布线结构以及具备布线结构的显示装置的制作方法

专利名称：布线结构以及具备布线结构的显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层的布线结构、以及具备该布线结构的显示装置，其中该布线结构中的该半导体层通过由氧化物半导体构成的氧化物半导体层构成。本发明的布线结构，被代表性地用于例如液晶显示器(液晶显示装置)或有机EL显示器等平板显示器中。以下，以液晶显示装置为代表进行说明，但并非旨在限定于此。
背景技术：
从小型的便携式电话至超过30英寸的大型电视机被使用于各个领域的液晶显示装置，由如下部件构成即，将薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下称作“TFT”)作为开关元件，构成像素电极的透明导电膜(氧化物导电膜)；栅极布线以及源极-漏极布线等的布线部；具备非晶硅(a-Si)或多晶硅(p-Si)等Si半导体层的TFT基板；相对TFT基板以规定的间隔对置配置，且具备公共电极的对置基板；以及填充在TFT基板与对置基板之间的液晶层。当前，对于液晶用TFT的半导体层，如上所述，多采用a-Si。但是，下一代显示器中，追求大型/高清晰度/高速驱动，由于现有的a-Si中载流子迁移度低，因此无法满足该规格要求。因而，近年来，氧化物半导体被关注。氧化物半导体与a-Si相比较，具有更高的载流子迁移度。进一步，氧化物半导体，由于通过溅射法能够以低温形成大面积，故而还能够使用耐热性低的树脂基板等，其结果是，可实现可挠性显示器。作为将这样的氧化物半导体用于半导体设备的例子，例如专利文献1，采用氧化锌 (ZnO)、氧化镉(CdO)、在氧化锌(ZnO)中添加了 IIB元素、IIA元素或VIB元素的化合物、或者其混合物中的任一种，采用掺杂了 3d过渡金属元素、或稀土类元素、或者不丧失透明半导体的透明性而变成高电阻的杂质后的物质。在氧化物半导体当中，包含从由h、Ga、ai、Sn 组成的群中选择的至少1种以上的元素的氧化物(IGZ0、ΖΤ0, ΙΖΟ、ΙΤ0, ZnO, AZTO、GZT0)， 由于具有非常高的载流子迁移度，因此优选采用。然而，以液晶显示装置等为代表的显示装置中，作为栅极布线和源极-漏极布线等的布线材料，多采用电阻比较小、容易进行精细加工的纯A1或A I-N d等的A 1系合金。但是，随着显示装置的大型化以及高画质化的推进，因布线电阻大而引起的信号延迟以及电力损失这样的问题在显著化。因此，作为布线材料，电阻比Al更低的铜(Cu)被关注。Al薄膜的电阻率为3.0Χ10_6Ω ^m,相比之下，Cu 薄膜的电阻率低至2. 0Χ10_6Ω · cm。但是，Cu与玻璃基板或在玻璃基板上成膜的绝缘膜(栅极绝缘膜等)之间的密接性低，存在会剥離的问题。并且，由于Cu与玻璃基板等之间的密接性低，故而难以进行用于加工成布线形状的湿蚀刻或干蚀刻这样的问题。因此，用于使Cu与玻璃基板之间的密接性提高的各种技术被提出。例如，专利文献2 4公开了一种使Cu布线与玻璃基板之间介入钼(Mo)或铬(Cr)等高熔点金属层以实现密接性的提高的技术。但是，这些技术中，对高熔点金属层进行成膜的工序増加，显示装置的制造成本増大。进而，由于使Cu和高熔点金属(Mo等)这样的异种金属进行层叠，因此在湿蚀刻时有可能在Cu与高熔点金属之间的界面产生腐蚀。并且， 由于这些异种金属中在蚀刻速率上会产生差异，因此会产生无法将布线剖面形成所期望的形状(例如锥角为45 60°左右的形状)的问题。进而，高熔点金属、例如Cr的电阻率 (约15Χ10_6Ω - cm)比Cu高，因布线电阻而导致的信号延迟和电力损失会成为问题。另一方面，若着眼于具备氧化物半导体层的TFT基板的布线结构，则当前作为TFT 的结构，广泛应用了图3所示的布线结构(以下，为了方便说明，有时称作现有结构)。图3 中，从基板侧依次构成栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体膜、以及源-漏电极，在IGZO的上层形成源-漏电极等金属电极。上述专利文献1所记载的半导体设备，也具备该现有结构。 图3中虽然示出栅电极位于下侧的“基底栅极(bottom gate)型”的例子，但也包含栅电极位于上侧的“顶部栅极(top gate)型”。另外，在采用氧化物半导体的情况下，作为栅极绝缘膜，多采用的不是氮化硅膜而是氧化硅或氮氧化硅。氧化物半导体由于在还原气氛下会失去其优良的特性，因此推荐使用可在氧化性气氛下成膜的氧化硅(氮氧化硅)。但是，采用IGZO等氧化物半导体的现有结构的TFT基板，存在如下问题。第1，在采用酸系的蚀刻液等对在IGZO的上层形成的源-漏电极等金属电极(Cu系布线材料)进行湿蚀刻以形成布线图案时，由于不存在IGZO与Cu系布线材料之间的蚀刻选择比(换言之，仅选择性地蚀刻上层的Cu系布线材料，而不蚀刻至下层的IGZO为止这样的蚀刻选择性小)，故而会存在因蚀刻导致连下面的IGZO都会受到损害的问题。作为其对策，例如提出了在IGZO的沟道层上设置阻蚀刻层作为保护层的方式，但工序复杂，会导致生产成本的增力口。第2，在上述的现有结构中，当受到约250°C以上的受热历程时，会存在源漏电极与氧化物半导体之间的触点电阻上升的问题。关于这一点，虽然若Ti等高熔点金属介入则能抑制触点电阻的上升，但如上所述，就成本或生产性的观点来看，强烈期盼将高熔点金属(隔离金属层)省去。另外，Ti虽然是通过采用等离子的干蚀刻来被成膜的，但对于Cu这样的难以进行干蚀刻的布线材料，难以应用。 因此，最近，提出了一种氧化物半导体膜和源-漏电极的顺序与图3的现有结构相反的、图1或图2所示的布线结构(为了与图3的现有结构进行区别，有时为方便说明将其称作本发明结构)(例如，非专利文献1)。其具有从基板侧起依次形成栅电极、栅极绝缘膜、 源-漏电极、以及氧化物半导体膜的结构。如图1或图2所示，氧化物半导体和构成像素电极的透明导电膜(图中的ΙΤ0)，位于与构成源极-漏极的布线材料大致相同的平面上。在图1或图2中，虽然示出了栅电极位于下侧的“基底栅极型”的例子，但与上述的图3所示的现有结构同样，也包含栅电极位于上侧的“顶部栅极型”。 人们认为如果采用图1或图2所示的本发明结构，能够解决上述的图3的现有结构所存在的问题。然而，在本发明结构中，在将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)和纯Cu等异种材料重叠的情况下，由于与氧化物半导体之间的触点电阻有可能不同，因此存在不容易决定有效沟道长的问题。即、在使Ti或Mo等高熔点金属介入纯Cu的上下的情况下，当Ti或Mo与氧化物半导体之间的触点电阻比与纯Cu之间的值大时，或者其相反的情况时，存在很难决定要将源漏电极与IGZO之间流动的电流中的哪个决定为有效沟道长的问题。另外，在上述非专利文献1中，虽然公开了采用Al作为源极-漏极布线的布线材料，并使其上下介入Ti的布线结构，但关于采用电阻率比Al低的Cu作为布线材料的本发明结构，至此都没有公开过。然而，在采用以IGZO等为代表的氧化物半导体的TFT基板中，作为栅极布线或源极-漏极布线等的布线材料，主要使用Mo或Ti单层、或者在纯Al或Al-Nd等的Al合金 (以下，有时将其统一称作“Al系合金”)之上以及/或者之下介入Ti或Mo等高熔点金属 (隔离金属层)的叠层材料。Al系合金因电阻小、容易进行精细加工等理由而被采用。另夕卜，布线材料中使用高熔点金属的主要理由在于，因为Al非常容易氧化，若将Al系合金布线直接与氧化物半导体层进行连接，则因在液晶显示器的成膜过程中产生的氧或在成膜时添加的氧等会在Al系合金布线与氧化物半导体层之间的界面生成高电阻的Al氧化物的绝缘层，与氧化物半导体层之间的连接电阻(触点电阻)会上升，画面的显示品质会降低。然而，高熔点金属的使用，由于会导致成本的增加或生产性的降低，因此若考虑液晶显示器的大量生产，则期望将高熔点金属省去。即，将隔离金属层省去，即使将Al系合金化布线与氧化物半导体层直接进行连接，也会期望提供一种可实现触点电阻的降低的新的布线材料。另一方面，若着眼于具备氧化物半导体层的TFT基板的布线结构，则当前，作为 TFT的结构，广泛应用图5所示的布线结构(以下，为了便于说明，有时将其称作现有结构)。在图5中，从基板侧起依次形成栅电极、栅极绝缘膜、半导体膜、以及源-漏电极。图 5中虽然示出了栅电极位于下侧的「基底栅极型」的例子，但也包含栅电极处于上侧的「顶部栅极型」。另外，在采用氧化物半导体的情况下，作为栅极绝缘膜，多采用的不是SiN膜而是Si02或SiON。氧化物半导体，由于在还原气氛下会丧失其优良的特性，因此推荐可在氧化性气氛下成膜的Si02 (SiON)。但是，采用IGZO等氧化物半导体的现有结构的TFT基板，存在如下问题。第1，在采用酸系蚀刻液等对在IGZO的上层形成的源-漏电极等金属电极(Al系布线材料)进行湿蚀刻以形成布线图案时，由于不存在IGZO与Al系布线材料之间的蚀刻选择比(换言之， 仅选择性地选择上层的Al系布线材料，而不蚀刻至下层IGZO这样的蚀刻选择性小)，因此会存在因蚀刻而导致连下层的IGZO都受到损害的问题。作为其对策，例如，在IGZO的沟道层上设置阻蚀刻层作为保护层的方法，但工序复杂，会导致生产成本的增加。第2，在上述现有结构中，当受到大约250°C以上的受热历程时，会存在源漏电极与氧化物半导体之间的触点电阻会上升的问题。关于这点，虽然若使Ti等高熔点金属介入会抑制触点电阻的上升， 但如上所述，就成本或生产性的观点来看，会强烈期望将高熔点金属(隔离金属层)省去。 另外，Ti虽然是通过采用等离子的干蚀刻来被成膜的，但对于Cu这样的难以进行干蚀刻的布线材料，难以应用。因此，最近一种氧化物半导体膜与源-漏电极的顺序与图5的现有结构相反的、 如图4所示的布线结构(为了区别于图5的现有结构，有时为了方便说明会将其称作本发明结构)被提出。该结构具有从基板侧起依次形成栅电极、栅极绝缘膜、源-漏电极、以及氧化物半导体膜的结构。如图4所示，氧化物半导体和构成像素电极的透明导电膜(图中、 ΙΤ0)，与构成源极-漏极的布线材料位于大致同一平面上。图4表示栅电极位于下侧的“基底栅极型”的例子，与上述的图5所示的现有结构同样，还包含栅电极位于上侧的“顶部栅极型”。人们会认为如果采用图4所示的本发明结构，则能够消除上述的图5的现有结构所存在的问题点。然而，在本发明结构中，若将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)介入无法直接进行纯Al等与氧化物半导体之间的接触的材料，则会存在无法决定有效沟道长的问题。即，在使Ti或Mo等高熔点金属介入纯Al的上/下的情况下，由于无法对纯Al与 IGZO之间进行电连接，因此存在难以容易地决定要将在源漏电极与IGZO之间流动的电流 (例如，上侧和下侧)的哪个决定为有效沟道长的问题。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1 日本特开2002-76356号公报专利文献2 日本特开平7-66423号公报专利文献3 日本特开平8-8498号公报专利文献4 日本特开平8-138461号公报(非专利文献)非专利文献1 2009 年 7 月 1-3 日，Takeshi Osada 等，「Development of Driver-Integrated Panael using Amorphous In-Ga-Zn-Oxide TFT J, THE PROCEEDING 0FAM-FPD，09，第 9 页第 33-36 行。(发明概要)(发明要解决的技术问题)因此，强烈期望提供一种具备Cu合金膜的布线结构，其中该Cu合金膜是在图1所示的布线结构中可应用的新的Cu合金膜，且即使在将隔离金属层省去后，将Cu合金膜直接与基板以及/或者由在基板上设置的氧化硅或氮氧化硅等构成的绝缘膜直接进行电连接， 二者之间的密接性也会优良，而且该Cu合金膜能维持作为Cu系材料的特征的低电阻、和与氧化物半导体层以及/或者构成像素电极的透明导电膜之间的低触点电阻。另外，强烈期望提供一种具备Al合金膜的布线结构，其中该Al合金膜是在如图4 所示的本发明结构中可应用的新的Al合金膜，且即使在将隔离金属层省去后，将该Al合金膜与氧化物半导体层直接进行连接，也能将触点电阻抑制得较低。

发明内容
本发明正是鉴于上述状况而作，其第1目的在于，提供一种布线结构以及具备该布线结构的显示装置，其中该布线结构从基板侧起依次具备绝缘膜、Cu合金膜、和薄膜晶体管的氧化物半导体层，且具有新的显示装置用Cu合金膜，在该新的显示装置用Cu合金膜中将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)省去后即使将Cu合金膜与基板以及/或者绝缘膜直接电连接，彼此之间的密接性也会优良，且能够实现Cu系材料的特征、即低电阻以及低的触点电阻(与氧化物半导体层以及/或者构成像素电极的透明导电膜之间的接触电阻)。第2目的在于，提供一种新的布线结构以及具备该布线结构的显示装置，该新的布线结构中，在薄膜晶体管的氧化物半导体层下形成构成源-漏电极等金属电极的膜，尤其能够再现性良好且可靠地实现与氧化物半导体层之间的低电阻。第3目的在于，提供一种具备新的显示装置用Al合金膜的布线结构、以及具备该布线结构的显示装置，该布线结构从基板侧起依次具有Al合金膜、以及与该Al合金膜连接的薄膜晶体管的氧化物半导体层，将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)省去后，即使将Al合金膜与氧化物半导体层直接连接，也能够实现低触点电阻。(用于解决课题的技术手段)本发明包含如下技术方案。(1) 一种布线结构，其在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，且上述半导体层由氧化物半导体构成。(2)根据技术方案1所述的布线结构，其中，上述布线膜，在与上述半导体层直接连接的同一平面上、且与构成像素电极的透明导电膜直接连接。(3)根据技术方案1或2所述的布线结构，其中，上述布线膜是包含Ni以及Co中的至少一种的Al合金膜，且与上述半导体层直接连接。(4)根据技术方案3所述的布线结构，其中，上述Al合金膜含有0. 10 2原子％的Ni以及Co中的至少一种。(5)根据技术方案3或4所述的布线结构，其中，Ni以及Co中的至少一种的一部分在上述Al合金膜与上述半导体层之间的界面， 发生了析出以及/或者浓化。(6)根据技术方案3 5中任一项所述的布线结构，其中，上述Al合金膜进一步包含0. 05 2原子％的Cu以及Ge中的至少一种。(7)根据技术方案3 6中任一项所述的布线结构，其中，上述Al合金膜进一步包含0. 05 1原子％的稀土类元素。(8)根据技术方案3 7中任一项所述的布线结构，其中，在与上述半导体层直接连接的上述Al合金膜的表面，形成有最大高度粗度Rz为 5nm以上的凹凸。(9)根据技术方案1或2所述的布线结构，其特征在于，在上述布线膜与基板之间具备绝缘膜。(10)根据技术方案9所述的布线结构，其特征在于，上述布线膜是Cu合金膜，上述布线结构具有包含第一层(Y)和第二层(X)的叠层结构，其中上述第一层(Y)，由包含总计2 20原子％的从由Si、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、 以及Mn组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金构成；上述第二层由纯Cu、或者以Cu为主要成分的Cu合金、即电阻率比上述第一层(Y)更低的纯Cu或者Cu合金构成，上述第一层(Y)与上述基板以及上述绝缘膜中的至少一个直接连接，上述第二层(X)与上述半导体层直接连接。(11)根据技术方案10所述的布线结构，其中，上述第一层⑴的膜厚为IOnm以上、IOOnm以下，且相对于Cu合金膜整体膜厚为 60%以下。(12)根据技术方案10或11所述的布线结构，其中，一部分Mn在上述基板以及上述绝缘膜中的至少一个与上述Cu合金膜之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。(13)根据技术方案9所述的布线结构，其中，
上述布线膜是含有从由Mn、Ni、Si、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金膜，且与上述基板以及上述绝缘膜中的至少一个、以及上述半导体层
直接连接。(14)根据技术方案13所述的布线结构，其中，上述Cu合金膜含有0. 5 10原子％的从由Mn、Ni、Zn、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb 组成的群中选择的至少1种元素。(15)根据技术方案13所述的布线结构，其中，上述Cu合金膜至少含有0. 5原子％以上的Mn，且含有0. 3原子％以上的从由B、 Ag、C、W、Ca、以及Mg组成的群中选择的至少1种元素。(16)根据技术方案13 15中的任一项所述的布线结构，其中，一部分Mn在上述基板以及上述绝缘膜中的至少一个与上述Cu合金膜之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。(17)根据技术方案9所述的布线结构，其中，上述布线膜是Cu膜。(18)根据技术方案1 17中的任一项所述的布线结构，其特征在于，上述氧化物半导体由含有从由h、Ga、ai、Ti、以及Sn组成的群中选择的至少1种元素的氧化物构成。(19) 一种显示装置，具备技术方案1 18中的任一项所述的布线结构。(发明的效果)根据本发明，能够提供一种从基板侧起依次具备主要由氧化硅或氮氧化硅等构成的绝缘膜、Cu合金膜、以及薄膜晶体管的氧化物半导体层的布线结构，该布线结构中，即使将Cu合金膜与基板以及/或者绝缘膜直接连接，彼此之间的密接性也优良，并且，能够实现Cu系材料的特征即低电阻、和与氧化物半导体层以及/或者构成像素电极的透明导电膜之间的低触点电阻。根据本发明，由于能够将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)省去， 因此能够解决图3所示的现有的布线结构所存在的问题(无法决定有效沟道长等)。另外，由于本发明的布线结构是如上述方式构成的，因此能够再现性良好且可靠地确保C u膜与在其之上形成的氧化物半导体层之间的低触点电阻。另外，根据本发明，能够提供一种从基板侧起依次具备Al合金膜、和与该Al合金膜连接的薄膜晶体管的氧化物半导体层的布线结构，在该布线结构中，即使将Al合金膜与氧化物半导体层直接连接也能够实现低触点电阻。根据本发明，由于能够将Ti或Mo等的高熔点金属(隔离金属层)省去，因此能够解决图5所示的布线结构所存在的問題点(无法决定有效沟道长等)


图1是表示本发明的代表性的布线结构的概略剖面说明图。图2是表示本发明的代表性的布线结构的概略剖面说明图。图3是表示现有的布线结构的概略剖面说明图。图4是表示本发明的代表性的布线结构的概略剖面说明图。图5是表示现有的布线结构的概略剖面说明图。
图6是在C u合金膜与玻璃基板之间的界面附近的剖面TEM图像。图7是图6的部分放大图像。图8是表示根据剖面TEM图像分析了 EDX线的结果的曲线图。图9是表示在实施例中与ITO或IZO之间的触点电阻率的测量中所采用的电极图案的图。图10是表示在实施例中与IGZO或ZTO之间的触点电阻率的测量所采用的电极图案的图。图11是表1的N ο. 46的TEM图像。图12是为了比较而制作的试样的TEM图像。图13是关于表7的N ο. 4 (热处理温度350°C )在热处理后的TEM照片(放大倍率为150万倍)。
具体实施例方式本发明人，发现通过采用在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层的布线结构，即上述半导体层由氧化物半导体构成的布线结构，便能实现所期望的目的。作为本发明优选的第一实施方式，可列举上述布线膜是包含Ni以及Co中的至少一种的Al合金，且与上述半导体层直接进行连接的布线结构。这起因于如下本发明人为了提供一种具备新的显示装置用Al合金膜(以下，有时将其称作直接接触用Al合金膜)的布线结构而反复研究后的结果是，发现如果采用包含Ni以及/或者Co在内的Al合金膜， 则能实现所期望的目的，上述新的显示装置用Al合金膜，可应用于采用IGZO等的氧化物半导体作为TFT的半导体层的、如图4所示的结构(从基板侧起依次具备Al合金膜、和与Al 合金膜连接的薄膜晶体管的氧化物半导体层的布线结构)，且将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)省去后，即使将Al合金膜与氧化物半导体层直接进行连接，也能够实现低触点电阻。上述Al合金膜，优选直接与构成像素电极的透明导电膜(作为代表，有ITO或IZO 等)直接进行连接(参照图4)。另外，适合采用以触点电阻的进一步的降低为目标而进一步包含Cu以及/或者Ge的Al合金膜、或以耐热性的提高为目标而进一步包含稀土类元素 (作为代表，有Nd、La、Gd中的至少一种)的Al合金膜。另外，为了形成被认为有利于低触点电阻的实现的Ni以及/或者Co的析出物或浓化层，关于与氧化物半导体层直接连接的上述Al合金膜的表面(进而与透明导电膜直接连接的上述Al合金膜的表面)，优选其最大高度粗度Rz为5nm以上。为了得到这样的Ni以及/或者Co的析出物或浓化层，将Al合金成膜时的基板温度(以下有时称作成膜温度)的控制(约200°C以上的加热处理)、以及 /或者Al成膜后的加热处理(约200°C以上的加热处理)、以及规定的碱处理进行适当组合来进行是有效的。例如，可列举(1)将成膜时的基板温度提高至约200°C以上来进行加热处理，并进行规定的碱处理后，对氧化物半导体膜进行成膜(这种情况下，成膜后的加热处理并非必须，可以进行也可以不进行)的方法；或者(II)不论基板温度如何(既可以不进行加热而将基板温度保持在室温不变，也可以加热至例如200°C以上)，都以约200°C以上的温度进行Al合金成膜后的加热处理，并进行规定的碱处理后对氧化物半导体膜进行成膜的方法等。以下，参照上述的图4，对本发明的优选的第1实施方式的布线结构以及其制造方法的优选实施方式进行说明，但本发明并非局限于此。另外，在图4中，虽然示出了基底栅极型的例子，但并非局限于此，还包含顶部栅极型。另外，在图4中，作为氧化物半导体层的代表例，虽然采用IGZ0，但并非局限于此，还可以全部采用液晶显示装置等的显示装置中所采用的氧化物半导体。图4所示的TFT基板，具有从基板侧起依次层叠了栅电极(在图中为Al合金)、栅极绝缘膜(在图中为Sit)》、源电极·漏电极(在图中为Al合金，详细情况后述)、沟道层 (氧化物半导体层、在图中为IGZ0)、和保护层(在图中Si02)的布线结构(基底栅极型)。 在此，图4的保护层可以是SiON，同样地，栅极绝缘膜也可以是SiON。这是因为由于氧化物半导体在还原气氛下其优良的特性会劣化，因此推荐使用在氧化性气氛下进行成膜的硅氧化膜(Sit)》或氮氧化硅膜(SiON)。或者，保护层或者栅极绝缘膜中的任一方也可以是SiN。然后，本发明的优选第一实施方式的特徵部分在于，采用含有Ni以及/或者Co的 Al合金作为上述Al合金。通过添加Ni以及/或者Co，从而能够降低构成源电极以及/或者漏电极的Al合金膜与氧化物半导体层之间的接触电阻(触点电阻)。S卩，上述Al合金作为直接接触用Al合金是非常有用的。Ni以及Co，可以单独包含其中一方，也可以包含双方。为了充分发挥这样的効果，优选使上述元素的含量(当单独包含Ni、Co中的一种时，为单独一种的含量，当含有双方时，为双方的总量)大约为0. 10原子％以上。关于触点电阻的降低作用，只要上述元素的含量为固定量即可(因为如果添加至固定量以上，则触点电阻会饱和)，更优选为0. 2原子％以上，进一步优选为0. 5原子％以上。另一方面，如果上述元素的含量过多，则由于有可能Al合金膜的电阻率会上升，因此优选将其上限设为 2原子％，进一步优选为1原子％。本发明的优选第一实施方式所采用的Al合金膜，如上所述，含有Ni以及/或者 Co，余部是Al以及不可避免的杂质。上述A 1合金膜中，进一步含有0.05 2原子％的Cu以及/或者Ge。这些是有助于触点电阻的进一步降低的元素，可以单独添加一种，也可以并用双方。为了充分发挥这样的効果，而优选上述元素的含量(当含有Cu、Ge中的一种时，为单独一种的含量，当含有双方时，为双方的总量)为大约0.05原子％以上。关于触点电阻的降低作用，只要上述元素的含量为固定量以上即可，更优选为0. 1原子％以上，进一步优选为0.2原子％以上。另一方面，如果上述元素的含量过多，则由于有可能Al合金膜的电阻率会上升，因此优选将其上限设为2原子％，更优选设为1原子％。上述Al合金膜中，能够进一步含有0. 05 1原子％的稀土类元素。这些是有益于耐热性的提高的元素，可以含有稀土类元素的1种，也可以将2种以上并用。上述元素中， 其优选含量(当单独含有其中一种时，为单独一种的含量，当含有2种以上时，为其总量) 为0. 1 0. 5原子％，更优选为0. 2 0. 35原子％。在此，所谓稀土类元素，是指在镧系元素(周期表中从原子序号57的La起至原子序号71的Lu为止共计15种元素)中添加了 Sc (钪)和Y(钇)的元素群。其中，优选使用例如La、Nd、Y、Gd、Ce、Dy、Ti、Ta，更优选La、 Nd、Gd,进一步优选 La、Nd。
上述Al合金膜中的各合金元素的含量可以通过例如ICP发光分析(感应耦合等离子发光分析)法而求得。在本发明的优选第一实施方式中，至少源电极以及/或者漏电极只要由上述Al合金膜构成即可，关于其他布线部(例如，栅电极)的成分组成，没有特别限定。例如，在图4 中，栅电极、扫描线(未图示)、信号线中的漏极布线部(未图示)也可以由上述Al合金膜构成，这种情况下，可将TFT基板中的所有Al合金布线设为相同成分组成。如后述的实施例所证实的那样，根据本发明，虽然能将氧化物半导体与Al合金膜之间的触点电阻抑制得很低，但可推测到，这与在该界面形成的(I)包含Ni以及/或者Co 的析出物；以及/或者(II)包含Ni以及/或者Co的浓化层密切相关。在Al合金膜进一步包含Cu以及/或者Ge、或稀土类元素的情况下，认为进一步包含这些元素的析出物或浓化层形成于该界面。这样的析出物或浓化层，与Al氧化物不同，导电性较高，通过在氧化物半导体与Al合金膜之间的界面部分或者整面形成电阻低的区域，从而能大幅降低触点电阻。优选上述Ni以及/或者Co的析出以及/或者浓化，通过组合规定的加热处理和规定的碱处理来进行。通过上述加热处理，能够在表面析出Al合金中所包含的Ni等，并通过上述碱处理能够使该析出物露出，并且将氧化被膜去掉，按照这样通过进行两种方法的处理从而能够显著降低触点电阻。作为碱处理，代表性地可列举，在TMAH(四甲基氢氧化铵) 的约0.4质量％水溶液中浸渍约60秒左右的方法。此外，还可应用基于氧的处理或基于Ar 等离子照射的物理性的氧化膜除去。关于可应用于本发明的优选的第一实施方式的碱处理的详细情况，在后述的Rz的说明部分进行说明。具体而言，上述加热处理通过将基于溅射法的Al合金成膜时的基板温度(成膜温度)的控制(约200°C以上的加热处理)、以及/或者Al成膜后的加热处理(约200°C以上的加热处理)适当组合而进行是有效的。溅射法的详细情况后述。详细而言，可列举(I) 将成膜温度提高至约200°C以上以进行加热处理，并进行规定的碱处理后，以将氧化物半导体膜成膜(这种情况下，成膜后的加热处理并非必须，可以进行，也可以不进行)的方法；或者(II)不管成膜温度如何(可以不对基板进行加热而保持室温，也可以加热至例如200°C 以上)，都在以约200°C以上的温度进行Al合金成膜后的加热处理，之后，进行规定的碱处理，将氧化物半导体膜成膜的方法。另外，如本发明那样，在Al合金膜上具有氧化物半导体的布线结构中，与上述(I)相比，推荐采用上述(II)的热处理方法(详细而言，在不对基板进行加热，而在成膜后进行加热处理之后，进行碱处理的方法)。这样，便能够有效防止在 Al合金成膜后在表面形成氧化铝等自然氧化膜而使触点电阻上升。上述(I)以及(II)中的任何一种，都优选200°C以上的加热处理时间为5分钟以上且60分钟以下。另外，上述(I)的基板温度的上限优选为250°C。另一方面，上述(II) 的成膜后加热温度优选为250°C以上。若考虑到基材的耐热温度或抗小丘生长(hillock) 性能等，则优选将上述(II)的成膜后加热温度设为约350°C以下。另外，在上述Al合金膜的成膜后进行的加热处理，可以以上述析出/浓化为目的来进行，也可以是上述Al合金膜形成后的热历程(例如对SiN膜进行成膜的工序)满足上述温度/时间。上述Al合金膜优选通过溅射法采用溅射靶材(以下有时称作“靶材”)而形成。 因为与采用离子镀膜法或电子束蒸镀法、真空蒸镀法形成的薄膜相比，可以容易形成成分或膜厚在膜面内的均一性优良的薄膜。另外，为了通过溅射法形成上述Al合金膜，如果采用与上述的Al-(Ni/Co)合金(优选进一步包含Cu/Ge或稀土类元素)相同组成的Al合金溅射靶材作为上述靶材，则不担心组成发生偏离，能够形成所期望的成分组成的Al合金膜，因此较好。上述靶材的形状，包含根据溅射装置的形状和结构而加工成的任意形状(方形板状、圆形板状、环形状等)。作为上述靶材的制造方法，可列举采用熔解铸造法或粉末烧结法、喷敷成型法(spray forming)能够制造由Al基合金构成的锭的方法、或在制作由Al 基合金组成的预成形体(在得到最终的致密体之前的中间体)之后，通过致密化方法对该预成形体进行致密化而得到上述靶材的方法。另外，关于与氧化物半导体层直接连接的上述Al合金膜的表面，优选形成最大高度粗度Rz为5nm以上的凹凸。该凹凸可通过在将按照上述那样成膜Al的合金膜与氧化物半导体层直接进行连接之前，采用碱性溶液对Al合金膜的表面进行湿蚀刻、或者采用SF6 和Ar的混合气体对Al合金膜的表面进行干蚀刻而得到。这样，Al会熔出，作为比Al貴的合金元素的Ni或Co会包含在金属间化合物中，并在Al合金膜表面析出，并且作为凹凸状而残存在Al合金表面。并且，当该凹凸的最大高度粗度Rz为5nm以上时，触点电阻被降低。 在此，所谓最大高度粗度Rz是基于JIS B0601 (2001年改正后的JIS规格)的值(评价长度为4mm) ο若上述这样的凹凸被形成于Al合金膜表面，则之后，即使使之与氧化物半导体层直接接触，成为高接触电阻的氧化物(AlOx)，也会成为难以形成的状态。根据情况，包含比 Al贵的金属元素的析出物，会与透明导电膜直接接触。通过实现这样的状況，能够实现氧化物半导体层和Al合金膜中的低接触电阻。最大高度粗度Rz越大越好，优选大约为8nm以上，更优选为IOnm以上。若考虑到制造効率的提高、或防止透明导电膜的断线等产品的质量维持等，则最大高度粗度Rz的上限大约为lOOnm，更优选为50nm。在Al合金膜中形成上述这样的凹凸时，在将Al合金膜与氧化物半导体层直接进行连接之前，只要采用碱性溶液对Al合金膜表面进行湿蚀刻或者干蚀刻即可，但关于此时的蚀刻量(蚀刻深度)，为了实现所形成的凹凸的最大高度粗度Rz为5nm以上，而优选该蚀刻量为5nm以上。另外，关于进行这样的蚀刻处理的时期，只要是在Al合金膜与氧化物半导体层在物理上直接进行连接之前即可，但即使在例如形成氮化硅(SiNx)等层间绝缘膜之前，也能发挥同样的效果。作为进行上述这样的湿蚀刻的碱性溶液，可列举大约PH 9 13左右(优选PH 10. 5 12. 8左右)、且虽然熔出Al但不熔出比Al贵的金属元素的碱性溶液。具体而言， 例如可列举p H9 13左右的抗蚀剂剥离液“Τ0Κ106”(商品名束京应化工业株式会社制造)的水溶液、后述的实施例中采用的碱性溶液(AZ 工 > 夕卜π 二？夕^ ^J X’株式会社的AZ 300MIF显影剂)、包含ΤΜΑΗ(四甲基氢氧化铵)的显影液原液或者为了调整 PH而将该原液稀释后的溶液(ρΗ约10. 5 13. 5)、氢氧化钠水溶液等。上述的「Τ0Κ106」是单乙醇胺和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液，根据这样混合比率能够调整ρΗ的范围。关于湿蚀刻的优选温度或时间，只要按照能得到所希望的最大高度粗度Rz的方式，根据所使用的碱性溶液和Al合金的组成等来适当决定即可，但优选大约在30 70°C下，进行5 180 秒(更优选为30 60°C、10 120秒)之间。另外，作为用于进行干蚀刻的气体，可以采用3&与々1·的混合气体(例如，SF6:60%, Ar 40% )。在形成氮化硅膜之后，对该氮化硅膜进行干蚀刻时的混合气体一般采用 SF6、Ar以及02的混合气体，但在基于这样的混合气体的干蚀刻中，无法实现本发明的目的。干蚀刻的优选条件，只要按照能得到所希望的最大高度粗度Rz的方式，根据所使用的混合气体的种类和Al合金的组成等来适当决定即可。通过采用上述这样的碱性溶液或者混合气体来进行蚀刻处理，从而包含上述这样的金属元素的析出物便会成为在Al合金膜表面浓化的状态。另外，本发明所采用的Al合金膜，虽然优选可以与ITO或IZO等的透明导电膜直接连接，但在这种情况下，与该透明导电膜直接连接的Al合金膜的表面，与上述同样地，形成最大高度粗度Rz为5nm以上的凹凸。这样便能实现与透明导电膜之间的低触点电阻。Rz 的优选范围或其控制方法，只要与上述同样地进行即可。以上针对本发明的优选第一实施方式中最具特征的Al合金膜进行了详细说明。在本发明的优选第一实施方式中，上述Al合金膜中具备特征，关于其他构成要件没有特别限定。作为本发明的优选第二实施方式，例举出如下布线结构在上述布线膜与基板之间具备绝缘膜，上述布线膜是Cu合金膜，具有由两层层叠而成的叠层结构，其中第一层 (Y)由总计含有2 20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、以及Mn组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金构成；第二层(X)是由纯Cu、或者以Cu为主要成分的Cu合金、 即由电阻率比上述第一层(Y)低的纯Cu或者Cu合金构成，上述第一层(Y)与上述基板以及上述绝缘膜中的至少一个直接连接，上述第二层(X)与上述半导体层直接连接。这起因于如下由于本发明人为了提供一种具备新的显示装置用Cu合金膜(以下有时称作直接接触用Cu合金膜)的布线结构，因而反复研究的结果是作为上述布线结构中采用的Cu合金膜，如果采用具有由两层层叠而成的叠层结构，且是第一层(Y)与上述基板以及/或者上述绝缘膜直接连接，第二层(X)与上述半导体层直接连接的Cu合金，就能够实现所期望的目的，其中上述第一层(Y)由总计含有2 20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、以及Mn组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金构成；上述第二层(X)由纯Cu、或者以Cu 为主要成分的Cu合金、即由电阻率比上述第一层(Y)低的纯Cu或者Cu合金构成，上述新的显示装置用Cu合金膜，可应用于采用IGZO等氧化物半导体作为TFT的半导体层的、图1 所示的结构(从基板侧起，依次具备绝缘膜、Cu合金膜、以及薄膜晶体管的氧化物半导体层的布线结构)，将Ti或Mo等高熔点金属(隔离金属层)省去后，即使将Cu合金膜与基板以及/或者绝缘膜直接进行电连接，彼此之间的密接性也会优良，而且膜自身的电阻也低， 且与氧化物半导体层或构成像素电极的透明导电膜之间的触点电阻也会抑制得较低。上述的Cu合金膜优选与构成像素电极的透明导电膜(作为代表，有ITO或IZO 等)直接连接(参照图1)。另外，构成上述的叠层的Cu合金膜的第一层(Y)的膜厚，优选为IOnm以上IOOnm以下，且相对Cu合金膜的整体膜厚为60%以下。并且，第一层(Y)所含有的优选合金元素为Mn，与绝缘膜之间的密接性也非常优良。可推测这是由于在与绝缘膜之间界面会形成部分M η析出以及/或者浓化的Cu-Mn反应层的缘故。优选这样的密接性优良的叠层的Cu合金膜，是通过在Cu合金膜成膜后，在大约250°C以上的温度下进行30 分钟以上的加热处理而制作的。然而，判明了 如果根据再现性良好且可靠地保证Cu合金膜与氧化物半导体层之间的低接触电阻的观点，则将Cu合金膜成膜后的加热处理控制在大约从300°C以上至500°C左右为止的范围内为有效，若在300°C以下的温度下进行加热处理，则与氧化物半导体层之间接触电阻会产生偏差(参照后述的实施例2-2)。以下，参照上述的图1，对本发明的布线结构以及其制造方法的优选实施方式进行说明，但本发明并非局限于此。另外，在图1中，虽然示出了基底栅极型的例子，但并非局限于此，还包含顶部栅极型。并且，在图1中，虽然采用IGZO作为氧化物半导体层的代表例， 但并非局限于此，还可以采用液晶显示装置等显示装置中所采用的所有氧化物半导体。图1所示的TFT基板，具有从基板侧起依次层叠栅电极(图中为Cu合金)、栅极绝缘膜(图中为Si02)、源电极/漏电极(图中为Cu合金，详细情况后述)、沟道层(氧化物半导体层，图中为IGZ0)、和保护层(图中为Si02)而成的布线结构(基底栅极型)。在此， 图1的保护层可以是氮氧化硅，同样地，栅极绝缘膜也可以是氮氧化硅。如上所述，氧化物半导体由于在还原气氛下会丧失其优良的特性，因此推荐使用在氧化性气氛下可成膜的氧化硅(氮氧化硅)。或者，保护层或者栅极绝缘膜中的任一方可以是氮化硅。然后，本发明的优选第二实施方式的特徵部分在于，采用上述叠层的Cu合金作为上述Cu合金。在本发明中，与基板以及/或者绝缘膜直接接触的第一层(Y)，由包含有助于提高密接性的合金元素的Cu合金构成，从而，使与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性提高。另一方面，在上述第一层(Y)之上叠层的第二层(X)，与氧化物半导体层直接连接，由电阻率低的元素(纯Cu、或者具有与纯Cu同程度的低电阻率的Cu合金)构成，从而实现了 Cu合金膜整体的电阻率的降低。即、通过设为本发明的优选第二实施方式所规定的上述叠层槽造，从而(I)与Al相比，电阻率更低，能抑制与氧化物半导体层以及/或者构成像素电极的透明导电膜之间的触点电阻较低，即，将这样的Cu本身的特性有効且最大限度地得以发挥，并且，(II)作为Cu的缺点的、与基板以及/或者绝缘膜之间的低密接性也被显著提高了。即，上述Cu合金作为直接接触用Cu合金是极其有用的，尤其适于用作源电极以及/ 或者漏电极的布线材料。在本发明的优选第二实施方式中，第二层(X)，形成于第一层(Y)之上(正上方)， 由纯Cu、或者电阻率比第一层(Y)低的以Cu为主要成分的Cu合金构成。通过设置这样的第二层(X)，从而能够将Cu合金膜整体的电阻率抑制得较低。在此，所谓第二层(X)中采用的「电阻率比第一层(Y)低的Cu合金」，只要按照电阻率比由包含密接性提高元素的Cu 合金构成的第一层(Y)低的方式，对合金元素的种类以及/或者含量恰当地进行控制即可。 电阻率低的元素(大约纯Cu合金之类低的元素)，参照文献中记载的数值等，能够从公知的元素中容易地进行选择。其中，即使是电阻率高的元素，由于只要使含量少(大约0.05 1原子％左右)，就能够降低电阻率，因此可应用于第二层(X)的上述合金元素未必局限于电阻率低的元素。具体而言，例如，优选采用Cu-O. 5原子％ Ni、Cu-O. 5原子％ Zn、Cu-O. 3 原子％Mn等。另外，可应用于第二层(X)的上述合金元素，也可以包含氧气或氮气的气体成分，可采用例如Cu-O或Cu-N等。以下，针对本发明的优选第二实施方式中最具特征的第一层(Y)进行详细说明。 以下，为了方便说明，有时将“基板以及/或者绝缘膜”称作“基板等”。(关于第一层(Y))在上述Cu合金膜中，第一层(Y)与基板以及/或者绝缘膜直接连接，由总计含有 2 20原子％的、从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、以及Mn组成的群中选择的至少1种元素(密接性提高元素)的Cu合金构成。这些元素可以单独含有其中一种，也可以2种以上并用。在单独含有其中一种的情况下，单独一种的量只要满足上述范围即可，在含有2种以上的情况下，其总量只要满足上述范围即可。这些元素是作为在Cu金属中会产生固溶而在 Cu氧化膜中不会产生固溶的元素而选择的。当这些元素所产生固溶的Cu合金在通过成膜过程的热处理等而被氧化时，由于上述元素在Cu氧化膜中不会产生固溶，因此上述元素会被清扫至因氧化而生成的Cu氧化膜的界面下而浓化，考虑到通过该浓化层会提高与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性。通过形成这样的浓化层，即使不介入隔离金属而使Cu合金膜与基板等直接连接也能够确保足够的密接性。其结果是，能够防止液晶显示器的灰度显示等显示性能的劣化。所谓浓化层，是指上述密接性提高元素以高浓度存在的层，具体而言，上述密接性提高元素以第一层(Y)的矩阵中的1. 1倍以上的浓度存在的层。图6、图7是Cu合金膜(4原子％ Mn-Cu合金膜厚50nm)与玻璃基板之间的界面附近的TEM图像(放大倍率15万倍)(图7是图6的部分放大图像，放大倍率150万倍)。 图8是对该剖面TEM图像进行EDX线分析后的结果的曲线图。由图8也可知浓化层形成于 Cu合金膜与玻璃基板之间的界面。在上述的密接性提高元素中，优选的是Mn、Ni，更优选的是Mn。Mn是被发现在上述界面的浓化现象非常强的元素。即、Mn通过Cu合金成膜时或者成膜后的热处理(例如， 包含将Si02膜的绝缘膜进行成膜的工序这样的显示装置的制造过程中的热历程)而从膜的内侧向外侧(与绝缘膜之间的界面等)移动。Mn向界面的移动，在通过基于热处理的氧化而生成的Mn氧化物成为驱动力后，会进一步被加速。其结果是，认为在与绝缘膜之间界面会整面且密接性良好地形成Cu-Mn的反应层(以下，称作「Mn反应层」)，会显著提高与绝缘膜之间的密接性。这样的Mn反应层等的上述浓化层(还包含析出物)，优选在基于溅射法(详细情况后述)的Cu合金成膜后，通过进行规定的加热处理而得到。在此，所谓“进行规定的加热处理”，如上所述，如果考虑密接性，则是指以约250°C以上进行30分钟以上的加热处理；如果进一步根据再现性良好且可靠地确保与氧化物半导体层之间的低电阻的观点来看，是指将加热处理的温度范围尤其控制在约300°C以上500°C以下。通过这样的加热处理，合金元素会在与绝缘膜之间的界面扩散后容易浓化。之后，只要对氧化物半导体膜进行成膜即可。另外，上述的加热处理可以是以Mn反应层等的上述浓化层的形成为目的而进行的，也可以是Cu合金膜形成后的热历程(例如，对氮化硅膜等的保护膜进行成膜的工序) 满足上述温度/时间的加热处理。优选上述元素的含量为2原子％以上20原子％以下。在上述元素的含量为小于 2原子％的情况下，有可能因与透明基板之间的密接性不足而得不到满意的特性。例如，当上述元素的含量少至0. 5%左右的情况下，虽然有些情况下根据条件能得到良好的密接性， 但可能缺乏再现性。因此，本发明中，还考虑到再现性而将上述元素的含量的下限值设为2 原子％以上。这样，不依赖于测量条件等就能始终得到良好的密接性。另一方面，当上述元素的含量超过20原子％时，由于除了 Cu合金膜(布线膜)自身(第一层+第二层)的电阻率变高之外，布线蚀刻时还会产生残渣，因此有可能使精细加工变难。上述元素的含量的优选下限值为3原子％，更优选为4原子％。另外，优选上限值为12原子％，更优选为10 原子％，进一步优选为4. 0原子％ (尤其3. 5原子％ )。
严格来说，上述元素的优选含量因元素的种类而不同。因为，根据元素的种类而对密接性以及对电阻的负荷(影响)会不同。例如，优选Mn为3原子％以上12原子％以下， 更优选为4原子％以上10原子％以下。本发明的优选第二实施方式所采用的Cu合金膜包含上述元素，余部为Cu以及不可避免的杂质。构成上述第一层⑴的Cu合金，进一步可以在总计(单独的情况下为单独的量)0. 02 1. 0原子％的范围内含有Fe以及/或者Co，这样，低电阻率以及与透明基板之间的高密接性会进一步改善。优选含量在0. 05原子％以上0. 8原子％以下，更优选为0. 1 原子％以上0.5原子％以下。在上述Cu合金膜中，第二层(X)形成于上述第一层(Y)之上(正上方)，由纯Cu、 或者电阻率比上述第一层(Y)低的以Cu为主要成分的Cu合金构成。通过设置这样的第二层(X)，从而能够将Cu合金膜整体的电阻率抑制得较低。另外，以Cu为主要成分的Cu合金，是指在Cu合金中Cu的含量最多。这样，关于本发明所采用的Cu合金膜，通过设为组成不同的第二层(X)与第一层 (Y)的叠层结构，从而使之发挥所期望的特性，但为了更有效地发挥这些特性，尤其控制第一层(Y)的膜厚是有効的。具体而言，上述第一层(Y)膜厚优选为IOnm以上，优选相对于 Cu合金膜的整体膜厚“第二层(X)和第一层(Y)的总膜厚”为60%以下。这样，除了能得到低电阻率和高的密接性之外，还能更有效地发挥精细加工性。更优选，第一层(Y)的膜厚为20nm以上，相对于Cu合金膜的整体膜厚为50%以下。另外，关于第一层(Y)的膜厚的上限，只要主要考虑布线膜自身的电阻率来适当決定即可，优选为IOOnm以下，更优选为SOnm以下。另外，虽然第一层(Y)相对于Cu合金膜的整体膜厚的比率的下限没有特别限定，但若考虑到提高与透明基板之间的密接性，则优选大约设为15%。上述第一层(Y)的膜厚，严格来说，因第一层(Y)所含有的元素的种类而能不同。 因为，根据元素的种类，对密接性以及对电阻的影响会不同。例如，在Mn的情况下，优选上述膜厚的下限为IOnm以上，更优选为20nm以上。另外，在Mn的情况下，上述膜厚的上限优选为SOnm以下，更优选为50nm以下。并且，在Ni或Zn的情况下，上述膜厚的下限优选为 20nm以上，更优选为30nm以上，其上限优选为IOOnm以下，更优选为80nm以下。另外，优选Cu合金膜整体(第二层(X) +第一层(Y))的膜厚大约为200nm以上 500nm以下，更优选为250nm以上400nm以下。为了进一步提高与基板等之间的密接性，上述第一层(Y)还可以含有氧元素。通过在与基板以及/或者绝缘接触的第一层(Y)中导入适量的氧元素，从而在其界面介入包含规定量的氧元素的含氧层，在其之间形成牢固的结合(化学结合)，提高密接性。为了充分发挥上述作用，上述第一层(Y)中含有的优选氧元素量为0.5原子％以上，更优选为1原子％以上，还优选为2原子％以上，进一步优选为4原子％以上。另一方面，若氧元素量过剩，且过分提高密接性，则在进行湿蚀刻后会残留残渣，湿蚀刻性会降低。 另外，若氧元素量过剩，则Cu合金膜整体的电阻会提高。考虑到这些观点，上述第一层(Y) 中含有的氧元素量优选为30原子％以下，还更优选为20原子％以下，进一步优选为15原子％以下，更进一步优选为10原子％以下。
关于这样的含氧第一层(Y)，在以溅射法对第一层(Y)进行成膜时，通过供给氧气便能得到。作为氧气供给源，除了氧元素(0 2)之外，还可以采用含氧原子的氧化气体(例如、03等)。具体而言，在第一层(Y)的成膜时，采用在溅射法中通常采用的加工气体中添加了氧的混合气体，在第二层(X)的成膜时，不添加氧，只要采用加工气体进行溅射即可。因为关于第二层(X)，根据降低电阻率的观点，优选不含氧。作为上述加工气体，代表性地列举出稀有气体(例如氙气、氩气)，优选氩气。另外，在第一层(Y)的成膜时，如果使加工气体中的氧气量改变，则能够形成含氧量不同的多个基底层。由于上述第一层(Y)中的氧元素量因加工气体中所占的氧气的混合比率而能改变，因此根据想要导入的氧元素量，只要适当改变上述混合比率即可。例如，在想要在上述第一层(Y)层中导入1原子％的氧元素的的情况下，优选将大约10倍的氧元素量混合入到加工气体中，使加工气体中所占的氧气的比率设为约10体积％。关于本发明的优选第二实施方式中采用的Cu合金膜，由于与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性优良，因此适于用作与它们直接接触的布线膜以及电极用的膜。在本发明中，优选源电极以及/或者漏电极由上述Cu合金膜构成，关于其他布线部(例如栅电极) 的成分组成，没有特别限定。例如，在图1中，栅电极、扫描线(未图示)、以及信号线中的漏极布线部(未图示)也可以由上述Cu合金膜构成，这种情况下，可以使TFT基板中的Cu合金布线全部为相同成分组成。优选由上述叠层结构构成的Cu合金膜通过溅射法而形成。具体而言，只要在通过溅射法将构成上述第一层(Y)的材料进行成膜以形成第一层(Y)之后，在其上通过溅射法将构成上述第二层(X)的材料成膜后形成第二层(X)，使之作为叠层结构即可。按照这样在形成Cu合金叠层膜之后，进行规定的构图之后，根据有效范围的观点，优选将剖面形状加工成锥形角度为45 60°左右的锥形状。如果采用溅射法，则能够对与溅射靶材几乎相同组成的Cu合金膜进行成膜。因此，通过对溅射靶材的组成进行调整，就能够调整Cu合金膜的组成。溅射靶材的组成，可以采用不同组成的Cu合金靶材进行调整，或者也可以通过在纯Cu靶材中芯片安装合金元素的金属，便可以进行调整。另外，在溅射法中，有时会在成膜的Cu合金膜的组成与溅射靶材的组成之间产生稍许的偏差。但是，该偏差大概在数原子％以内。因此，如果将溅射靶材的组成最大控制在士 10原子％的范围内，则能够对所期望的组成的Cu合金膜进行成膜。以上，针对本发明的优选第二实施方式中最具特征的Cu合金膜进行了说明。在本发明的优选第二实施方式中，上述Cu合金膜具有特征，关于其他构成要件没有特别限定。作为本发明的优选第三实施方式，在上述布线膜与基板之间具备绝缘膜，上述布线膜是含有从由Mn、Ni、Zn、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素的Cu 合金膜，且可列举与上述基板以及上述绝缘膜中的至少一个以及上述半导体层直接连接的布线结构。这起因于如下本发明人为了提供一种具备新的显示装置用Cu合金膜(以下， 有时称作直接接触用Cu合金膜)的布线结构，反复研究后的结果是，发现作为上述布线结构中采用的C u合金膜，只要采用(I)含有从由Mn、Ni、Zn、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素(以下，称作密接性提高元素，有时用「XI」来代表)的Cu-Xl合金膜、或者(II)优选含有Mn作为上述密接性提高元素，进一步含有从由B、Ag、C、W、Ca、以及Mg组成的群中选择的至少1种元素(以下，有时以「X2」来代表)的CU-X1-X2合金膜， 便能够达到所期望的目的，其中，上述新的显示装置用Cu合金膜，可应用于采用IGZO等的氧化物半导体作为TFT的半导体层的、如图1所示的结构(从基板侧起，依次具备绝缘膜、 Cu合金膜、和薄膜晶体管的氧化物半导体层的布线结构)，将Ti或Mo等的高熔点金属(隔离金属层)省去后，即使将Cu合金膜与基板以及/或者绝缘膜直接进行电连接，彼此之间的密接性也会良好，并且，膜自身的电阻低，与氧化物半导体层或构成像素电极的透明导电膜之间的触点电阻也会抑制得较低。优选上述Cu合金膜与基板以及/或者绝缘膜、以及半导体层直接进行电连接。优选上述的Cu合金膜，与构成像素电极的透明导电膜(代表性地，有ITO或IZO 等)进行直接连接(参照图1)。另外，上述密接性提高元素的优选含量大约为0. 5 10原子％，尤其是含有Mn者，与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性也非常优良。这可推测为， 是由于在与基板以及/或者绝缘膜之间的界面形成部分Mn析出以及/或者浓化后的Cu-Mn 反应层。这样的密接性优良的Cu合金膜，在Cu合金膜成膜后，通过以约250°C以上的温度进行5分钟以上的加热处理来制作。以下，参照上述的图1，来对本发明的布线结构以及其制造方法的优选实施方式进行说明，但本发明并非局限于此。另外，图1中，虽然示出了基底栅极型的例子，但并非局限于此，还包含顶部栅极型。并且，图1中，作为氧化物半导体层的代表例，虽然采用了 IGZ0， 但并非局限于此，还可以采用液晶显示装置等的显示装置中采用的所有氧化物半导体。图1所示的TFT基板，具有从基板侧起依次层叠了栅电极(图中Cu合金)、栅极绝缘膜(图中Si02)、源电极 漏电极(图中Cu合金，详细情况后述。)、沟道层(氧化物半导体层，图中IGZ0)、保护层(图中Si02)的布线结构(基底栅极型)。在此，图1的保护层可以是SiON，同样，栅极绝缘膜也可以是SiON。如上所述，由于氧化物半导体在还原气氛下会丧失其优良的特性，因此推荐使用在氧化性气氛下可成膜的Si02(Si0N)。或者保护层或者栅极绝缘膜中的任一方都可以是SiN。(Cu-Xl 合金膜)本发明的优选第三实施方式的特徵部分在于，采用含有上述的密接性提高元素 XI、即从由Mn、Ni、Zn、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素的Cu-Xl 合金。这些密接性提高元素Xl可以含有单独一种，也可以将2种以上并用。这些密接性提高元素XI，是作为固溶于Cu金属，而不固溶于Cu氧化膜的元素被选择的。或者，上述的密接性提高元素XI，能够使在与构成玻璃基板等基板或绝缘膜的元素(例如、Si02)之间容易形成化学结合(具体而言，形成化学吸附或界面反应层等)的元素。当这些元素所固溶的 Cu合金通过成膜过程的热处理等而被氧化时，上述元素会扩散后在晶界或界面浓化，通过该浓化层会提高与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性。其结果是，即使不经由隔离金属而使Cu合金膜与基板等直接连接，也能够确保充分的密接性，能够防止液晶显示器的灰度显示等的显示性能的劣化。所谓浓化层，是上述密接性提高元素以高浓度存在的层，具体而言是上述密接性提高元素以Cu合金膜的矩阵中的1. 1倍以上的浓度存在的层。如上所述，图6、图7是Cu合金膜(4原子％ Mn-Cu合金膜厚50nm)与玻璃基板之间的界面附近的TEM图像(放大倍率15万倍)，(图7是图6的部分放大图像，放大倍率150万倍)，图8是表示对该剖面TEM图像进行EDX线分析后的结果的曲线图。由图8 也可知浓化层形成于Cu合金膜与玻璃基板之间的界面。作为上述密接性提高元素XI，优选的是Mn、Ni、Ti、Al、Mg，更优选的是Mn、Ni，进一步优选的是Mn。关于上述元素，若针对提高密接性的推定方法进行说明，则首先，可推测Mn是被发现在上述界面的浓化现象非常强的元素。即、Mn通过Cu合金成膜时或者成膜后的热处理 (例如，包含对Si02膜的绝缘膜进行成膜的工序这样的显示装置的制造过程中的热历程) 从膜的内侧向外侧(与绝缘膜之间的界面等)移动。Mn向界面的移動，在通过基于热处理的氧化而生成的Mn氧化物变成驱动力后，会进一步被加速。其结果是，被认为在与绝缘膜之间的界面会部分或整面且密接性良好地形成Cu-Mn的反应层(以下称作“Mn反应层”)， 显著提高与绝缘膜之间的密接性。这样的Mn反应层等的上述浓化层(还包含析出物)，优选在基于溅射法(详细情况后述)的Cu合金成膜后，在约250°C以上进行5分钟以上的加热处理而得到。通过进行这样的加热处理，合金元素会在与绝缘膜之间的界面扩散后变得容易浓化。之后，只要对氧化物半导体膜进行成膜即可。另外，上述的加热处理，可以是以Mn反应层等的上述浓化层的形成为目的进行的，也可以是Cu合金膜形成后的热历程(例如，对SiN膜等的保护膜进行成膜的工序)满足上述温度/时间的加热处理。另一方面，可推测Ti、Al、Mg都是与玻璃基板的主要成分、即Si02之间引起反应， 可形成化合物的元素。具体而言，Al以及Mg是在温度20 300°C、压力latm的气氛下， 与SiO2发生反应，分别形成Si-Al-0、Si-Mg-O的复合氧化物。另外，Ti是在温度20 300°C、压力latm的气氛下，与SiO2发生反应，形成TiSi或者TiSi2的氧化物。关于上述Ti等元素，即使在Cu中的扩散系数比Cu的自我扩散系数大，且仅含有少量，通过成膜后的加热也会在与玻璃基板之间的界面产生扩散浓化，在界面与Si02引起反应而形成化学结合，使与玻璃基板之间的密接性飞跃性地提高。上述密接性提高元素Xl的含量(单独含有一种的情况下为单独一种的含量，含有 2种以上的情况下为总量)优选为0.5原子％以上。在上述元素的含量小于0.5原子％的情况下，与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性会不足而得不到满意的特性。例如，在上述元素的含量为少至0. 5%左右的情况下，根据条件有时也会得到良好的密接性，但有可能缺乏再现性。因此，在本发明的优选第三实施方式，还考虑到再现性而将上述元素的含量的优选下限设为0.5原子％。这样，不依赖于测量条件等而能始终得到良好的密接性。如果考虑到与基板等之间的密接性提高，则上述密接性提高元素的含量越多越好，但上述元素的含量若超过10原子％，则除了 Cu合金膜(布线膜)自身的电阻率变高外，若添加量进一步增加，则由于布线的蚀刻时会产生残渣，因此可能变得难以进行精细加工。上述元素的优选含量是1原子％以上3原子％以下，更优选是1原子％以上2原子％以下。上述Cu合金膜中的各合金元素的含量，可以通过例如ICP发光分析(感应耦合等离子体发光分析)法求得。如上所述，上述Cu-Xl含有合金膜通过在成膜后实施热处理，从而得到格外优良的密接力。可推测，这是因为通过成膜后的热处理(热能量)，会加速合金元素(Xi)向玻璃基板界面的浓化、以及在界面的化学结合形成。关于上述热处理的条件，温度越高，或者保持时间越长，对密接性提高越有効地发挥作用。但是，需要使热处理温度为玻璃基板的耐热温度以下，另外，若保持时间过度变长， 则会导致显示装置(液晶显示器等)的生产性的降低。因此，关于上述热处理的条件，优选大约为温度250 450°C、保持时间30 120分钟的范围内。由于该热处理对Cu-X含有合金膜的电阻率降低也会有効发挥作用，因此根据实现低电阻的观点而言，为优选。上述热处理可以是以密接性的进一步提高为目的进行的热处理，也可以是上述 Cu-Xl合金膜形成后的热历程满足上述温度/时间的热处理。本发明的优选第三实施方式中采用的Cu-Xl合金膜，包含上述元素，余部为Cu以及不可避免的杂质。(Cu-X 1-X2 合金膜)本发明的优选第三实施方式中采用的Cu合金膜，除了包含上述密接性提高元素 Xl之外，还可以包含从由B、Ag、C、W、Ca、以及Mg组成的群中选择的至少1种元素X2。上述元素X2是有助于与基板等之间的密接性的进一步提高、Cu合金膜自身的电阻率降低的元素。上述元素X2中，优选的是B、Ag、Mg、Ca，更优选的是B、Ag。上述元素X2的作用，尤其在含有0.5原子％以上的M η作为密接性提高元素Xl的情况下，被显著发挥，在该情况下的上述元素Χ2的含量(单独含量或者总量)优选为0.3原子％以上。更优选的是0.5原子％以上。但是，即使添加过剩，则上述作用发生饱和，相反则有可能导致电阻率増加，因此上述元素Χ2的含量的上限优选为5原子％，更优选为2原子％。本发明的优选第三实施方式中采用的上述Cu合金膜，优选通过溅射法来进行成膜。所谓溅射法，是指在真空中导入Ar等惰性气体，在基板与溅射靶材(以后有时称作靶材)之间形成等离子放电，通过该等离子放电使离子化的Ar与上述靶材相撞，撞出该靶材的原子并使之沉积在基板上来制作薄膜的方法。如果采用溅射法，则能够对与溅射靶材几乎相同组成的Cu合金膜进行成膜。即，与离子镀膜法或电子束蒸镀法、真空蒸镀法所形成的薄膜相比，能够更容易形成成分或膜厚在膜面内的均一性优良的薄膜，且由于能够在 as-deposited状态下形成合金元素均勻地固溶的薄膜，因此能够有效地发现高温耐氧化性。作为溅射法，可以采用例如DC溅射法、RF溅射法、磁控管溅射法、反应性溅射法等任一种溅射法，关于其形成条件，只要适当设定即可。采用上述溅射法，为了形成例如上述Cu-Xl合金膜，作为上述靶材，如果采用由含有规定量的上述密接性提高元素Xl的Cu合金组成的靶材，即与所希望的Cu-Xl合金膜相同组成的溅射靶材，则不会出现组成成分的偏差，能够形成所期望的成分/组成的Cu-Xl合金膜，因此较好。关于溅射靶材的组成，可以采用不同组成的Cu合金靶材进行调整，或者也可以通过在纯Cu靶材中芯片安装合金元素的金属来进行调整。另外，在溅射法中，有时所成膜的Cu合金膜的组成与溅射靶材的组成之间会产生稍许的偏离。但是，该偏离大概在数原子％以内。因此，如果将溅射靶材的组成控制在最大士 10原子％的范围内，则能够对所期望的组成的Cu合金膜进行成膜。关于靶材的形状，包含根据溅射装置的形状和结构加工成的任意形状(方形板状、圆形板状、环形板状等)。作为上述靶材的制造方法，可列举采用熔解铸造法或粉末烧结法、喷敷成型法(spray forming)能够制造由C u基合金构成的锭的方法、或在制造由Cu基合金组成的预成形体(在得到最终的致密体之前的中间体)之后，通过致密化方法对该预成形体进行致密化而得到上述靶材的方法。本发明的优选第三实施方式中采用的Cu合金膜，由于与基板以及/或者绝缘膜之间的密接性优良，因此适于用作与它们直接接触的布线膜以及电极用的膜。在本发明的优选第三实施方式中，优选源电极以及/或者漏电极由上述Cu合金膜构成，关于其他布线部 (例如栅电极)的成分组成，没有特别限定。例如，在图1中，栅电极、扫描线(未图示)、信号线中的漏极布线部(未图示)也可以由上述Cu合金膜构成，这种情况下，可以使TFT基板中的Cu合金布线全部为相同成分组成。以上，针对本发明的优选第三实施方式中最具特征的Cu合金膜进行了说明。本发明的优选第三实施方式中，上述Cu合金膜具有特征，关于其他构成要件没有特别限定。作为本发明的优选第四实施方式，进一步列举在上述布线膜与基板之间具备绝缘膜，且上述布线膜是Cu膜的布线结构。本发明的优选第四实施方式的布线结构，从基板侧起依次具备主要由氧化硅或氮氧化硅等构成的绝缘膜、Cu膜、以及薄膜晶体管的氧化物半导体层。在本发明的优选第四实施方式中，与上述非专利文献1 (关于源_漏电极使用Al材料)不同，由于使用电阻率低的Cu作为源-漏电极用材料，因此膜自身的电阻也低，能将与构成氧化物半导体层或像素电极的透明导电膜之间的触点电阻抑制得较低。尤其，在本发明的优选第四实施方式中，由于将Cu膜成膜后的加热温度控制在规定范围，因此能够再现性良好且可靠地确保与氧化物半导体层之间的低触点电阻。本说明书中，所谓“Cu膜”是指由纯Cu构成的膜，所谓纯Cu是指Cu的含量大约在 99%以上。只要满足上述要件，则纯Cu可以是例如Fe以及/或者Co的总含量(单独一种的情况下为单独的含量)在0. 02 1. 0原子％的范围内。上述的Cu膜优选与氧化物半导体层直接连接。上述的Cu膜优选与构成像素电极的透明导电膜(代表性的有ITO或IZO等)直接连接(参照图2)。以下，参照上述的图2，对本发明的优选第四实施方式的布线结构及其制造方法的优选实施方式进行说明，但本发明并非局限于此。另外，图2中，虽然示出了基底栅极型的例子，但并非局限于此，还包含顶部栅极型。另外，在图2中，虽然采用IGZO作为氧化物半导体层的代表例，但并非局限于此，还可以采用液晶显示装置等显示装置中采用的所有氧化物半导体。图2所示的TFT基板，具有从基板侧起依次层叠了栅电极(图中Cu)、栅极绝缘膜 (图中Si02)、源电极 漏电极(图中Cu)、沟道层(氧化物半导体层，图中IGZ0)、保护层 (图中Si02)的布线结构(基底栅极型)。构成栅电极或源电极 漏电极的布线膜由Cu构成。在此，图2的保护层可以是氮氧化硅，同样地，栅极绝缘膜也可以是氮氧化硅。如上所述，氧化物半导体由于在还原气氛下会丧失其优良的特性，因此推荐使用在氧化性气氛下可成膜的氧化硅(氮氧化硅)。或者，保护层或者栅极绝缘膜中的一方可以是氮化硅。图2中，由于构成源电极 漏电极的Cu膜经由Mo或Cr等高熔点金属与基板以及/或者绝缘膜接触，因此彼此之间的密接性提高。另一方面，上述Cu膜与氧化物半导体层直接连接。根据本发明的优选第四实施方式，能发挥Cu原本的特性，即与Al相比，电阻率更低，能将与氧化物半导体层以及/或者构成像素电极的透明导电膜之间的触点电阻抑制得较低。进而，在本发明的优选第四实施方式中，由于将Cu成膜后的加热处理控制在大约 300°C以上450°C以下的范围内，因此能够再现性良好且可靠地确保Cu膜与氧化物半导体层之间的低触点电阻。如后述的实施例所证实的那样，可知，若在300°C以下的温度进行加热处理，则与氧化物半导体层之间的触点电阻会产生偏差。包含上述的优选第1 4实施方式在内，作为本发明的布线结构的上述氧化物半导体层，只要是液晶显示装置等中采用的氧化物半导体，则没有特别限定，例如，可以采用由包含从由In、Ga、Zn、Ti、以及Sn组成的群中选择的至少1种元素在内的氧化物组成的氧化物半导体。具体而言，作为上述氧化物，可列举In氧化物、In-Sn氧化物、In-Zn氧化物、 In-Sn-Zn氧化物、In-Ga氧化物、Zn-Sn氧化物、Zn-Ga氧化物、In-Ga-Zn氧化物、Zn氧化物、Ti氧化物等透明氧化物或在Zn-Sn氧化物中添加了 Al或Ga而形成的AZTO或GZT0。另外，作为构成像素电极的透明导电膜，可列举在液晶显示装置等中通常采用的氧化物导电膜，例如，可列举由包含从由In、Ga、Zn、以及Sn组成的群中选择的至少1种元素的氧化物组成的导电膜。代表性地可例示非晶ITO或聚合ΙΤ0、IZO、ZnO等。另外，关于栅极绝缘膜等绝缘膜或在氧化物半导体上形成的保护膜(以下，有时以绝缘膜为代表)没有特别限定，可列举通常采用的例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。但是，根据有效发挥氧化物半导体的特性的观点来看，优选使用在酸性气氛下可成膜的氧化硅或氮氧化硅。详细而言，上述绝缘膜不一定需要仅由氧化硅构成，只要是至少包含使氧化物半导体的特性有効地发挥的程度的氧的绝缘性膜，就可以用于本发明。例如，可以采用仅对氧化硅的表面进行氮化的膜，或仅对Si的表面进行氧化的膜等。在绝缘膜含氧的情况下，该绝缘膜的厚度优选为大约0. 17nm以上3nm以下。另外，优选含氧绝缘膜中的氧原子数(
)与Si原子数([Si])之比(
/[Si])的最大值大约在0. 3以上2. 0以下的范围内。基板只要是用于液晶显示装置等中的基板，则没有特别限定。代表性地，可列举以玻璃基板等为代表的透明基板。玻璃基板的材料只要是用于显示装置中，则没有特别限定， 例如，可列举无碱玻璃、高应变点玻璃、碱石灰玻璃等。或者，还可以采用可挠性树脂膜、金属薄片等。在制造具备上述布线结构的显示装置时，除了满足本发明的规定，且将Cu合金膜或Al合金膜的热处理/热历程条件设为上述推荐的条件以外，没有特别限定，只要采用显示装置的一般工序即可。(实施例)以下，列举实施例对本发明进行更具体的说明，但本发明并非由以下的实施例来限制，在符合上述/下述主旨的范围内可以适当改变来实施，且都包含在本发明的技术范围内。(实施例1-1)将无碱玻璃板(板厚0. 7mm)作为基板，在其表面通过DC磁控管·溅射法对表1 所示的各种合金组成的Al合金膜(余部A1以及不可避免的杂质)进行成膜。成膜条件如下。另外，作为溅射靶材，采用在真空溶解法下制作的各种组成的Al合金靶材。(Al合金膜的成膜条件) 环境气体=氩 压力=2m Torr·基板温度=在25°C (室温)、或者200°C下加热30分钟 膜厚= 300nm上述Al合金膜中的各合金元素的含量，通过ICP发光分析(感应耦合等离子发光分析)法求得。 采用按照如上述进行成膜的Al合金膜，对热处理后的Al合金膜自身的电阻率、以及将Al合金膜与透明像素电极(ITO)、氧化物半导体(IGZ0、ΙΖ0)直接连接时的直接接触电阻(与ITO之间的触点电阻、与IGZO之间的触点电阻、或者与IZO之间的触点电阻)，分别采用下述的方法进行了测量。(1)热处理后的Al合金膜自身的电阻率在对上述Al合金膜在惰性气体气氛中，以250°C实施15分钟的热处理后，以4探针法测量了电阻率。然后，按照下述基准判断了热处理后的Al合金膜自身的电阻率的优良与否。(判断基准)〇小于 5· 0μ Ω · cmX :5. 0μ Ω · cm 以上(2)与透明像素电极(ITO)之间的触点电阻对如上述方式成膜的Al合金膜，依次实施光刻、蚀刻后形成了图9所示的电极图案。接着，通过CVD装置形成了膜厚300nm的氮化硅(SiNx)膜。这时的成膜温度是在如表1所示的250°C或者320°C下PA118582D进行的。另外，成膜时间都是15分钟。通过这时的热历程，使合金元素析出作为析出物。接着，进行光刻和采用RIE (Reactive Ion Etching)装置的蚀刻，在SiN膜形成接触孔。在接触孔形成后，将抗蚀剂去除，采用碱性溶液(将A Z - >々卜口二ν々7 f U 7 ^ <株式会社的AZ 300MIF显影剂(2. 38wt% )稀释成为0. 4%的水溶液)在室温下对 Al合金薄膜表面进行湿处理，从而实施了蚀刻。接着，对Al合金薄膜的凸部的粗度Rz [基于JIS B060K2001)的最大高度粗度Rz]进行了测量。最大高度粗度R ζ的测量是使用S ,卜3制表面粗度测量器SJ-301进行了测量的。评价长度设为4mm，按照下述基准来判断了最大高度粗度Rz的优良与否。(判断基准)〇5nm以上X:小于 5nm之后，采用溅射法在下述条件下对ITO膜(透明导电膜)进行成膜，进行光刻和构图后形成将IOym方的触点部分串联连接50个而成的接触链图案(contact chain pattern)(参照图9)。在图9中，Al合金以及ITO的线宽为80 μ m。(IT0膜的成膜条件) 环境气体=氩
压力=0. 8m Torr·基板温度=25 °C (室温) 膜厚= 200nm上述接触链的所有电阻(触点电阻、连接电阻)，是采用HEWLETT PACKARD 4156A 以及Agilent Technologies 4156C的精密半导体参数分析器，使探针与该接触链图案的两端的焊盘部接触，并采用双端子测量对I-V特性进行测量而求出的。然后，求出换算成一个触点后的触点电阻值，按照下述基准来判断与ITO之间的直接接触电阻(与ITO之间的触点电阻)的优良与否。在本实施例中，将〇或者Δ作为合格。(判断基准)〇小于 1000 ΩΔ :1000Ω 以上、小于 3000ΩX :3000Ω 以上(3)与透明像素电极(IZO)之间的触点电阻代替ΙΤ0，除了采用IZO之外，还与上述的(2)与ITO之间的触点电阻的情况同样， 对Al合金膜进行各种热处理，进行湿处理后实施蚀刻，测量了 Al合金薄膜的凸部的最大高度粗度Rz。之后，采用溅射法按照下述条件对IZO膜(透明导电膜)进行成膜，进行光刻和构图，形成了将 ο μ m方的触点部分串联50个而成的接触链图案(参照图9)。在图9中，Al 合金以及IZO的线宽为80 μ m。(IZ0膜的成膜条件)·环境气体=氩·压力=0. 8m Torr·基板温度=25 0C (室温) 膜厚= 200nm与上述的(2)同样地对上述接触链的所有电阻(触点电阻、连接电阻)进行测量， 求出换算成一个触点时的触点电阻值，并按照下述基准来判断了与IZO之间的直接接触电阻(与IZO之间的触点电阻)的优良与否。在本实施例中，将O或者Δ作为合格。(判断基准)〇小于 1000 ΩΔ :1000Ω 以上、小于 3000ΩX :3000Ω 以上(4)与氧化物半导体(IGZO)之间的触点电阻除了采用图10所示的电极图案，与上述的(2)与ITO之间的触点电阻的情况同样地，对Al合金膜进行各种热处理后，进行湿处理后实施蚀刻，来对Al合金薄膜的凸部的最大高度粗度Rz进行了测量。之后，通过溅射在下述条件下对IGZO膜进行成膜，进行光刻和构图，形成了将 80 μ m方的触点串联连接100个而成的接触链图案。在图10中，Al合金以及IGZO的线宽是80μπι。用于IGZO的溅射靶材的组成是In Ga Zn = 1 1 1和2 2 1。(氧化物半导体的成膜条件)
环境气体=氩·压力=5m Torr·基板温度=25 0C (室温) 膜厚=IOOnm与上述的(2)同样地对上述接触链的所有电阻(触点电阻、连接电阻)进行测量， 求出换算成一个触点后的触点电阻值，按照下述基准来判断与IGZO之间的直接接触电阻 (与IGZO之间的触点电阻)的优良与否。在本实施例中，将O或者Δ作为合格。(判断基准)〇小于 1000 ΩΔ :1000Ω 以上、小于 3000ΩX :3000Ω 以上(5)与氧化物半导体(ZTO)之间的触点电阻除了采用图10所示的电极图案之外，还与上述的(2)与ITO之间的触点电阻的情况同样地，对Al合金膜进行各种热处理，进行湿处理后实施蚀刻，来对Al合金薄膜的凸部的最大高度粗度Rz进行了测量。之后，通过溅射按照下述条件对ZTO膜进行成膜，进行光刻和构图，形成了将 80 μ m方的触点串联连接100个而成的接触链图案。在图10中，Al合金以及ZTO的线宽是 80 μ m。ZTO的溅射靶材中采用的組成是Zn Sm = 2 1。(氧化物半导体的成膜条件)·环境气体=氩·压力=5m Torr·基板温度=25 0C (室温) 膜厚=IOOnm与上述的(2)同样地对上述接触链的所有电阻(触点电阻、连接电阻)进行测量， 并求出换算成一个触点时的触点电阻值，按照下述基准来判断了与ZTO之间的直接接触电阻(与ZTO之间的触点电阻)的优良与否。在本实施例中，将O或者Δ作为合格。(判断基准)〇小于 1000 ΩΔ :1000Ω 以上、小于 3000ΩX :3000Ω 以上(6)析出物密度析出物的密度是采用扫描电子显微镜的反射电子像求出的。具体而言，对1个视野(ΙΟΟμπι2)内的析出物的个数进行测量，求出3个视野的平均值，并按照下述基准来判断了析出物密度的优良与否。在本实施中，将〇或者Δ作为合格。(判断基准)〇40个以上Δ :30个以上、小于40个X 小于 30 个这些结果集中显示在表1、表2中。
表1中，“加热成膜(200°C ) ”栏表示Al合金成膜时的基板温度，「〇」是将基板温度设为200°C的例子，「_」是将基板温度设为室温的例子。另外，在表1中，在“Al合金膜的表面粗度Rz”栏，集中显示了与ΙΤ0、ΙΖ0、以及 IGZO直接连接的Al合金膜的Rz的结果，“〇”是指双方的判定结果为〇(Rz5nm以上)， “ X，，是指双方的判定结果都是X (小于Rz5nm)。(表1)
权利要求
1.一种布线结构，其在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层， 该布线结构的特征在于，上述半导体层由氧化物半导体构成。
2.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，上述布线膜，在与上述半导体层直接连接的同一平面上、且与构成像素电极的透明导电膜直接连接。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，上述布线膜是包含Ni及Co中的至少一种的Al合金膜，且与上述半导体层直接连接。
4.根据权利要求3所述的布线结构，其特征在于，上述Al合金膜含有0. 10 2原子％的Ni及Co中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的布线结构，其特征在于，Ni及Co中的至少一种的一部分在上述Al合金膜与上述半导体层之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。
6.根据权利要求3所述的布线结构，其特征在于，上述Al合金膜进一步包含0. 05 2原子％的Cu及Ge中的至少一种。
7.根据权利要求3所述的布线结构，其特征在于，上述Al合金膜进一步包含0. 05 1原子％的稀土类元素。
8.根据权利要求3所述的布线结构，其特征在于，在与上述半导体层直接连接的上述Al合金膜的表面，形成有最大高度粗度Rz为5nm 以上的凹凸。
9.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，在上述布线膜与基板之间具备绝缘膜。
10.根据权利要求9所述的布线结构，其特征在于，上述布线膜是Cu合金膜，上述布线结构具有包含第一层(Y)和第二层(X)的叠层结构，其中上述第一层(Y)，由包含总计2 20原子％的从由Si、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、以及Mn组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金构成；上述第二层由纯Cu或者以Cu为主要成分的Cu合金、即电阻率比上述第一层(Y)更低的纯Cu或者Cu合金构成，上述第一层(Y)与上述基板及上述绝缘膜中的至少一个直接连接，上述第二层(X)与上述半导体层直接连接。
11.根据权利要求10所述的布线结构，其特征在于，上述第一层(Y)的膜厚为IOnm以上、IOOnm以下，且相对于Cu合金膜整体膜厚为60% 以下。
12.根据权利要求10所述的布线结构，其特征在于，一部分Mn在上述基板及上述绝缘膜中的至少一个与上述Cu合金膜之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。
13.根据权利要求9所述的布线结构，其特征在于，上述布线膜是含有从由胞、慰、&131、11、1%、01、1、以及恥组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金膜，且与上述基板及上述绝缘膜中的至少一个、以及上述半导体层直接连接。
14.根据权利要求13所述的布线结构，其特征在于，上述C u合金膜含有0. 5 10原子％的从由Mn、Ni、Si、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素。
15.根据权利要求13所述的布线结构，其特征在于，上述Cu合金膜至少含有0. 5原子％以上的Mn，且含有0. 3原子％以上的从由B、Ag、C、 W、Ca、以及Mg组成的群中选择的至少1种元素。
16.根据权利要求13所述的布线结构，其特征在于，一部分Mn在上述基板及上述绝缘膜中的至少一个与上述Cu合金膜之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。
17.根据权利要求9所述的布线结构，其特征在于， 上述布线膜是Cu膜。
18.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，上述氧化物半导体由含有从由h、Ga、ai、Ti、以及Sn组成的群中选择的至少1种元素的氧化物构成。
19.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求1所述的布线结构。
全文摘要
本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
文档编号G02F1/1343GK102473732SQ201080033080
公开日2012年5月23日 申请日期2010年7月27日 优先权日2009年7月27日
发明者前田刚彰, 后藤裕史, 岩成裕美, 平野贵之 申请人:株式会社神户制钢所