反射式液晶显示器及周边电路的制造方法

专利名称：反射式液晶显示器及周边电路的制造方法
技术领域：
本发明是与一种液晶显示器制程技术有关，特别是有关于一种反射式低温多晶硅液晶显示器制程技术，以最精简的光罩去完成包含驱动电路和液晶显示画素制作的技术。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是一种平面的显示器，具有低耗电量特性，同时由于与同视窗尺寸的阴极射线管(CRT)相比，不论就占用空间或质量而言都要小得多，且不会有一般CRT的曲面。因此已广范应用于各式产品，包括消费性电子产品如掌上型计算机，电脑字典，手表，手机，尺寸较大的手提型电脑，通讯终端机，显示板，个人桌上型电脑，甚至高解析度电视(HDTV)等都不难看到其踪迹及其受欢迎的程度。特别是主动矩阵型薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD)，由于其可视角、对比表现都比被动矩阵型的STN-LCD要好得多，且具有更佳的反应时间。
TFT型的液晶显示器，主要的构件包括萤光管、导光板、偏光板、滤光板、玻璃基板、配向膜、液晶材料、以及薄膜式电晶体等等。首先液晶显示器必须先利用背光源，也就是萤光灯管投射出光源，这些光源会先经过一个偏光板然后再经过液晶，这时液晶分子的排列方式进而改变穿透液晶的光线角度。然后这些光线接下来还必须经过前方的彩色滤光膜与另一块偏光板。因此我们只要改变刺激液晶的电压值就可以控制最后出现的光线强度与色彩，并进而能在液晶面板上变化出有不同深浅的颜色组合了。
上述TFT型的液晶显示器，由于需要使用萤光管做为背光源及扩散膜，或至少需要侧光源及导光板。因此如果要再进一步降低耗电量，及使LCD显示器厚度更薄，反射式LCD是一种不错选择。反射式LCD的光源，主要来自外界照射的光线，只需小的辅助光源即可，因此可以更省电，且使显示器的厚度更薄。因此，对于使用电池的电子产品，且使用的场所不是刻意在暗处时，反射式LCD显示器不啻为一最佳选择。
以上所述的TFT-LCD而言，多以传统非晶硅做为TFT-LCD的TFT的主要材料，然而今日已有使用多晶硅取代非晶硅的趋势，并且有可能成为主流。这主要着眼于不管是电子或电洞的移动速率(mobility)，多晶硅都要比非晶硅具有更佳的移动速率。除此之外，多晶硅TFT-LCD还有一个优点是形成LCD面板的驱动电路(包含nMOS电晶体或PMOS电晶体甚至于互补式金氧半电晶体)都可以和画素面板的制造同时进行。由于上述因素，多晶硅型TFT-LCD可以提供比非晶硅型TFT-LCD更佳的切换速率，更加速其吸引力。不过，上述的多晶硅型TFT-LCD仍多只限于穿透式型的TFT-LCD，如Hu所获的美国专利第5940151号。
有鉴于此，本发明提出一种可结合多晶硅型TFT-LCD及反射型TFT-LCD的制造技术。

发明内容
本发明的主要目的在于提供一种需较少的光罩步骤(约六道光罩)且可同时进行反射式TFT-LCD包含驱动电路制造的方法。
一种制造反射式液晶显示器的方法，至少包含以下步骤形成一金属层于一基板之上；形成一第一导电型硅层于该金属层之上；图案化该金属层与该第一导电型硅层，以在驱动电路区内形成一第一导电型TFT的源极/汲极预定区、一第二导电型TFT的源极预定区以及在画素区内形成一画素TFT的源极/汲极预定区，及储存电容预定区；形成一活性层于经图案化后的表面之上；形成一闸极氧化层于该活性层之上；图案化该闸极氧化层与该活性层，以形成一第一保留区、一第二保留区、以及一第三保留区，其中该第一保留区是位于该第一导电型TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该第一导电型TFT的源极/汲极区，该第二保留区是位于该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极之间并部分覆盖该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极，该第三保留区是位于该画素TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该画素TFT的源极/汲极区；形成一绝缘层于上述图案化后的表面；图案化该绝缘层，以在该画素区之上形成复数个凸块；形成一闸极金属层于上述图案化后的表面上；图案化该闸极金属层，以形成参考电位连接电极、该第一导电型TFT的闸极、该第二导电型TFT的闸极、该储存电容的顶部电极，并在该画素区的凸块上形成一反射金属层，该反射金属层并连接该画素TFT汲极及该储存电容的顶部电极；施以轻渗杂汲极(LDD)布植，植入该第一导电型杂质，以经图案化后的该闸极金属层为罩幕，用以在该第一导电型TFT的闸极两侧形成LDD区，在该画素TFT的闸极两侧也形成LDD区；形成一光阻图案层于除该第二保留区之外的所有区域之上；植入一第二导电型杂质，以该光阻图案层及该第二导电型TFT的闸极为罩幕，以形成该第二导电型TFT的源极/汲极区；移除该光阻图案层；形成一保护层于该裸露的表面上；以及图案化该保护层，用以移除该画素区反射金属层上的保护层以裸露出该反射金属层并于该驱动电路区及画素区末端形成接触洞。
所述的方法，其中该第一导电型是n型，该第二导电型是p型，且该画素TFT是n型TFT。
所述的方法，其中该活性层的形成步骤还包含先形成一非晶硅层，再经雷射结晶化以转化为多晶硅层。
所述的方法，其中该绝缘层是为感光树脂层。
所述的方法，还包含在图案化该绝缘层步骤后及形成该闸极金属层步骤之前，先施以热回流步骤，以使该凸块平滑化。
所述的方法，还包含在画素TFT的源极区之上形成一第二反射凸块区，以扩大开口率，其中该第二反射凸块区，是裸露该第三保留区，以保留LDD形成区域。
所述的方法，其中该画素TFT闸极金属与其源极/汲极距离不等距，该第一导电型TFT的闸极金属与其源极/汲极距离亦不等距，该不等距是使汲极与闸极的距离大于源极与闸极的距离，以降低漏电流。
所述的的方法，其中该保护层是选自感光树脂、氮化硅层、氧化硅层其中之一或其中任意的组合。
所述的方法，其中该保护层的形成及图案化该保护层的步骤还包含先沉积一感光树脂层，再以光罩对该感光树脂照光以形成接触洞图案。
所述的方法，还包含在该感光树脂层形成前先进行退火，以活化该第二导电型杂质。
所述的方法，其中该保护层的形成及图案化该保护层的步骤还包含沉积一氮化硅层；施以退火，以活化该第二导电型杂质；沉积该感光树脂层；图案化该感光树脂层以裸露该反射金属层并形成接触洞图案；及以该感光树脂层为罩幕，图案化该氮化硅层以完成该接触洞的结构。
制程中只约需用六道光罩数即可制造反射式液晶显示器TFT及其驱动电路。


图1A所示为本发明TFT-LCD一基本画素的俯视示意图；图1B至图1H所示为依据本发明的制程步骤的横截面示意图，其中画素部分是沿图1A的a-a’线剖面。
图号对照说明100透明基板101驱动电路区102画素区105金属层110n+杂质掺杂多晶硅层120n型TFT的LDD及通道的预定区域(简称为预定区域)120d n型TFT的汲极120s n型TFT的源极122p型TFT的源极/汲极及通道的预定区域(简称为预定区域)122s p型TFT的源极122s’p型TFT的源极预定区122d p型一TFT的汲极124画素TFT的LCD及通道的预定区域(简称为预定区域)124s 信号线(当作画素TFT的源极)124d 画素TFT的汲极124s 画素TFT的源极125储存电容129A 第一反射凸块区129B 第二反射凸块区130无掺杂非晶硅层135闸极氧化层(亦称为电容介电层)140扫瞄线140A 第一反射凸块区金属层140B 第二反射凸块区金属层140C 储存电容顶部电极
140d 汲极区140i 画素TFT的闸极140L、 144L LDD预定区140n n型一TFT的闸极140p p型一TFT的闸极145 光阻图案层160 保护层Vss 第一参考电极具体实施方式
请参考图1A，是显示依据本发明一画素的俯视图，图1A中扫瞄线140和信号线124s垂直相交，且扫瞄线140包含画素TFT的闸极140i，信号线124s是为画素TFT的源极线。第一反射凸块区金属层140A占画素区的大部分，连接画素TFT的汲极124d及储存电容顶部电极140C。第二反射凸块区金属层140B则横跨信号线124s至下一画素的闸极140i并连接的。
图1B是显示对应于图1A中的a-a’的横截面示意图。依据本发明的方法，画素A中第一反射凸块区金属层140A由A画素的汲极连接至储存电容顶部电极140C的上电极板。而第二反射凸块区金属层140B是为了更进一步增加开口率，而利用绝缘性材质的复数个凸块形成于画素TFT的源极上，以防止当第二反射凸块区金属层140B形成于绝缘性材质的复数个凸块上时与TFT的闸极124i相连接，以降低扫瞄线上阻值(因为面积变大)，但第二反射凸块区金属层140B是与画素上第一反射凸块区金属层140A彼此之间是断开的。
有关本发明的制程步骤请参考图1C至图1H，其中有关画素的部分是沿图1A的a-a’的横截面示意图。
请先参见图1C所示的横截面示意图。其形成步骤如下首先由下而上依序形成一金属层105及一以n+导电性杂质掺杂的多晶硅层110于一透明基板100上。接着以微影及蚀刻制程图案化前述多晶硅层110、及金属层105，以在驱动电路区101内形成n型TFT的源极120s/汲极区120d、p-型TFT的源极预定区122s’以及在画素区102内形成画素TFT的源极124s/汲极区124d及储存电容125预定区。
接着，如图1D所示，依序沉积无掺杂非晶硅层130及闸极氧化层135于所有表面上。随后，接着实施一雷射结晶技术，用以使非晶硅层130结晶转化成多晶硅层。紧接着再以微影及蚀刻技术选择性地移除部分闸极氧化层135及无掺杂非晶硅层130，用以定义出n型TFT的LDD及通道的预定区域120、画素TFT的LDD及通道的预定区域124、p-型TFT的源极/汲极区及通道的预定区域122及形成储存电容125的电容介电层135。在此，无掺杂非晶硅层130，也可以视为电容介电层135的一部分。
仍如图1D所示，预定区域120除了在源极120s及汲极120d之间外并部分覆盖在源极120s及汲极120d之上，同样地，预定区域122亦覆盖了部分p型TFT预定区中的汲极120d及p-型TFT的汲极预定区122S’。画素区102的预定区域124亦同；包含汲极124d及源极124s之间的区域并包含覆盖于其上的部分。
随后请参考图1E，形成一感光树脂层于所有区域之上，并图案化，以在画素区102内只留下凸块(bump)雏型。随后，再施以使感光树脂回流的程序，以形成第一反射凸块区129A以及第二反射凸块区129B，其中第一反射凸块区129A包括有复数个凸块，且凸块的底部彼此相连。其中为了扩大开口率，第二反射凸块区129B也可以选择性地形成复数个凸块，并使复数个凸块横跨过信号线124s。在本实施例中，第一反射凸块区129A的复数个凸块是主要的反射区，覆盖画素区102的大部分区域。且形成于第一反射凸块区129A之上的金属层可以同时将画素TFT的汲极区124d与储存电容125的顶部电极相连接。请注意画素TFT的LDD预定区此时是裸露的，以便可以进行LDD布植，在此请注意第一反射凸块区129A与第二反射凸块区129B彼此之间是断开的。
请继续参考图1F，紧接着，全面性地形成一闸极金属层于上述图案化后的表面上。再利用微影及蚀刻制程图案化前述闸极金属层，以形成第一参考电极VSS、n-型TFT的闸极140n于预定区域120、p-型TFT的闸极140p于预定区域122、画素TFT的闸极140i于预定区域124、第一反射凸块金属层140A、及第二反射凸块金属层140B。其中，第一反射凸块金属层140A连接储存电容125的顶部电极与画素TFT的汲极区124d；第二反射凸块金属层140B形成于第二反射凸块区129B之上。请注意第二反射凸块金属层140B可以连接TFT的信号线124s，因此信号线面积加大，亦可进一步使阻值下降。
除此之外，n-型TFT的闸极140n，两侧边各预留一适当长度的LDD预定区140L。n-型TFT的闸极140n与其源极120s/汲极区120d可以不等距，距离源极120s距离短而与汲极120d距离较长，以抑制漏电流。位于预定区域122的p-型TFT的闸极140p其两侧边则是预留一适当长度的源极/汲极预定区122s及122d；同样地，位于预定区域124的画素TFT的闸极140i，且在画素TFT的闸极140i汲极侧边预留一适当长度的LCD预定区144L。画素TFT的闸极144i与其源极区124s/汲极区124d是为不等距的，距离源极区124s的距离短而与汲极区124d距离较长，以抑制漏电流。
随后，以图案化的参考电极VSS、闸极140n、140p、140i、第一反射凸块金属层140A及第二反射凸块金属层140B为罩幕，植入n型导电型杂质于所有裸露的表面，用以在LDD预定140L之下的复晶硅层形成n型TFT的LDD区140L、在LDD预定区144L下的复晶硅层形成画素TFT的轻掺杂源极/汲极(LDD)区144L。
请参考图1G，先形成一光阻图案层145以覆盖除了p型TFT预定区122以外的区域。随后再以p型导电性杂质进行杂质掺杂，以p型TFT的闸极140p及光阻图案层145为罩幕，用以形成源极/汲极122s及122d。p型杂质的剂量将高于所述LDDn型离子布植时的剂量。以使得经电性补偿后源极122s/汲极122d区仍有足够浓度的p型杂质。
请参考图1H，在移除光阻图案层145之后，接着再形成一保护层160于所有表面之上，并平坦化之。其中保护层160的形成方式，可以有以下几种选择例如(1)全面性地沉积氮化硅层，以覆盖上述驱动电路及画素区内的所有元件，再继续沉积以平坦化。(2)先沉积一氮化硅层，再接着沉积另一氧化硅层也可。(3)先沉积部分厚度的氮化硅层，接着，再沉积另一感光树脂层(photosensitive resin layer)。或(4)全部纯以感光树脂为保护层的材料。在后二者包含感光树脂的情况，感光树脂本身即可利用照光的步骤，而形成接触洞的图案如图1E所示。不需要额外光阻。不过，感光树脂通常需要在形成后照深紫外光(UV)以去除固有的色彩以使其透明化。而在第(1)及第(2)种情况，则需以额外光阻层。再利用微影及蚀刻技术转移光阻图案至氮化硅层，但若是第(3)及第(4)种包含感光性树脂时，则感光性树脂本身即可以微影制程图案化，而省去形成光阻层步骤。
除此之外，请注意，为活化导电性杂质离子及使得n+掺杂源极/汲极形成欧姆接触，在保护层160形成之前或之后需进行一退火程序。以本案较佳实施例而言，如果保护层160材质是氧化硅或氮化硅。退火时可以选择在含氢的气氛下进行，以减少复晶硅表面断键所可能产生的问题。但若保护层160材质包含感光性树脂，则需在感光性树脂形成前，先进行退火。
最后，再对保护层160进行图案化，以裸露出第一反射凸块金属层140A及第二反射凸块金属层140B，同时形成接触洞图案以预留导线连接插塞。
本发明以较佳实施例说明如上，而熟悉此领域技艺者，在不脱离本发明的精神范围内，当可作些许更动润饰，其专利保护范围更当视的权利要求书范围及其等同领域而定。
权利要求
1.一种制造反射式液晶显示器的方法，其特征在于至少包含以下步骤形成一金属层于一基板之上；形成一第一导电型硅层于该金属层之上；图案化该金属层与该第一导电型硅层，以在驱动电路区内形成一第一导电型TFT的源极/汲极预定区、一第二导电型TFT的源极预定区以及在画素区内形成一画素TFT的源极/汲极预定区，及储存电容预定区；形成一活性层于经图案化后的表面之上；形成一闸极氧化层于该活性层之上；图案化该闸极氧化层与该活性层，以形成一第一保留区、一第二保留区、以及一第三保留区，其中该第一保留区是位于该第一导电型TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该第一导电型TFT的源极/汲极区，该第二保留区是位于该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极之间并部分覆盖该第一导电型TFT的汲极与该第二导电型TFT的源极，该第三保留区是位于该画素TFT的源极/汲极区之间并部分覆盖该画素TFT的源极/汲极区；形成一绝缘层于上述图案化后的表面；图案化该绝缘层，以在该画素区之上形成复数个凸块；形成一闸极金属层于上述图案化后的表面上；图案化该闸极金属层，以形成参考电位连接电极、该第一导电型TFT的闸极、该第二导电型TFT的闸极、该储存电容的顶部电极，并在该画素区的凸块上形成一反射金属层，该反射金属层并连接该画素TFT汲极及该储存电容的顶部电极；施以轻渗杂汲极(LDD)布植，植入该第一导电型杂质，以经图案化后的该闸极金属层为罩幕，用以在该第一导电型TFT的闸极两侧形成LDD区，在该画素TFT的闸极两侧也形成LDD区；形成一光阻图案层于除该第二保留区之外的所有区域之上；植入一第二导电型杂质，以该光阻图案层及该第二导电型TFT的闸极为罩幕，以形成该第二导电型TFT的源极/汲极区；移除该光阻图案层；形成一保护层于该裸露的表面上；以及图案化该保护层，用以移除该画素区反射金属层上的保护层以裸露出该反射金属层并于该驱动电路区及画素区末端形成接触洞。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第一导电型是n型，该第二导电型是p型，且该画素TFT是n型TFT。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于该活性层的形成步骤还包含先形成一非晶硅层，再经雷射结晶化以转化为多晶硅层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于该绝缘层是为感光树脂层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包含在图案化该绝缘层步骤后及形成该闸极金属层步骤之前，先施以热回流步骤，以使该凸块平滑化。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包含在画素TFT的源极区之上形成一第二反射凸块区，以扩大开口率，其中该第二反射凸块区，是裸露该第三保留区，以保留LDD形成区域。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于该画素TFT闸极金属与其源极/汲极距离不等距，该第一导电型TFT的闸极金属与其源极/汲极距离亦不等距，该不等距是使汲极与闸极的距离大于源极与闸极的距离，以降低漏电流。
8.如权利要求1所述的的方法，其特征在于该保护层是选自感光树脂、氮化硅层、氧化硅层其中之一或其中任意的组合。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于该保护层的形成及图案化该保护层的步骤还包含先沉积一感光树脂层，再以光罩对该感光树脂照光以形成接触洞图案。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于还包含在该感光树脂层形成前先进行退火，以活化该第二导电型杂质。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于该保护层的形成及图案化该保护层的步骤还包含沉积一氮化硅层；施以退火，以活化该第二导电型杂质；沉积该感光树脂层；图案化该感光树脂层以裸露该反射金属层并形成接触洞图案；及以该感光树脂层为罩幕，图案化该氮化硅层以完成该接触洞的结构。
全文摘要
一种低温多晶硅液晶显示器，包含P型薄膜电晶体TFT(不含浅掺杂汲极LDD)，及包含LDD的n型TFT的驱动电路及画素TFT与储存电容及画素电容底部电极的制造方法。制程步骤包含先定义源极/汲极，之后形成活性层及闸极氧化层并定义之，随后，在电晶体闸极金属沉积前，先形成感光树脂层，再图案化，以形成凸块雏型，经回流平滑化，再将闸极金属层与凸块上反射金属层同时进行沉积及图案化。接着，进行LDD布植。随后以定义P型TFT的光阻图案为罩幕，施以源/汲极离子布植，以形成P型TFT的源极、汲极。最后，去光阻后，再形成护层及接触洞。制程中只约需用六道光罩数即可制造反射式液晶显示器TFT及其驱动电路。
文档编号G02F1/136GK1530718SQ03119439
公开日2004年9月22日 申请日期2003年3月12日 优先权日2003年3月12日
发明者陈信铭 申请人:统宝光电股份有限公司