用于实现符合多重图样化技术的设计布局的方法和装置的制作方法

专利名称：用于实现符合多重图样化技术的设计布局的方法和装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路领域，更具体地，涉及用于实现符合多重图样化技术的设计布局的方法和装置。
背景技术：
集成电路(IC)技术被不断地改进。这种改进通常涉及缩小器件的几何尺寸来实现更低的制造成本、更高的器件集成密度、更快的速度以及更好的性能。光刻被频繁用于形成集成电路器件的部件。通常，曝光工具使光穿过光掩模或标线或者将光聚集到晶片的光刻胶层上，使得光刻胶层在其中具有集成电路部件的图像。通过曝光工具的最小间距印刷分辨率来限制具有小间隔的印刷器件图样。因此，实现双重图样化技术(DPT)以随着器件密度的增加而提高图样分辨率。DPT将图样布局分为两个掩模，基本上将图样布局的一些特征(feature，也可称作“部件”)分配给一个掩模以及将其他特征分配给另一掩模。然后， 两个掩模都被用在于将图样布局转印到晶片，增加了光刻限制。为了实现符合双重图样化的图样布局，一种示例性DPT方法基于各种DPT规则为图样布局的每一个特征分配第一颜色或第二颜色。分配有第一颜色的特征被形成在第一掩模上，以及分配有第二颜色的特征被形成在第二掩模上。被实施以分解图样布局的DPT规则通常是复杂的，并且还观察到所生成的图样布局仍然不符合DPT。一些DPT方法规定不允许缝合，这大大牺牲了布线灵活性。因此，尽管用于实现符合双重图样化的图样布局的现有方法一般都足以用于它们所预期的目的，但随着器件小型化的持续，它们不能在所有方面都令人满意。

发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种方法，包括设置具有布线轨迹的布线栅格； 向布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种；将具有多个特征的图样布局应用到布线栅格，其中，多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；应用特征分裂约束以确定图样布局是否为符合多重图样化的布局；当图样布局不是符合多重图样化的布局时，修改图样布局，直到实现符合多重图样化的布局；以及当图样布局是符合多重图样化的布局时，基于每个特征的对应的至少一个布线轨迹的颜色对多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用着色图样布局的特征生成至少两个掩模，其中，每个掩模都包括单种颜色的特征。其中，向布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种包括向在优选方向上延伸的布线轨迹指定至少两种颜色中的一种。其中，应用特征分裂约束以确定图样布局是否为符合多重图样化的布局包括确定多个特征是否符合非分裂约束。其中多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在与优选方向垂直的非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且确定多个特征是否符合非分裂约束包括识别包括在非优选方向上定向的特征部分的任何特征；确定是否有所识别的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹，以及当有所识别的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹时，将图样布局指定为不是符合多重图样化的布局。该方法还包括在将图样布局指定为不是符合多重图样化的布局之后修改图样布局，其中，修改包括重新设计图样布局。其中多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在与优选方向垂直的非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且应用特征分裂约束以确定图样布局是否为符合多重图样化的布局包括在优选方向上不应用特征分裂，以及在非优选方向上应用特征分裂。其中，在优选方向上不应用特征分裂包括确定优选方向上的特征之间的间隔是否等于或大于阈值；以及当优选方向上的特征之间的间隔小于阈值时，将图样布局指定为不是符合多重图样化的布局。其中，在非优选方向上应用特征分裂包括确定是否有特征需要分裂。其中优选布线轨迹指定有第一颜色和第二颜色，使得每隔一个优选布线轨迹都为第一颜色或第二颜色；以及确定是否有特征需要分裂包括识别没有占用奇数个布线轨迹的任何特征。该方法还包括对没有占用奇数个布线轨迹的任何特征执行接缝插入。此外，还提出了一种方法，包括设置具有在优选方向上定向的布线轨迹的布线栅格，其中，布线轨迹的每一个都指定有至少两种颜色中的一种；将具有多个特征的图样布局应用至布线栅格，其中，多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；确定图样布局是否符合应用于优选方向的第一特征分裂约束和应用于与优选方向垂直的非优选方向上的第二特征分裂约束；以及当图样布局符合第一特征分裂约束和第二特征分裂约束时，基于每个特征的对应的至少一个布线轨迹的颜色对多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用着色图样布局的特征生成至少两个掩模，其中，每个掩模都包括单种颜色的特征。其中多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且确定图样布局是否符合应用于优选方向的第一特征分裂约束包括检查任何特征之间在优选方向上的间隔是否小于阈值；以及当任何特征之间在优选方向上的间隔小于阈值时，将图样布局指定为不符合第一特征分裂约
束ο该方法还包括当任何特征之间在优选方向上的间隔小于阈值时，修改图样布局， 直到其图样布局符合第一特征分裂约束。其中，多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且确定图样布局是否符合应用于非优选方向的第二特征分裂约束包括确定是否有具有在非优选方向上定向的特征部分的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹，以及当有具有在非优选方向上定向的特征部分的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹时，将图样布局指定为不符合第二特征分裂约束。该方法还包括当有具有在非优选方向上定向的特征部分的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹时，修改图样布局，直到其符合第二特征分裂约束。
其中，修改图样布局包括对开始和结束于不同颜色的布线轨迹的、具有在非优选方向上定向的特征部分的任何特征执行接缝插入。其中，对开始和结束于不同颜色的布线轨迹的、具有在非优选方向上定向的特征部分的任何特征执行接缝插入包括确定对应于在非优选方向上定向的特征部分的布线轨迹的数量是否小于或等于布线轨迹制造阈值；当对应于在非优选方向上定向的特征部分的布线轨迹的数量小于或等于布线轨迹制造阈值时，确定在非优选方向上定向的特征部分是否为线或线末端；以及基于在非优选方向上定向的特征部分是否为线或线末端来确定最大接缝重叠长度MSOL。其中，确定在非优选方向上定向的特征部分是否为线或线末端包括确定特征部分的宽度是否大于或等于线末端宽度阈值，其中，当其大于或等于线末端宽度阈值时，在非优选方向上定向的特征部分为线，而当其小于线末端宽度阈值时，在非优选方向上定向的特征部分为线末端。其中，基于在非优选方向上定向的特征部分是否为线或线末端来确定MSOL包括当在非优选方向上定向的特征部分为线末端时，将最大接缝重叠长度设置为MS0L = 3P-W/2-W/2-2L其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及L是线和线末端之间的最小间隔，以及当在非优选方向上定向的特征部分为线时，将最大接缝重叠长度设置为MSOL = 3P-W/2-W/2-2R其中，R是线之间的最小间隔，最小行进间隔。其中，当在非优选方向上定向的特征部分为线末端时临近在非优选方向上定向的特征部分的每个端部预留至少一个没有特征的区域；以及确定MOSL包括将最大接缝重叠长度设置为MSOL = P+W/2+W/2其中，P是布线轨迹之间的最小间距，以及W是最小线宽度。其中，当在非优选方向上定向的特征部分为线末端且为包括在优选方向上定向的特征部分的特征的一部分，以使在非优选方向上定向的特征部分延伸穿过在优选方向上定向的特征部分时临近在非优选方向上定向的特征部分的每个端部预留至少一个没有特征的区域；以及确定MOSL包括将最大接缝重叠长度设置为MSOL = 5P-W/2-W/2-2L其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及L是线和线末端之间的最小间隔。其中，当在非优选方向上定向的特征部分为线且为包括在优选方向上定向的特征部分的特征的一部分，以使在非优选方向上定向的特征部分延伸穿过在优选方向上定向的特征部分时临近在非优选方向上定向的特征部分的每个端部预留至少一个没有特征的区域；以及确定MOSL包括将最大接缝重叠长度设置为MSOL = 5P-W/2-W/2-2R其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及R是线之间的最小间隔，最小行进间隔。其中，修改图样布局包括重新设计图样布局。
其中，设置具有在优选方向上定向的布线轨迹的布线栅格，其中，布线轨迹的每一个都指定有至少两种颜色中的一种包括为在优选方向上延伸的布线轨迹指定第一颜色和第二颜色中的一种，使得每隔一个布线轨迹都为第一颜色和第二颜色中的一种。其中多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且确定图样布局是否符合应用于非优选方向的第二特征分裂约束包括确定是否有具有在非优选方向上定向的特征部分的特征占用偶数个布线轨迹；以及对占用偶数个布线轨迹的、具有在非优选方向上定向的特征部分的任何特征执行接缝插入。该方法还包括临近不对应于至少一个布线轨迹的任何特征预留至少一个没有特征的区域。其中，多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在非优选方向上定向的特征部分或者二者；并且还包括临近不是非最小宽度的任何特征部分预留至少一个没有特征的区域。此外，还提出了一种装置，包括计算机可读介质，存储用于由至少一个计算机处理器执行的多个指令，其中，指令用于设置具有布线轨迹的布线栅格；向布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种；将具有多个特征的图样布局应用至布线栅格，其中，多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；应用特征分裂约束以确定图样布局是否为符合多重图样化的布局；当图样布局不是符合多重图样化的布局时，修改图样布局，直到实现符合多重图样化的布局；以及当图样布局是符合多重图样化的布局时，基于每个特征的对应的至少一个布线轨迹的颜色对多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用着色图样布局的特征生成至少两个掩模，其中，每个掩模都包括单种颜色的特征。


当读取符合时，根据以下详细描述更好地理解本公开的各个方面。应该强调的是， 根据工业的标准实践，各个部件没有按比率绘制。实际上，为了讨论的目的，可以任意增加或减小各个部件的尺寸。图1是根据本公开各个方面的用于实现符合多重图样化的布局的方法的流程图。图2至图4示出了根据图1的方法所估计的各种图样布局。图5至图8示出了根据图1的方法的作为符合多重图样化的布局的各种图样布局。图9至图13示出了根据图1的方法的作为符合多重图样化的布局的具有缝合插入的各种图样布局。图14示出了根据图1的方法的作为符合多重图样化的布局的图样布局。
具体实施例方式以下公开提供了用于实现各个实施例的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述了组件和配置的具体实例以简化本公开。当然，它们仅仅是实例并且不是用于限制的目的。此外，本公开可以在各个实例中重复参考标号和/或字母。这种重复时为了简化和清楚的目的，并不是用于表示所讨论的各个实施例和/或结构之间的关系。此外，以下描述中在第二部件上方或上形成第一部件可包括第一和第二部件被形成为直接接触的实施例， 并且还包括可以在第一和第二部件之间形成附加部件的实施例，使得第一和第二部件可以不直接接触。图1是根据本公开各个方面的用于实现符合多重图样化的布局的方法10的流程图。方法10开始于块12和14，提供具有布线轨迹的布线栅格以及对每一个布线轨迹指定至少两个颜色中的一种。在所示实施例中，布线栅格包括在优选方向上定向的布线轨迹。 布线栅格可包括在垂直于优选方向的非优选方向上定向的布线轨迹。在块16中，具有多个特征的图样布局被应用于布线栅格。多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的特征部分、在非优选方向上定向的特征部分、或者在两个方向上定向的特征部分。当图样布局被应用于布线栅格时，多个特征的每一个都对应于至少一个布线轨迹。在一些情况下，特征可以为“偏离轨迹”或“偏离栅格”，例如，特征可以位于两个布线轨迹之间，诸如在两个优选布线轨迹之间。在块18中，将特征分裂约束(feature splitting constraint)应用于图样布局， 以确定图样布局是否是多重图样化布局。特征分裂约束评估应用于布线栅格的图样布局的特征，并且可以在优选反向和/或非优选方向上应用。例如，应用于优选方向的特征分裂约束可以评估相同布线轨迹内的特征之间在优选方向上的间隔。在另一实例中，应用于非优选方向的特征分裂约束可以评估被图样布局的特征所占用的布线轨迹的开始和结束颜色， 以确定该特征是否表示分裂结果。在另一实例中，应用于非优选方向的特征分裂约束可以评估被图样布局的特征所占用的布线轨迹的数量，以确定该特征是否表示分裂结果。在一个实例中，特征分裂约束指明在优选和/或非优选方向上不允许分裂。在块20中，如果图样布局不是符合多重图样化的布局，则通过修改图样布局来继续方法10，直到实现符合多重图样化的布局。在一个实例中，重新设计图样布局以实现符合多重图样化的布局。在另一实例中，将缝合插入(stitch insertion)应用于图样布局以实现符合多重图样化的布局。是否重新设计图样布局或是否将缝合插入应用于图样布局都可以取决于特征分裂约束。例如，特征分裂约束可以表明不允许分裂或缝合插入，在这种情况下将重新设计图样布局来实现不分裂。在块22中，如果图样布局是符合多重图样化的布局，则多个特征的每一个都基于对应于至少一个布线轨迹的每个特征的颜色来着色。例如，包括在优选方向上定向的单个特征部分的特征可对应于指定为第一颜色的优选布线轨迹，因此，该特征将被分配有第一颜色。包括在非优选方向上定向的单个特征部分的特征可对应于(换句话说，占用)多于一个的优选布线轨迹，因此，该特征将根据特征的精确定向而被分配有单一颜色或者多重颜色。然后，以着色图样布局的特征生成至少两个掩模。每个掩模都包括单一颜色的特征。 例如，如果着色图样布局的特征着有第一颜色和第二颜色中的一种颜色，则制造具有第一颜色的特征的第一掩模和具有第二颜色的特征的第二掩模。在方法10之前、期间和之后可以设置附加步骤，并且对于该方法的其他实施例，可以替代或取消所描述的一些步骤。以下讨论示出了根据图1的方法10的用于实现符合多重图样化的技术设计布局的各个实施例。图2示出了根据图1的方法10的作为符合多重图样化的布局的图样布局。在图 2中，设置具有布线轨迹31、32、33、34、35、36和37的布线栅格30。布线轨迹31至37被定向为彼此平行，并且在优选方向上(例如，垂直地)定向(或延伸)。垂直于优选方向来定
8向非优选方向，例如水平。布线轨迹31至37的每一个都可以表示用于集成电路器件的潜在布线路径。在所示实施例中，布线轨迹31至37的每一个都分别与相邻的布线轨迹31至 37隔开相等距离。例如，布线轨迹31与相邻的布线轨迹32隔开距离d。距离d提供了充足的空间来放置特征(例如，集成电路器件的线)以及紧邻该特征的任何所需间隔。更具体地，距离d可以表示(特征之间的)最小间隔规则加上(特征的)最小宽度规则。布线轨迹31至37的每一个都指定有一种颜色。例如，在所示实施例中，布线轨迹 31至37的每一个都指定有两种颜色中(诸如颜色A和颜色B)的一种。从布线轨迹31开始，布线轨迹31至37的每一个都指定有颜色A或颜色B，使得两个相邻的布线轨迹不是相同的颜色。在所示实施例中，每隔一个布线轨迹都指定有相同颜色，布线轨迹31、33、35和 37指定有颜色A，布线轨迹32、34和36指定有颜色B。可选地，根据图样布局将分裂(分解)为多少掩模，布线栅格30可以按三种颜色、四种颜色或任何其他数量的颜色进行限定。 例如，如果图样布局将被分裂为三个掩模，则布线栅格30的布线轨迹31至37的每一个可以指定有三种颜色(颜色A、颜色B和颜色C)中的一种，使得布线轨迹31、34和37指定有颜色A，轨迹32和35指定有颜色B，以及布线轨迹33和36指定有颜色C。图样布局40被应用于具有颜色限定的布线轨迹31至37的布线栅格30。图样布局40表示集成电路器件的一部分的布局。典型地，使用多重图样布局来制造集成电路器件，其中，每一个图样布局都限定集成电路器件的一层。在所示实施例中，为了简化和清楚， 本文的实例是指单一图样布局。然而，本文所公开的方法10旨在利用集成电路器件的所有图样布局来实现。图样布局40可包括集成电路器件、金属线、通孔连接、沟槽、其他集成电路元件或它们的组合的布局。可以以计算机辅助设计(CAD)格式(诸如GDS格式)来设置图样布局(还被称为设计布局)。在所示实施例中，图样布局40包括特征(或图样)41、42、 43、44、45、46和47。特征41至47可以为多晶硅栅极线、金属线、触点、沟槽、其他集成电路器件特征或它们的组合。图样布局40的特征41至47可以被成型为线、线末端、接触孔、弯管形、T形、L形、Z形、其他适当的形状或者它们的组合。在所示实施例中，特征41至47均包括在优选方向上定向的单个特征部分。换句话说，与布线轨迹31至37类似，每个特征都垂直延伸。可选地，特征41至47可包括多于一个的特征部分，并且特征41至47可包括在优选方向、非优选方向或两个方向上定向的一个或多个特征部分。在所示实施例中，图样布局40相对于布线栅格30进行布置，具体地，布线轨迹31 至37限定了形成图样布局40的各个特征41至47的位置。特征41至47的每一个都对应于布线轨迹31至37的至少一个。例如，特征41和42在优选方向上定向并对应于布线轨迹31。换句话说，特征41和42占用布线轨迹31。考虑其他特征，特征43对应于(占用) 布线轨迹32，特征44对应于(占用)布线轨迹33，特征45对应于(占用)布线轨迹34，以及特征46和47对应于(占用)布线轨迹36。在目前的实例中，没有特征对应于布线轨迹 35和37。如以下将进一步讨论的，特征41至47可以基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来着色，从而提供着色的图样布局。在所示实施例中，由于特征41、42和44分别对应于指定为颜色A轨迹的布线轨迹31和33，所以特征41、42和44着有颜色A。类似地，由于特征 43、45、46和47分别对应于指定为颜色B轨迹的布线轨迹32、34和36，所以特征43、45、46 和47着有颜色B。然而，在对各个特征进行着色之前，评估图样布局40以基于其对应的布线轨迹确定其是否符合多重图样化。
更具体地，向图样布局40应用特征分裂约束以确定该图样布局是否为符合多重图样化的布局。术语“符合多重图样化的布局”是指可以用于多重图样化技术分解的图样布局，指的是该图样布局可以被分解为多个(至少两个)子图样，每一个子图样都形成在独立的掩模上，使得在其上具有子图样的掩模可用于重新组合这些子图样来形成原始的图样布局，同时制造集成电路器件的一部分。在所示实施例中，特征分裂约束基于光刻系统的最小间隔/间距分辨率。对于给定的光刻系统，必须符合相邻特征之间的最小间距或最小距离，以防止印刷图样布局的特征时的变形。最小间距可包括相邻线之间的最小间隔、线末端之间的最小间隔、相邻触点的最小间距或者其他适当的间隔。在所示实施例中，最小间距/ 间隔被称为GO间隔或者分裂阈值或分解标准，其限定了相同掩模内相邻特征之间的最小间隔。具有小于GO间隔的间距或间隔的相邻特征彼此太靠近，在集成电路器件制造期间， 当在光刻胶层上印刷时这种特征非常有可能变形。因此，这些特征需要分解为不同的掩模。 在所示实施例中，如果两个相邻特征的间隔小于给定的GO间隔(分裂阈值)，则它们具有分裂约束。参照图2，在所示实施例中，特征分裂约束包括应用于优选方向的间隔约束以及应用于非优选方向的另一间隔约束。例如，在优选方向上(换句话说，对相同布线轨迹内的特征)应用宽松的间隔/间距规则，以及在非优选方向上(换句话说，对不同布线轨迹内的特征)应用严格的间隔/间距规则。假设GO间隔(最小间距/间隔)由χ表示，宽松的间隔 /间距规则可以将相同轨迹内特征之间的最小间隔限定为大于或等于x(G0间隔)的一些值，而严格的间隔/间距规则可以将不同布线轨迹中特征之间的最小间隔限定为小于x(G0 间隔)的一些值。例如，作为符合多重图样化的布局，相同布线轨迹内特征之间的间隔必须通过阈值大于或等于X，以及不同布线轨迹中特征之间的最小间隔可通过阈值小于χ。在一个实例中，宽松的间隔(相同布线轨迹内特征之间的间隔)必须大于或等于X，严格的间隔 (不同布线轨迹内特征之间的间隔)大约为0.4x。优选和非优选方向上的阈值可以为相同或不同的值。如上所述，特征41至47可以基于它们对应的布线轨迹来着色，并且在所示实施例中，由于布线轨迹31至37在两种颜色之间交替，所以特征41至47将在两种颜色之间交替，使得相邻布线轨迹中的两个特征不会着有相同颜色，因此将不会形成在相同掩模中。 另一方面，相同轨迹内的特征将着有相同颜色，因此将形成在相同的掩模中。因此，不同布线轨迹中特征之间的间隔可以小于指定的GO间隔，相同布线轨迹中特征之间的间隔需要大于或等于GO间隔，以确保相同布线轨迹(换句话说，相同掩模)内的特征将不会变形。在所示实施例中，特征41至47之间的间隔符合间隔/间距规则，因此，图样布局 40被着色并分解为两个掩模，其中颜色A特征形成在掩模A上，颜色B特征形成在掩模B 上。更具体地，在图2中，特征41、42和44被指定为颜色A并形成在掩模A上，特征43、45、 46和47被指定为颜色B并形成在掩模B上。在掩模A和B上限定的特征41至47表示图样布局40。掩模A和B可用于在集成电路器件制造期间将图样布局40的图像印刷到光刻胶层中。在图2中，由于特征41至47均在优选方向上定向并且特征41至47的每一个均占用单一布线轨迹，所以特征41至47都没有表现出特征分解/分裂问题。换句话说，特征41至47的每一个都形成在掩模A或掩模B上而不是必须分解任何特征(其中，特征的一部分形成在掩模A上，特征的另一部分形成在掩模B上)。以下讨论转到表现特征分解/分裂问题的图样布局。将特征分裂约束应用于图样布局以确定该图样布局是否为符合多重图样化的布局，这可以表明是否允许特征缝合。在一个实例中，特征分裂约束指明在优选和 /或非优选方向上不允许缝合，因此，要求任何特征分解的图样布局都不是符合多重图样化的布局。该特征分裂约束可以被称为无缝合约束(图幻。在这种情况下，具有任何特征要求分解的图样布局将需要进行修改，直到其变为符合多重图样化的布局(换句话说，不要求缝合的图样布局)。在另一实例中，特征分裂约束指明在优选和/或非优选方向上允许缝合。在这种情况下，可通过将接缝插入任何要求分解的特征中来修改具有任何要求分解的特征的图样布局，使其变为符合多重图样化的布局。该特征分裂约束可以称为缝合约束 (图4)。在这些情况下(图2至图4)，特征分裂约束是基于被特征占用的布线轨迹的数量或者被特征占用的布线轨迹的开始和结束颜色。更具体地，如以下详细描述的，对于图样布局中的每个特征，评估被特征占用的布线轨迹的数量或者被特征占用的布线轨迹的开始和结束颜色来确定该图样布局是否要求任何特征分解。图3示出了根据图1的方法10的不符合多重图样化的布局的图样布局。在图3 中，提供具有限定颜色的布线轨迹31至37的布线栅格30，并且将图样布局50应用于具有限定颜色的布线轨迹31至37的布线栅格30，使得图样布局的特征51至56对应于布线轨迹31至37的至少一个。特征51至56可以为多晶硅栅极线、金属线、触点、沟槽、其他集成电路器件特征或它们的组合。图样布局50的特征51至56可以成型为线、线末端、接触孔、 弯管形、T形、L形、Z形、其他合适的形状或它们的组合。在所示实施例中，特征51在优选方向上定向并对应于布线轨迹31，特征53在优选方向上定向并对应于布线轨迹32，特征M 在优选方向上定向并对应于布线轨迹33，以及特征56在优选方向上定向并对应于布线轨迹36。特征52包括对应于布线轨迹32和33的在非优选方向上定向的单个特征部分。特征55对应于布线轨迹34至36。更具体地，特征55包括对应于布线轨迹34的在优选方向上定向的特征部分^A以及对应于布线轨迹34、35和36的在非优选方向上定向的特征部分 55B。在所示实施例中，特征分裂约束没有指定对于符合多重图样化的布局的特征分裂。特征分裂约束基于被特征占用的布线轨迹的数量或者被特征占用的布线轨迹的开始和结束颜色来确定图样布局50是否要求任何特征分裂。例如，应用于图样布局50的特征分裂约束指定允许在相同颜色的布线轨迹上开始和结束的特征(换句话说，这些特征不要求分裂)，以及不允许在不同颜色的布线轨迹上开始和结束的特征(换句话说，这些特征要求分裂)。参照图3，由此通过评估特征的开始和结束布线轨迹的颜色来确定图样布局50的特征51至56中的一个是否需要分裂。例如，特征51、53、54和56均占用单一颜色的单一布线轨迹，由此不要求分裂。特征55占用三个布线轨迹(布线轨迹34至36)，其中，开始布线轨迹34和结束布线轨迹36为相同的颜色(颜色B)。由于特征55在相同颜色的布线轨迹上开始和结束，所以特征55将不要求分裂来用于图样分解。相反，特征52占用两个布线轨迹(布线轨迹32和33)，其中，开始布线轨迹32 (颜色B)和结束布线轨迹33 (颜色A) 为不同的颜色。这表明特征52将要求分裂来获得符合多重图样化的布局。因此，由于应用于图3的图样布局50的特征分裂约束指定没有分裂(或者没有缝合)，所以图样布局50不能限定为符合多重图样化的布局。可以修改图样布局50直到其符合无分裂/缝合约束，从而实现符合多重图样化的布局，并且图样布局50可以被分解为多于一个的掩模。
图4示出了根据图1的方法10的作为符合多重图样化的布局的图样布局。在图 4中，提供具有限定颜色的布线轨迹31至37的布线栅格30，并且将图样布局60应用于具有限定颜色的布线轨迹31至37的布线栅格30，使得图样布局60的特征61至65对应于布线轨迹31至37的至少一个。特征61至65可以为多晶硅栅极线、金属线、触点、沟槽、其他集成电路器件特征或它们的组合。图样布局60的特征61至65可以成型为线、线末端、接触孔、弯管形、T形、L形、Z形、其他合适的形状或它们的组合。在所示实施例中，特征61和 62在优选方向上定向并对应于布线轨迹31，以及特征63在优选方向上定向并对应于布线轨迹32。特征64包括对应于布线轨迹33的在优选方向上定向的特征部分64A以及对应于布线轨迹33、34和35的在非优选方向上定向的特征部分64B。因此，特征64开始于布线轨迹33并结束于布线轨迹35。特征65包括特征部分65A、65B和65C。特征部分65A和65C 在优选方向上定向并分别对应于布线轨迹34和37。特征部分65B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹34、35、36和37。因此，特征部分65开始于布线轨迹34并结束于布线轨迹 37。在所示实施例中，特征分裂约束指定对于符合多重图样化的布局在非优选方向上允许分裂的特征。类似于上面参照图3描述的特征分裂约束，特征分裂约束基于被特征占用的布线轨迹的数量或者被特征占用的布线轨迹的开始和结束颜色来确定图样布局60是否要求任何特征分裂。例如，应用于图样布局60的特征分裂约束指定在相同颜色的布线轨迹上开始和结束的特征不要求分裂，以及在不同颜色的布线轨迹上开始和结束的特征要求分裂。与上面参照图3描述的特征分裂约束相反，在所示实施例中，在非优选方向上允许特征分裂。参照图4，由此通过评估特征的开始和结束布线轨迹的颜色来确定图样布局60的特征61至65中的一个是否要求分裂。特征61、62和63均占用单一颜色的单一布线轨迹， 因此不要求分裂。特征64占用三个布线轨迹(布线轨迹33至35)，其中，开始轨迹33和结束轨迹35为相同颜色(颜色A)。由于特征64在相同颜色的布线轨迹上开始和结束，所以特征64将不要求用于图像分解的分裂。相反，特征65占用四个布线轨迹(布线轨迹34 至37)，其中，开始布线轨迹34 (颜色B)和结束布线轨迹37 (颜色A)为不同的颜色。这表明特征65将要求分裂来获得符合多重图样化的布局。由于应用于图4的图样布局60的特征分裂约束指定在非优选方向上允许分裂，所以如果接缝被插入到特征要求分裂中，则图样布局60限定为符合多重图样化的布局。可通过在特征65的非优选方向上定向的特征部分65B中插入接缝来修改图样布局60，从而实现符合多重图样化的布局，并且图样布局60 可以被分解为多于一个的掩模。然后，基于每个特征的对应布线轨迹来对特征61至65进行着色。由于特征61和 62对应于布线轨迹31 (指定为颜色A轨迹)，所以特征61和62着有颜色A。由于特征63 对应于布线轨迹32 (指定为颜色B轨迹)，所以特征63着有颜色B。由于特征64不要求分裂，所以其指定有其对应的开始和结束布线轨迹的颜色(颜色A)。如上所述，特征65在不同颜色的布线轨迹上开始和结束(开始于颜色B的布线轨迹34并结束于颜色A的布线轨迹37)，因此需要分裂。由于特征分裂约束指定在非优选方向上允许分裂，所以特征65的一部分着有颜色B (其开始布线轨迹34的颜色)，而特征65的另一部分着有颜色A (其结束布线轨迹37的颜色)。更具体地，由于特征部分65A和65C分别对应于布线轨迹34和37 (分别指定有颜色B和颜色A)，所以特征部分65A着有颜色B，特征部分65B着有颜色A。特征部分65B开始于颜色A的布线轨迹34并结束于颜色B的布线轨迹37，因此如图4所示，特征部分65B着有两种颜色A和B。特征部分65着有颜色A和颜色B的部分彼此重叠以合并接缝。然后，着色图样布局60被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在掩模A上，以及颜色B特征形成在掩模B上。更具体地，在图4中，特征61、特征62、特征64以及特征65 的一部分被指定为颜色A并形成在掩模A上。特征63以及特征65的一部分被指定为颜色 B并形成在掩模B上。在掩模A和B上限定的特征61至65表示图样布局60。掩模A和B 可用于在集成电路器件制造期间将图样布局60的图像印刷到光刻胶层中。参照图3和图4，不再关注特征的对应开始和结束布线轨迹的颜色，可以评估被每个特征所占用的布线轨迹的数量来快速地确定是否有任何图样特征需要分裂。例如，在图 3和图4中，在布线轨迹指定有两种颜色中的一种的情况下，可以应用规则来指定该特征可以占用奇数的布线轨迹而不是偶数的布线轨迹。例如，根据图3和图4，特征52和65占用偶数的布线轨迹(分别为两个和四个)。这表示这些特征将要求分裂。另一方面，特征55 和64占用奇数的布线轨迹(三个)，表明这些特征将不要求分裂。特征51、53、M、56、61、 62和63占用奇数的布线轨迹(一个)，表明这些特征也不要求分裂。据此，在特征分裂约束表明无分裂的情况下，快速地确定图样布局50不是符合多重图样化的布局(因为特征 52占用偶数的布线轨迹)。另一方面，在特征分裂约束允许分裂的情况下，快速地确定图样布局60的哪些特征要求分裂和缝合(特征65需要分裂和缝合，因为其占用偶数的布线轨迹)。随着指定给布线轨迹的颜色数量的增加，可以确定颜色的数量和分裂之间的关系，以在评估多重图样化符合时应用于图样布局。图5至图8示出了基于各种特征分裂约束的根据图1的方法10的作为符合多重图样化的布局的图样布局。参照图5，特征分裂约束指定在优选方向上不允许特征分裂。在图 5中，设置具有布线轨迹101、102和103的布线栅格100。布线轨迹101至103被定向为彼此平行，并且在优选方向上(例如，垂直地)被定向(或延伸)。非优选方向垂直于优选方向进行定向，例如水平。布线轨迹101至103的每一个都可以表示集成电路器件的潜在路线路径。在所示实施例中，布线轨迹101至103的每一个都分别与相邻的布线轨迹101至 103隔开相等距离。通过(特征之间的)最小间隔规则加上(特征的)最小宽度规则，每个布线轨迹与每个相邻的布线轨迹隔开一定距离。布线轨迹101至103的每一个都指定有一种颜色。例如，在所示实施例中，布线轨迹101至103的每一个都指定有两种颜色中(诸如颜色A和颜色B)的一种。从布线轨迹101开始，布线轨迹101至103的每一个都指定有颜色A或颜色B，使得两个相邻的布线轨迹不是相同的颜色。在所示实施例中，每隔一个布线轨迹都指定有相同颜色，布线轨迹101和103指定有颜色A，以及布线轨迹102指定有颜色 B。可选地，根据图样布局将分裂(分解)为多少掩模，布线栅格100可以限定有三种颜色、 四种颜色或任何其他数量的颜色。图样布局110被应用于具有颜色限定的布线轨迹101至103的布线栅格100。图样布局110表示集成电路器件的一部分的布局。典型地，使用多重图样布局来制造集成电路器件，其中，每一个图样布局都限定集成电路器件的一层。在所示实施例中，为了简化和清楚，本文的实例是指单一图样布局。然而，本文所公开的方法10旨在利用集成电路器件的所有图样布局来实现。图样布局110可包括集成电路器件、金属线、通孔连接、沟槽、其他集成电路元件或它们的组合的布局。可以以计算机辅助设计(CAD)格式(诸如GDS格式) 来设置图样布局(还被称为设计布局)。在所示实施例中，图样布局110为一维布局，包括特征(或图样)111、112、113和114。特征111至114可以为多晶硅栅极线、金属线、触点、 沟槽、其他集成电路器件特征或它们的组合。图样布局110的特征111至114可以被成型为线、线末端、接触孔、弯管形、T形、L形、Z形、其他适当的形状或者它们的组合。在所示实施例中，特征111至114均包括在优选方向上定向的单个特征部分。换句话说，与布线轨迹 101至103类似，每个特征都垂直延伸。可选地，特征111至114可包括多于一个的特征部分，并且特征111至114可包括在优选方向、非优选方向或两个方向上定向的一个或多个特征部分。在所示实施例中，图样布局110相对于布线栅格100进行布置，具体地，布线轨迹 101至103限定了形成图样布局110的各个特征111至114的位置。特征111至114的每一个都对应于布线轨迹101至103的至少一个。例如，特征111在优选方向上定向并对应于布线轨迹101，特征112和113对应于布线轨迹102，以及特征114对应于布线轨迹103。如上所述，在目前的实例中，特征分裂约束指定对于符合多重图样化的布局在优选方向上不允许特征分裂。更具体地，特征分裂约束指定在特征之间的优选方向上可以不是GO间隔。因此，评估图样布局110以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔-评估优选方向上特征111至114之间的间隔以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔。 例如，在相同布线轨迹内的特征112和113之间评估间隔S，其大于或等于目前实例中的GO 间隔。因此，图样布局110是符合多重图样化的，因为在优选方向上不要求特征分裂。应该注意，因为占用相邻布线轨迹的特征将分配给不同掩模(两个相邻的布线轨迹不指定相同颜色)，所以在相邻特征之间的非优选方向上允许GO间隔。然后，基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征111至114进行着色。分别与布线轨迹101和103(指定为颜色A轨迹)相对应的特征111和114着有颜色A。特征112 和113与布线轨迹102(指定为颜色B轨迹)相对应，所以特征112和113着有颜色B。着色的图样布局110可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局110的图像印刷到光刻胶层中。参照图6，特征分裂约束指定在优选方向上不允许特征分裂。在图6中，设置具有限定颜色的布线轨迹121至124的布线栅格120，并且向具有限定颜色的布线轨迹121至 124的布线栅格120应用图样布局130，使得图样布局130的特征131至136对应于布线轨迹121至124的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹121至124的布线栅格120类似于上述布线栅格，具有特征131至136的图样布局130类似于上述图样布局。在所示实施例中， 特征131在优选方向上定向并对应于布线轨迹121，特征132和133在优选方向上定向并对应于布线轨迹122，特征134和135在优选方向上定向并对应于布线轨迹123，以及特征 136在优选方向上定向并对应于布线轨迹124。在所示实施例中，特征分裂约束指定符合多重图样化的布局在优选方向上不允许特征分裂。更具体地，特征分裂约束指定在特征之间的优选方向上可以没有GO间隔。因此， 评估图样布局130以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔-评估优选方向上特征 131至136之间的间隔。例如，在相同布线轨迹122内的特征132和133之间评估间隔S，以及在相同布线轨迹123内的特征134和135之间评估间隔S。在所示实施例中，间隔特征132和133以及特征134和135大约或等于GO间隔。因此，图样布局130符合多重图样化。然后，基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征131至136进行着色。特征 131与布线轨迹121 (指定为颜色A轨迹)相对应，所以特征131着有颜色A。特征132和 133与布线轨迹122(指定为颜色B轨迹)相对应，所以特征132和133着有颜色B。特征 134和135与布线轨迹123 (指定为颜色A轨迹)相对应，所以特征134和135着有颜色A。 特征136与布线轨迹124(指定为颜色B轨迹)相对应，所以特征136着有颜色B。着色的图样布局130可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局130的图像印刷到光刻胶层中。参照图7，特征分裂约束指定在优选方向或非优选方向上不允许特征分裂。在图7 中，设置具有限定颜色的布线轨迹141至146的布线栅格140。向具有限定颜色的布线轨迹 141至146的布线栅格140应用图样布局150，使得图样布局150的特征151至159对应于布线轨迹141至146的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹141至146的布线栅格140类似于上述布线栅格，具有特征151至159的图样布局150类似于上述图样布局。在所示实施例中，图样布局150是二维QD)图样布局，包括具有在优选和非优选方向上定向的特征部分的特征。在所示实施例在，特征151、152、153、154、155、156、157、158和159的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征151对应于布线轨迹141，特征152对应于布线轨迹142，特征153和155对应于布线轨迹143，特征156对应于布线轨迹144，特征 157和158对应于布线轨迹145，以及特征159对应于布线轨迹146。特征IM包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并且对应于布线轨迹142、143和144。更具体地，特征部分154A在优选方向上定向并对应于布线轨迹142，特征部分154B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹142至144，以及特征部分154C在优选方向上定向并对应于布线轨迹 144。在所示实施例中，如上所述，特征分裂约束指定符合多重图样化的布局在优选方向或非优选方向上不允许特征分裂。更具体地，特征分裂约束指定(1)在特征之间的优选方向上可以没有GO间隔，以及(2)所有特征必须开始和结束于相同颜色的布线轨迹(或者可选地，所有特征必须占用奇数的布线轨迹)。在优选方向上应用特征分裂约束，评估图样布局150的特征151至159之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔。例如，在相同布线轨迹142 内的特征152和IM之间评估间隔S，在相同布线轨迹143内的特征153和IM之间评估间隔S，在相同布线轨迹143内的特征155和154之间评估间隔S，在相同布线轨迹144内的特征IM和156之间评估间隔S，以及在相同布线轨迹145内的特征157和158之间评估间隔S。在所示实施例中，特征之间(152/154、153/154、154/155、154/156和157/158)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局150符合应用于优选方向的特征分裂约束ο在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征151至159的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。特征151、152、153、155、156、157、158和159都占用单一颜色的单个布线轨迹，因此这些特征不要求分裂。特征154占用三个布线轨迹 (布线轨迹142至144)，其中，开始布线轨迹142和结束布线轨迹144为相同的颜色(颜色 B)。由于特征IM开始和结束于相同颜色的布线轨迹，所以特征1 将不要求分裂以进行图像分解。因此，所有特征151至159开始和结束于相同颜色的布线轨迹，表明在图样分解中不要求特征分裂。可选地，如上所述，在非优选方向上应用特征分离约束可以涉及评估被特征151至159的每一个所占用的布线轨迹的数量。在所示实施例中，特征151、152、153、 155、156、157、158和159均占用单个布线轨迹，以及特征154占用三个布线轨迹。因此，所有特征151至159都占用奇数的布线轨迹，表明在图样分解中不要求特征分裂。因此，图样布局150符合应用于非优选方向的特征分裂约束。应该注意，因为占用相邻布线轨迹的特征将分配给不同的掩模(由于两个相同的布线轨迹将不会指定相同颜色)，所以在相邻特征之间的非优选方向上允许有GO间隔。由于图样布局150符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，所以特征151 至159基于每个特征的对应布线轨迹来着色。特征151与布线轨迹141 (指定为颜色A轨迹)相对应，所以特征151着有颜色A。特征152与布线轨迹142(指定为颜色B轨迹)相对应，所以特征152着有颜色B。特征153和155与布线轨迹143(指定为颜色A轨迹)相对应，所以特征153和155着有颜色A。特征IM不要求分裂，所以其指定有其对应开始 (142)和结束(144)布线路径的颜色(颜色B)。特征156与布线轨迹144(指定为颜色B 轨迹)相对应，所以特征156着有颜色B。特征157和158与布线轨迹145(指定为颜色A 轨迹)相对应，所以特征157和158着有颜色A。特征159与布线轨迹146(指定为颜色B 轨迹)相对应，所以特征159着有颜色B。然后，着色的图样布局150可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局150的图像印刷到光刻胶层中。参照图8，特征分裂约束指定在优选方向上不允许特征分裂以及在非优选方向上允许特征分裂。在图8中，设置具有限定颜色的布线轨迹161至169的布线栅格160。向具有限定颜色的布线轨迹161至169的布线栅格160应用图样布局170，使得图样布局170的特征171至184对应于布线轨迹161至169的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹161至 169的布线栅格160类似于上述布线栅格，具有特征171至184的图样布局170类似于上述图样布局。在所示实施例中，图样布局170是二维QD)图样布局，包括具有在优选和非优选方向上定向的特征部分的特征。在所示实施例中，特征171、172、173、174、176、177、178、 179、180、181、183和184的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征171对应于布线轨迹161，特征172对应于布线轨迹162，特征173和174对应于布线轨迹163，特征176对应于布线轨迹164，特征177对应于布线轨迹165，特征178和179对应于布线轨迹166，特征180和181对应于布线轨迹167，特征183对应于布线轨迹168，以及特征184 对应于布线轨迹169。特征175包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹162、163和164。更具体地，特征部分175A在优选方向上定向并对应于布线轨迹 162，特征部分175B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹162至164，以及特征部分175C 在优选方向上定向并对应于布线轨迹164。特征182包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹165、166、167和168。更具体地，特征部分182A在优选方向上定向并对应于布线轨迹165，特征部分182B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹165至168，以及特征部分182C在优选方向上定向并对应于布线轨迹168。在所示实施例中，如上所述，特征分裂约束指定符合多重图样化的布局在优选方向上不允许特征分裂并且在非优选方向上允许特征分裂。更具体地，特征分离约束指定(1) 在特征之间的优选方向上可以没有GO间隔，以及(2)开始和结束于相同颜色的布线轨迹的特征(或者可选地，占用奇数的布线轨迹的特征)不要求分裂，以及开始和结束于不同颜色的布线轨迹的特征(或者可选地，占用偶数的布线轨迹的特征)要求分裂。尽管特征分离约束表明在非优选方向上允许特征分裂，但如果图样布局要求特征分裂，则其不是符合多重图样化的布局，直到任何所要求的接缝插入被应用于图样布局时。使用在优选方向上应用的特征分裂约束，评估图样布局170的特征171至184之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔。例如，在相同布线轨迹162内的特征172和175之间评估间隔S，在相同布线轨迹163内的特征173和175 之间评估间隔S，在相同布线轨迹163内的特征174和175之间评估间隔S，在相同布线轨迹164内的特征175和176之间评估间隔S，在相同布线轨迹165内的特征177和182之间评估间隔S，在相同布线轨迹166内的特征178和182之间评估间隔S，在相同布线轨迹 166内的特征179和182之间评估间隔S，在相同布线轨迹167内的特征180和182之间评估间隔S，在相同布线轨迹167内的特征181和182之间评估间隔S，以及在相同布线轨迹 168内的特征182和183之间评估间隔S。在所示实施例中，特征之间(172/175、173/175、 174/175、175/176、177/182、178/182、179/182、180/182、181/182 和 182/183)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局170符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征171至184的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。特征171、172、173、174、176、177、178、179、 180、181、183和184均占用单一颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征 175占用三个布线轨迹(布线轨迹162至164)，其中，开始布线轨迹162和结束布线轨迹164 为相同的颜色(颜色B)。由于特征175开始和结束于相同颜色的布线轨迹，所以特征175 将不要求分裂以进行图像分解。相反，特征182占用四个布线轨迹(布线轨迹165至168)， 其中，开始布线轨迹165和结束布线轨迹168分别为不同的颜色(颜色A和颜色B)。由于特征182开始和结束于不同颜色的布线轨迹，所以特征183将要求分裂以进行图样分解。可选地，如上所述，在非优选方向上应用特征分离约束可以涉及评估被特征171至184的每一个所占用的布线轨迹的数量。在所示实施例中，特征171、172、173、174、176、177、178、179、 180、181、183和184均占用单个布线轨迹，特征175占用三个布线轨迹，特征182占用四个布线轨迹。因此，可以快速地确定只有占用偶数个布线轨迹的特征182要求分裂。由于特征182要求分裂，所以图样布局150不是符合多重图样化的布局。然而，由于应用于非优选方向的特征分裂约束允许分裂，所以向特征182接缝插入，使得图样布局150变为符合多重图样化的布局。在所示实施例中，向在非优选方向上定向的特征182的特征部分182B应用接缝插入。例如，向特征部分182B应用奇数的接缝。这可以涉及延伸将分配有颜色A的特征部分182B的部分或者将分配有颜色B的特征部分182B的部分，使得相对于特征182在图样布局170中存在重叠区域。因此，图样布局170符合应用于非优选方向的特征分裂约束。应该注意，由于占用相邻布线轨迹的特征将分配给不同掩模(由于两个相邻的布线轨迹不会指定相同的颜色)，所以在相邻特征之间的非优选方向上允许GO间隔。
一旦将接缝插入应用于图样布局170以使图样布局170符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，就基于每个特征的对应布线轨迹来对特征171至184进行着色。 特征171对应于布线轨迹161 (指定为颜色A轨迹)，所以特征171着有颜色A。特征172 对应于布线轨迹162 (指定为颜色B轨迹)，所以特征172着有颜色B。特征173和174对应于布线轨迹163 (指定为颜色A轨迹)，所以特征173和174着有颜色A。特征176对应于布线轨迹164 (指定为颜色B轨迹)，所以特征176着有颜色B。特征177对应于布线轨迹165 (指定为颜色A轨迹)，所以特征177着有颜色A。特征178和179对应于布线轨迹 166(指定为颜色B轨迹)，所以特征178和179着有颜色B。特征180和181对应于布线轨迹167 (指定为颜色A轨迹)，所以特征180和181着有颜色A。特征183对应于布线轨迹168 (指定为颜色B轨迹)，所以特征183着有颜色B。特征184对应于布线轨迹169 (指定为颜色A轨迹)，所以特征184着有颜色A。特征175不要求分裂，所以其指定有其对应的开始(162)和结束(164)布线轨迹的颜色。相反，特征182开始和结束于不同颜色的布线轨迹(开始于颜色A布线轨迹165以及结束于颜色B布线轨迹168)，因此要求分裂。特征182的一部分着有颜色A (其开始布线轨迹165的颜色)，以及特征182的另一部分着有颜色B (其结束布线路径168的颜色)。更具体地，由于特征部分182A和182C分别对应于布线轨迹165和168 (分别指定为颜色A和颜色B)，所以特征部分182A着有颜色A，以及特征部分182C着有颜色B。特征部分182B开始于颜色A的布线轨迹165且结束于颜色B的布线轨迹168，因此如图8所示，特征部分182B着有颜色A和B。特征部分182B着有颜色A 和颜色B的部分彼此重叠以合并接缝。然后，着色的图样布局170可以被分解为两个掩模， 其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局170的图像印刷在光刻胶层中。图9至图13示出了根据图1的方法10的作为符合多重图样化的布局的具有接缝插入的图样布局。在图9至图13中，应用于图样布局的特征分裂约束类似于应用于图8的图样布局170的特征分裂约束。更具体地，应用于图9至图13的图样布局的特征分裂约束指明对于符合多重图样化的布局在优选方向上不允许特征分裂以及在非优选方向上允许特征分裂。更具体地，特征分裂约束指定(1)在特征之间的优选方向上可以没有GO间隔， 以及O)开始和结束于相同颜色的布线轨迹的特征(或者可选地，占用奇数的布线轨迹的特征)不要求分裂，以及开始和结束于不同颜色的布线轨迹的特征(或者可选地，占用偶数的布线轨迹的特征)要求分裂。在图9至图13中，所要求的接缝插入应用于在图样布局中要求分裂的特征，以实现符合多重图样化的布局。根据在将接收接缝插入的非优选方向上定向的特征部分的特性，图9至图13的每一个都提供了可对接缝插入实施的各种缝合方法(参数)。典型地，具有用于制造的充足重叠长度的接缝插入是否可被插入到在非优选方向上定向的特征部分取决于制造能力。在所示实施例中，具体地在图9至图13中，具有用于制造的充足重叠长度的接缝插入可以被容易地插入到对应于多于两个的布线轨迹的在非优选方向上定向的特征部分(换句话说，“长啮合(jog)”)。例如，接缝插入可被放置在具有用于制造的充足接缝重叠长度的长啮合的中心。相反，对应于两个或更少布线轨迹的在非优选方向上定向的特征部分(换句话说，“小啮合”)有时候表现出很难提供具有用于制造的充足重叠长度的接缝插入。因此，可以设置布线轨迹制造阈值，用于限定在非优选方向上定向的特征的多个布线轨迹必须对应，以确保用于制造的充足的接缝插入重叠长度。在所示实施例中，布线轨迹制造阈值表明占用(对应于)两个或更少布线轨迹的在非优选方向上定向的特征部分将表现出很难提供具有用于制造的充足重叠长度的接缝插入。因此，图9至图13提供了可以对“小啮合”中的接缝插入实施的各种缝合方法(参数)，换句话说，在非优选方向上定向的特征部分对应于小于或等于布线轨迹制造阈值(这里为两个以下的布线轨迹)的多个布线轨迹。参照图9，设置具有限定颜色的布线轨迹201至204的布线栅格200。向具有限定颜色的布线轨迹201至204的布线栅格200应用图样布局210，使得图样布局210的特征 211至215对应于布线轨迹201至204的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹201至204 的布线栅格200类似于上述布线栅格，以及具有特征211至215的图样布局210类似于上述图样布局。在所示实施例中，特征211、213、214和215的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征211对应于布线轨迹201，特征213对应于布线轨迹202，特征214 对应于布线轨迹203，特征215应于布线轨迹204。特征212包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹202和203。更具体地，特征部分212A在优选方向上定向并对应于布线轨迹202，特征部分212B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹202至 203，以及特征部分212C在优选方向上定向并对应于布线轨迹204。在优选方向上应用特征分裂约束，评估图样布局210的特征211至215之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔。在所示实施例中，特征之间012/213和212/214)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局210符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征211至215 的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。特征211、213、214 和215均占用单种颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征212占用两个布线轨迹(布线轨迹202至203)，其中，开始布线轨迹202和结束布线轨迹203为不同的颜色(分别为颜色A和颜色B)。由于特征212开始和结束于不同颜色的布线轨迹，所以特征212将要求分裂以进行图样分解。在所示实施例中，向在非优选方向上定向的特征212 的特征部分212B应用接缝插入SA。由于在非优选方向上定向的特征部分212B(也被称为啮合)仅占用两个布线轨迹(换句话说，占用小于或等于布线轨迹制造阈值的多个布线轨迹)，所以SA的重叠长度被限制。特征部分212B还是被限定为相对较薄图样的端部的线末端，其中，线末端被限定为其线宽度小于线末端宽度阈值D的线。在所示实施例中，线末端宽度阈值D大约为54mm，特征部分212小于D，因此被指定为线末端。因此，SA的最大重叠长度小于或等于最大接缝重叠长度=3P-W/2-W/2-2L其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及L是线和线末端之间的最小间隔。在一个实例中，最小布线间距P大约为66nm，最小线宽度W大约为34nm，以及线和线末端之间的最小间隔L大约为78nm。因此，最大接缝重叠长度大约为8nm。向所示实施例应用最大接缝重叠长度，因此接缝重叠长度可以约为Onm至约8nm。一旦将接缝插入应用于图样布局210使得图样布局210符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，就基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征211至215进行着色。特征211对应于布线轨迹201(指定为颜色A轨迹)，所以特征211着有颜色A。特征213对应于布线轨迹202 (指定为颜色B轨迹)，所以特征213着有颜色B。特征214对应于布线轨迹203 (指定为颜色A轨迹)，所以特征214着有颜色A。特征215对应于布线轨迹204(指定为颜色B轨迹)，所以特征215着有颜色B。特征212开始和结束于不同颜色的布线轨迹(开始于颜色B布线轨迹202以及结束于颜色A布线轨迹203)。特征212的一部分着有颜色B (其开始布线轨迹202的颜色)，以及特征212的另一部分着有颜色A (其结束布线路径203的颜色)。更具体地，由于特征部分212A对应于布线轨迹202 (指定为颜色 B轨迹)且212C对应于布线轨迹203 (指定为颜色A轨迹)，所以特征部分212A和212C分别着有颜色B和颜色A。特征部分212B开始于颜色B的布线轨迹202且结束于颜色A的布线轨迹203，因此如图9所示，特征部分212B着有颜色A和B。如上所述，特征部分212B着有颜色A和颜色B的部分彼此重叠以合并接缝。然后，着色的图样布局210可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局210的图像印刷在光刻胶层中。参照图10，设置具有限定颜色的布线轨迹221至224的布线栅格220。向具有限定颜色的布线轨迹221至2M的布线栅格220应用图样布局230，使得图样布局230的特征 231至235对应于布线轨迹221至224的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹221至224 的布线栅格220类似于上述布线栅格，以及具有特征231至235的图样布局230类似于上述图样布局。在所示实施例中，特征231、233、234和235的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征231对应于布线轨迹221，特征233对应于布线轨迹222，特征234 对应于布线轨迹223，以及特征235对应于布线轨迹224。特征232包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹222和223。更具体地，特征部分232A在优选方向上定向并对应于布线轨迹222，特征部分232B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹 222至223，以及特征部分232C在优选方向上定向并对应于布线轨迹224。在优选方向上应用特征分裂约束，评估图样布局230的特征231至235之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO。在所示实施例中，特征之间 (232/233和232/234)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局230符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征231至235的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。特征231、233、234和 235均占用单一颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征232占用两个布线轨迹(布线轨迹222至223)，其中，开始布线轨迹222和结束布线轨迹223为不同的颜色(分别为颜色B和颜色A)。由于特征232开始和结束于不同颜色的布线轨迹，所以特征 232将要求分裂以进行图样分解。在所示实施例中，向在非优选方向上定向的特征232的特征部分232B应用接缝插入SA。由于在非优选方向上定向的特征232仅占用两个布线轨迹 (换句话说，占用小于或等于布线轨迹制造阈值的多个布线轨迹)，所以SA的重叠长度被限制。此外，特征部分232B的宽度大于或等于线末端宽度阈值D，所以特征部分232B被称为 “粗啮合(fat jog)，，(或“小粗啮合”，因为特征232还占用小于或等于布线轨迹制造阈值的多个布线轨迹)。因此，接缝插入的重叠宽度可以大于允许用于接收接缝插入(诸如图9 中的特征部分212B)的最小宽度特征部分(指定为具有小于线末端宽度阈值的宽度的线末端的特征部分)的重叠长度。例如，在所示实施例中，SA的最大重叠长度小于或等于最大接缝重叠长度=3P-W/2-W/2-2R
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其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及R是最小行进 (run-run)间隔(两个非线末端图样(线)之间的间隔)，其通常大于上述线和线末端之间的最小间隔。在一个实例中，最小布线间距P大约为66nm，最小线宽度W大约为34nm，以及最小行进间隔R大约为60nm，以及D大于或等于约5^m。因此，最大接缝重叠长度大约为 44nm。向所示实施例应用最大接缝重叠长度，因此接缝重叠长度可以约为Onm至约44nm。一旦将接缝插入应用于图样布局230以使图样布局230符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，就基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征231至235进行着色。如图10所示，特征232至235与上面参照图9描述的特征211至215类似地进行着色。 然后，着色的图样布局230可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局230的图像印刷在光刻胶层中。参照图11，设置具有限定颜色的布线轨迹241至M6的布线栅格M0。向具有限定颜色的布线轨迹241至246的布线栅格240应用图样布局250，使得图样布局250的特征 251至259对应于布线轨迹241至M6的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹241至M6 的布线栅格240类似于上述布线栅格，以及具有特征251至259的图样布局250类似于上述图样布局。在所示实施例中，特征251、252、253、255、256、257、258和259的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征251对应于布线轨迹M1，特征252和253对应于布线轨迹M2，特征255对应于布线轨迹M3，特征256对应于布线轨迹M4，特征257和 258对应于布线轨迹M5，以及特征259对应于布线轨迹M6。特征2M包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹243和M4。更具体地，特征部分254A在优选方向上定向并对应于布线轨迹243，特征部分254B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹243至M4，以及特征部分254C在优选方向上定向并对应于布线轨迹M4。在优选方向上应用特征分裂约束，评估图样布局250的特征251至259之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO。在所示实施例中，特征之间 (252/253,254/255,254/256和257/258)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局250符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征251至259的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。特征251、252、253、255、256、257、258和259均占用单种颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征254占用两个布线轨迹(布线轨迹243至M4)，其中，开始布线轨迹 243和结束布线轨迹244为不同的颜色(分别为颜色A和颜色B)。由于特征邪4开始和结束于不同颜色的布线轨迹，所以特征2M将要求分裂以进行图样分解。在所示实施例中，向在非优选方向上定向的特征254的特征部分254B应用接缝插入SA。由于在非优选方向上定向的特征部分254B(也被称为啮合)仅占用两个布线轨迹(换句话说，占用小于或等于布线轨迹制造阈值的多个布线轨迹)，所以SA的重叠长度被限制。在所示实施例中，临近在非优选方向上定向的特征部分254B的每个端部预留疏排(ke印out)区域(没有图样的区域)。没有图样的区域避免任何布线决策(或设计决策)生成占用或与没有图样的区域重叠的另一特征。这确保了图样布局250将保持符合任何最小宽度或最小间隔规则，同时允许比可能的其他方式(图9)长的接缝重叠长度。在所示实施例中，临近特征部分254B的每个端部预留的没有图样的区域使得SA的最大重叠长度小于或等于
最大接缝重叠长度=P+W/2+W/2其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度。在一个实例中，最小布线间距P大约为66nm，最小线宽度W大约为34nm。因此，最大接缝重叠长度大约为lOOnm。向所示实施例应用最大接缝重叠长度，因此接缝重叠长度可以约为Onm至约lOOnm。一旦将接缝插入应用于图样布局250使得图样布局250符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，就基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征251至259进行着色。特征251对应于布线轨迹Ml (指定为颜色A轨迹)，所以特征251着有颜色A。特征 252和253对应于布线轨迹242 (指定为颜色B轨迹)，所以特征252和253着有颜色B。特征255对应于布线轨迹243 (指定为颜色A轨迹)，所以特征255着有颜色A。特征256对应于布线轨迹244 (指定为颜色B轨迹)，所以特征256着有颜色B。特征257和258对应于布线轨迹245 (指定为颜色A轨迹)，所以特征257和258着有颜色A。特征259对应于布线轨迹246 (指定为颜色B轨迹)，所以特征259着有颜色B。特征2M开始和结束于不同颜色的布线轨迹(开始于颜色A布线轨迹M3以及结束于颜色B布线轨迹M4)。因此， 特征254的一部分着有颜色A (其开始布线轨迹M3的颜色)，以及特征254的另一部分着有颜色B (其结束布线路径M4的颜色)。更具体地，由于特征部分254A对应于布线轨迹 243 (指定为颜色A轨迹)且特征部分254C对应于布线轨迹244 (指定为颜色B轨迹)，所以特征部分254A和254C分别着有颜色A和颜色B。特征部分254B开始于颜色A的布线轨迹243且结束于颜色B的布线轨迹M4，因此如图11所示，特征部分254B着有颜色A和B。 如上所述，特征部分254B着有颜色A和颜色B的部分彼此重叠以合并接缝。然后，着色的图样布局250可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局250的图像印刷在光刻胶层中。参照图12，设置具有限定颜色的布线轨迹261至沈6的布线栅格沈0。向具有限定颜色的布线轨迹261至266的布线栅格260应用图样布局270，使得图样布局270的特征 271至279对应于布线轨迹261至沈6的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹261至沈6 的布线栅格260类似于上述布线栅格，以及具有特征271至279的图样布局270类似于上述图样布局。在所示实施例中，特征271、272、273、275、276、277、278和279的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征271对应于布线轨迹，特征272和273对应于布线轨迹沈2，特征275对应于布线轨迹沈3，特征276对应于布线轨迹沈4，特征277和 278对应于布线轨迹沈5，以及特征279应于布线轨迹沈6。特征274包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹263和沈4。更具体地，特征部分274A在优选方向上定向并对应于布线轨迹263，特征部分274B在非优选方向上定向并对应于布线轨迹263至沈4，以及特征部分274C在优选方向上定向并对应于布线轨迹沈4。在优选方向上应用特征分裂约束，评估图样布局270的特征271至279之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO。在所示实施例中，特征之间 (272/273,274/275,274/276和277/278)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局270符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征271至279的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。 特征271、272、273、275、276、277、278和279均占用单种颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征274占用两个布线轨迹(布线轨迹263至沈4)(因此特征274可被称为“小啮合”)，其中，开始布线轨迹263和结束布线轨迹沈4为不同的颜色(分别为颜色A和颜色B)。由于特征274开始和结束于不同颜色的布线轨迹，所以特征274将要求分裂以进行图样分解。在所示实施例中，向在非优选方向上定向的特征274的特征部分274B 应用接缝插入SA。由于在非优选方向上定向的特征部分274B(也被称为啮合)仅占用两个布线轨迹(换句话说，占用小于或等于布线轨迹制造阈值的多个布线轨迹)，所以SA的重叠长度被限制。在所示实施例中，特征部分274B延伸越过在优选方向上定向的特征部分274A 和274C。该特征可被称为“延伸啮合”。临近在非优选方向上定向的特征部分274B的每个端部预留疏排区域(没有图样的区域)。这确保了图样布局270将保持符合任何最小宽度或最小间隔规则。在所示实施例中，由于特征部分274B是延伸啮合，且临近特征部分274B 的每个端部预留没有图样的区域，所以SA的最大重叠长度被增加到小于或等于最大接缝重叠长度=5P-W/2-W/2-2L其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及L是线末端与线之间的最小间隔。在一个实例中，最小布线间距P大约为66nm，最小线宽度W大约为34nm，以及线末端与线之间的最小间隔L大约为78nm。因此，最大接缝重叠长度大约为140nm。向所示实施例应用最大接缝重叠长度，因此接缝重叠长度可以约为Onm至约140nm。一旦将接缝插入应用于图样布局270使得图样布局270符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，就基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征271至279进行着色。如图12所示，特征271至279与上面参照图11描述的特征251至259类似地进行着色。然后，着色的图样布局270可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局270 的图像印刷在光刻胶层中。参照图13，设置具有限定颜色的布线轨迹281至观6的布线栅格观0。向具有限定颜色的布线轨迹281至286的布线栅格280应用图样布局四0，使得图样布局290的特征 291至299对应于布线轨迹281至观6的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹281至观6 的布线栅格280类似于上述布线栅格，以及具有特征291至四9的图样布局290类似于上述图样布局。在所示实施例中，特征四1、四2、四3、四5、四6、四7、298和四9的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征291对应于布线轨迹，特征292和293对应于布线轨迹观2，特征295对应于布线轨迹观3，特征296对应于布线轨迹观4，特征297和 298对应于布线轨迹观5，以及特征299对应于布线轨迹观6。特征294包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹观3和观4。更具体地，特征部分^MA在优选方向上定向并对应于布线轨迹观3，特征部分在非优选方向上定向并对应于布线轨迹283至观4，以及特征部分在优选方向上定向并对应于布线轨迹观4。在优选方向上应用特征分裂约束，评估图样布局四0的特征291至299之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO。在所示实施例中，特征之间 (292/293,294/295,294/296和四7/四8)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局290符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征291至四9的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。 特征四1、四2、四3、四5、四6、四7、298和299均占用单种颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征四4占用两个布线轨迹(布线轨迹283至观4)(因此特征294可被称为“小啮合”)，其中，开始布线轨迹283和结束布线轨迹观4为不同的颜色(分别为颜色A和颜色B)。由于特征四4开始和结束于不同颜色的布线轨迹，所以特征294将要求分裂以进行图样分解。在所示实施例中，向在非优选方向上定向的特征四4的特征部分^MB 应用接缝插入SA。由于在非优选方向上定向的特征部分四48(也被称为啮合)仅占用两个布线轨迹(换句话说，占用小于或等于布线轨迹制造阈值的多个布线轨迹)，所以SA的重叠长度被限制。在所示实施例中，特征部分延伸越过在优选方向上定向的特征部分 294A和^4C，并且特征部分为非最小宽度线(换句话说，特征部分的宽度大于或等于线末端宽度阈值D)。该特征可被称为“粗延伸啮合”。临近在非优选方向上定位的特征部分^MB的每个端部预留疏排区域(没有图样的区域)。这确保了图样布局290将保持符合任何最小宽度或最小间隔规则。在所示实施例中，由于特征部分是粗延伸啮合，且临近特征部分^MB的每个端部预留没有图样的区域，所以SA的最大重叠长度被增加到小于或等于最大接缝重叠长度=5P-W/2-W/2-2R其中，P是布线轨迹之间的最小间距，W是最小线宽度，以及R是最小行进间隔。在一个实例中，最小布线间距P大约为66nm，最小线宽度W大约为34nm，最小行进间隔R大约为60nm，并且线末端宽度阈值D大约为Mnm。因此，最大接缝重叠长度大约为176nm。向所示实施例应用最大接缝重叠长度，因此接缝重叠长度可以约为Onm至约176nm。一旦将接缝插入应用于图样布局四0以使图样布局290符合应用于优选和非优选方向的特征分裂约束，就基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征291至299进行着色。如图13所示，特征291至四9与上面参照图11描述的特征251至259类似地进行着色。然后，着色的图样布局290可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局四0 的图像印刷在光刻胶层中。还可以临近在优选方向上定向的非最小宽度特征或偏离栅格(off-grid)特征预留疏排区域(没有图样的区域)，该疏排区域是临近要求接缝插入的特征预留的。例如，在图14中，设置具有限定颜色的布线轨迹301至309的布线栅格300。向具有限定颜色的布线轨迹301至309的布线栅格300应用图样布局310，使得图样布局310的特征311至321 对应于布线轨迹301至309的至少一个。具有限定颜色的布线轨迹301至309的布线栅格 300类似于上述布线栅格，具有特征311至321的图样布局310类似于上述图样布局。在所示实施例中，特征311、312、314、315、316、317、319、320和321的每一个都包括在优选方向上定向的单个特征部分。特征311对应于布线轨迹301，特征312对应于布线轨迹302，特征314对应于布线轨迹303，特征315对应于布线轨迹304，特征316对应于布线轨迹305， 特征317对应于布线轨迹306，特征319对应于布线轨迹307，以及特征321对应于布线轨迹309。特征320是偏离栅格特征，其可以指定为与布线轨迹307或布线轨迹308相对应。 特征313包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹302、303和 304。更具体地，特征部分313A在优选方向上定向并对应于布线轨迹302，特征部分31 在非优选方向上定向并对应于布线轨迹302至304，以及特征部分313C在优选方向上定向并对应于布线轨迹304。在所示实施例中，特征部分313C是非最小宽度特征。特征318包括在优选方向和非优选方向上定向的特征部分，并对应于布线轨迹306、307和308。更具体地，特征部分318A在优选方向上定向并对应于布线轨迹306，特征部分318B在非优选方向上定线并对应于布线轨迹306至308，以及特征部分318C在优选方向上定向并对应于布线轨迹308。特征分裂约束指定对于符合多重图样化的布局在优选方向上不允许特征分裂以及在非优选方向上允许特征分裂。更具体地，特征分裂约束指定(1)在特征之间的优选方向上可以没有GO间隔，以及O)开始和结束于相同颜色的布线轨迹的特征(或者可选地， 占用奇数的布线轨迹的特征)不要求分裂，以及开始和结束于不同颜色的布线轨迹的特征 (或者可选地，占用偶数的布线轨迹的特征)要求分裂。使用在优选方向上应用的特征分裂约束，评估图样布局310的特征311至321之间优选方向上的间隔，以确保在特征之间的优选方向上不存在GO间隔。在所示实施例中， 特征之间(312/313、313/314、313/315、317/318、319/318 和 318/320)优选方向上的间隔大于或等于GO间隔。因此，图样布局310符合应用于优选方向的特征分裂约束。在非优选方向上应用特征分裂约束，评估特征311至321的每一个的开始和结束布线轨迹的颜色，以确定是否有特征要求分裂。特征311、312、314、315、316、317、319、320 和321均对应于单一颜色的单个布线轨迹，因此对于这些特征不要求分裂。特征313占用三个布线轨迹(布线轨迹302至304)，其中，开始布线轨迹302和结束布线轨迹304为相同的颜色(颜色B)。因此，特征313将不要求分裂以进行图样分解。特征318也占用三个布线轨迹(布线轨迹306至308)，其中，开始布线轨迹306和结束布线轨迹308为相同的颜色 (颜色B)。因此，特征318将不要求分裂。在所示实施例中，临近非最小宽度特征部分313C 和偏离特征320预留疏排(没有图样的)区域。这确保了图样布局310将保持符合任何最小宽度或最小间隔规则，防止非最小宽度特征部分和偏离栅格特征周围的GO间隔。因此， 图样布局310符合应用于非优选方向的特征分裂约束，而不是必须修改图样布局310来包括接缝插入。基于每个特征的对应布线轨迹的颜色来对特征311至321进行着色。特征311对应于布线轨迹301 (指定为颜色A轨迹)，所以特征311着有颜色A。特征312对应于布线轨迹302 (指定为颜色B轨迹)，所以特征312着有颜色B。特征313不要求分裂，所以其指定有其对应的开始(302)和结束(304)布线轨迹的颜色(颜色B)。特征314和315分别对应于布线轨迹303和304 (分别指定为颜色A和颜色B轨迹)，所以特征314和315分别着有颜色A和颜色B。特征316对应于布线轨迹305 (指定为颜色A轨迹)，所以特征316着有颜色A。特征317对应于布线轨迹306 (指定为颜色B轨迹)，所以特征317着有颜色B。 特征318不要求分裂，所以其指定有其对应的开始(306)和结束(308)布线轨迹的颜色(颜色B)。特征319和321分别对应于布线轨迹307和309 (指定为颜色A轨迹)，所以特征 319和321着有颜色A。特征320可以着有颜色A或颜色B，因为疏排区域确保在特征320 周围不会出现GO间隔。在所示实施例中，特征320着有颜色B。然后，着色的图样布局310 可以被分解为两个掩模，其中，颜色A特征形成在一个掩模上，颜色B特征形成在另一掩模上。掩模可用于在集成电路器件制造期间将图样布局310的图像印刷在光刻胶层中。因此，本公开提供了实现符合多重图样化的布局的布线方法。符合多重图样化的图样布局可以容易地被分解为多个掩模。所公开的方法在布线灵活性和接缝使用之间进行了平衡，使布线灵活性最大且使缝合使用最小化到最完全的扩展可能。通过平衡布线灵活性和接缝使用，所公开的方法可以减小循环时间并减化目前的电子设计自动化流程。应该理解，不同的实施例可具有不同的优点，并且任何实施例都不是必须具有任何特定优点。本公开可以采取整体硬件实施例、整体软件实施例或者包含硬件和软件元件的实施例的形式。在一个实例中，电子设计自动化(EDA)设备可以实现本文所描述的方法10。 此外，本公开的实施例可以采用可以从实际的计算机可用或计算机可读介质(提供被计算机或任何指令执行系统使用或与计算机或任何指令执行系统有关的程序代码)进行访问的计算机程序产品的形式。为了描述的目的，实际的计算机可用或计算机可读介质可以为任何装置，其可以包含、存储、通信、传播或传输被指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备有关的程序。介质可以为电、磁、光、电磁、红外、半导体系统(或装置或设备)或传播介质。前面已经概述了若干实施例的特征，使得本领域的技术人员可以更好地理解上述详细描述。本领域的技术人员应该理解，他们可以容易地使用本公开作为设计或修改用于执行与本文所引入实施例相同的目的和/或实现相同优点的其他工艺和结构的基础。本领域的技术人员能还应该意识到，这些等效限制并不背离本公开的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和公开的情况下，它们可以进行各种改变、替换和变化。
权利要求
1.一种方法，包括设置具有布线轨迹的布线栅格；向所述布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种；将具有多个特征的图样布局应用到所述布线栅格，其中，所述多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；应用特征分裂约束以确定所述图样布局是否为符合多重图样化的布局； 当所述图样布局不是符合多重图样化的布局时，修改所述图样布局，直到实现符合多重图样化的布局；以及当所述图样布局是符合多重图样化的布局时，基于每个特征的对应的至少一个布线轨迹的颜色对所述多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用所述着色图样布局的特征生成至少两个掩模，其中，每个掩模都包括单种颜色的特征。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种包括向在优选方向上延伸的布线轨迹指定所述至少两种颜色中的一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，应用所述特征分裂约束以确定所述图样布局是否为符合多重图样化的布局包括确定所述多个特征是否符合非分裂约束。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在与所述优选方向垂直的非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且确定所述多个特征是否符合非分裂约束包括 识别包括在所述非优选方向上定向的特征部分的任何特征； 确定是否有所识别的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹，以及当有所识别的特征开始和结束于不同颜色的布线轨迹时，将所述图样布局指定为不是符合多重图样化的布局。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括在将所述图样布局指定为不是符合多重图样化的布局之后修改所述图样布局，其中，修改包括重新设计所述图样布局。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个特征的每一个都包括在优选方向上定向的至少一个特征部分、在与所述优选方向垂直的非优选方向上定向的特征部分、或者二者皆有；并且应用所述特征分裂约束以确定所述图样布局是否为符合多重图样化的布局包括 在所述优选方向上不应用特征分裂，以及在所述非优选方向上应用特征分裂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述优选方向上不应用特征分裂包括 确定所述优选方向上的特征之间的间隔是否等于或大于阈值；以及当所述优选方向上的特征之间的间隔小于所述阈值时，将所述图样布局指定为不是符合多重图样化的布局。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述非优选方向上应用特征分裂包括确定是否有特征需要分裂。
9.一种方法，包括设置具有在优选方向上定向的布线轨迹的布线栅格，其中，所述布线轨迹的每一个都指定有至少两种颜色中的一种；将具有多个特征的图样布局应用至所述布线栅格，其中，所述多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；确定所述图样布局是否符合应用于所述优选方向的第一特征分裂约束和应用于与所述优选方向垂直的非优选方向上的第二特征分裂约束；以及当所述图样布局符合所述第一特征分裂约束和所述第二特征分裂约束时，基于每个特征的对应的至少一个布线轨迹的颜色对所述多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用所述着色图样布局的特征生成至少两个掩模，其中，每个掩模都包括单种颜色的特征。
10. 一种装置，包括计算机可读介质，存储用于由至少一个计算机处理器执行的多个指令，其中，所述指令用于设置具有布线轨迹的布线栅格；向所述布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种；将具有多个特征的图样布局应用至所述布线栅格，其中，所述多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；应用特征分裂约束以确定所述图样布局是否为符合多重图样化的布局； 当所述图样布局不是符合多重图样化的布局时，修改所述图样布局，直到实现符合多重图样化的布局；以及当所述图样布局是符合多重图样化的布局时，基于每个特征的对应的至少一个布线轨迹的颜色对所述多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用所述着色图样布局的特征生成至少两个掩模，其中，每个掩模都包括单种颜色的特征。
全文摘要
本发明提供了用于实现符合多重图样化的技术设计布局的方法和装置。一种示例性方法包括设置具有布线轨迹的布线栅格；向布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种；向布线栅格应用具有多个特征的图样布局，其中，多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨迹；以及应用特征分裂约束，以确定图样布局是否为符合多重图样化的布局。如果图样布局不是符合多重图样化的布局，则可以修改图样布局直到实现符合多重图样化的布局。如果图样布局是符合多重图样化的布局，则基于每个特征对应的至少一个布线轨迹的颜色对多个特征的每一个进行着色，从而形成着色图样布局，并利用着色图样布局的特征生成至少两个掩模。每个掩模都包括单种颜色的特征。
文档编号G03F7/20GK102479280SQ20111022904
公开日2012年5月30日 申请日期2011年8月10日 优先权日2010年11月24日
发明者侯元德, 刘如淦, 李芳松, 田丽钧, 范芳瑜, 谢艮轩, 陈皇宇, 鲁立忠, 黄文俊 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司