，保证各级次对准位置的准确性。本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。
权利要求
1.一种基于多周期标记的对准方法，其特征在于利用多波长对准光源照射所述多周期标记以获得各级次波形相位，对所述多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正，利用校正后的各级次波形完成对准。
2.如权利要求I所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在干，对所述多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正包括 修正后的各级次光的相位值=原始的各级次光的相位值土(硅片旋转值+标记旋转值)*标记參考光栅向量/各级次光的周期值土标记旋转值*扫描中心与期望位置的偏移值/各级次光的周期值； 其中扫描中心与与期望位置的偏移值=O. 5*(标记扫描起始位置+标记扫描終止位置)-标记期望位置。
3.如权利要求2所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在于，所述多周期标记包括第一周期标记、第二周期标记和第三周期标记。
4.如权利要求3所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在于，所述扫描方向包括X方向和Y方向。
5.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在干，对所述第一或第三周期标记X方向扫描的校正公式为phase = phase_m+ (Rz+Rm)*gd. y/pm+Rm*sco. y/pm ;其中Phase是校正后的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，Rz是硅片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd.y是标记成像中心到标记參考光栅中心的Y向距离，Pm是第一或第三周期标记的周期值，SCO. y是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，SCO. y = O. 5*(WS_start_pos. y+WS_end_pos. y)-exp_pos. y,WS_start_pos. y是第一或第三周期标记在Y方向的扫描起始位置，WS_end_p0S. y是第一或第三周期标记在Y方向的扫描终止位置，eXp_p0S. y是第一或第三周期标记的期望位置。
6.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在干，对所述第一或第三周期标记Y方向扫描的校正公式为phase = phase_m+ (Rz+Rm)*gd. x/pm-rm*sco. x/pm ;其中Phase是校正后的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位，Rz是硅片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd.x是标记成像中心到标记參考光栅中心的X向距离，Pm是第一或第三周期标记的各级次光的周期值，SCO. X是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，SCO. x = 0. 5*(WS_start_pos. x+WS_end_pos. x)-exp_pos. x, WS_start_pos. x是第一或第三周期标记在X方向的扫描起始位置,WS_end_pos. x是第一或第三周期标记在X方向的扫描终止位置,exp_pos. x是第一或第三周期标记的期望位置。
7.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在干，对所述第二周期标记 X 方向扫描的校正公式为phase = phase-(Rz+Rm)*gd. y/pm+rm*sco. y/pm ;其中 Phase是校正后的第二周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第二周期标记的各级次光的波形相位，Rz是娃片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd. y是标记成像中心到标记參考光栅中心的Y向距离，Pm是第二周期标记的各级次光的周期值，SCO. y是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，sco. y = O. 5* (WS_start_pos. y+WS_end_pos. y) -exp_pos. y, WS_start_pos. y是第二周期标记在Y方向的扫描起始位置，WS_end_pos. y是第二周期标记在Y方向的扫描终止位置，exp_pos. y是第二周期标记的期望位置。
8.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法，其特征在干，对所述第二周期标记 Y 方向扫描的校正公式为phase = phase_m+ (Rz+Rm)*gd. x/pm_rm*sco. x/pm ;其中Phase是校正后的第二周期标记的各级次光的波形相位，phase_m是校正前的第二周期标记的各级次光的波形相位，Rz是娃片旋转值，Rm是对准标记旋转值，gd. X是标记成像中心到标记參考光栅中心的X向距离，Pm是第二周期标记的各级次光的周期值，sco. X是扫描中心与期望位置的偏移值；其中，sco. x = 0. 5*(WS_start_pos. x+WS_end_pos. x)_exp_pos.x,WS_start_pos. x是第二周期标记在X方向的扫描起始位置，WS_end_pos. x是第二周期标记在X方向的扫描终止位置，exp_pos. X是第二周期标记的期望位置。
9.一种基于多周期标记的对准装置，包括； 多波长对准光源，用于照射所述多周期标记； 一探測器，用于获得各周期标记的各级次波形相位； 其特征在于，还包括ー处理器，所述处理器对多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正，利用校正后的各级次波形完成对准。
10.如权利要求9所述的对准装置，其特征在干，所述多周期标记包括第一周期标记、第二周期标记和第三周期标记。
11.如权利要求10所述的对准装置，其特征在于，所述处理器对所述多各级次波形相位的校正如下相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正包括修正后的各级次光的相位值=原始的各级次光的相位值土(硅片旋转值+标记旋转值)*标记參考光栅向量/各级次光的周期值土标记旋转值*扫描中心与期望位置的偏移值/各级次光的周期值； 其中扫描中心与与期望位置的偏移值=O. 5*(标记扫描起始位置+标记扫描終止位置)-标记期望位置。
12.如权利要求10所述的对准装置，其特征在于，所述多波长对准光源为红光激光和绿光激光。
全文摘要
本发明提供一种基于多周期标记的对准方法，包括利用多波长对准光源照射所述多周期标记以获得各级次波形相位，对所述多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正，以修正因标记旋转或者硅片旋转导致的各级次波形相位失真的情况，利用校正后的各级次波形完成对准。
文档编号G03F9/00GK102841515SQ20111016870
公开日2012年12月26日 申请日期2011年6月22日 优先权日2011年6月22日
发明者韩悦 申请人:上海微电子装备有限公司