液晶显示装置的制作方法

专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示装置，尤其涉及对于一方基板上的各像素， 从该基板开始依次设置有透光性的对置电极、绝缘膜、具有由与所述 对置电极重叠的多个线状电极构成的电极组的透光性像素电极的有 源矩阵型液晶显示装置。
背景技术：
这种液晶显示装置被称作所谓的IPS (In Plane Switching:横向电 场效应)型，它通过在像素电极和对置电极之间局部性地具有与基板 平行的成分的电场而使液晶动作，从而以宽视场角特性优异而为公众所周知。此外，在有源矩阵型的液晶显示装置中，在配置为矩阵状的各像 素具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管作为像素选择用的开关元件工作。即，用公共的栅极信号(选通信号)线连接在行方向排列的各像 素的薄膜晶体管的栅极，在列方向排列的各像素的像素电极通过该薄 膜晶体管与对所述各像素公共地形成的漏极信号线连接。通过向栅极信号线提供信号(扫描信号)，使这些薄膜晶体管导 通，以选择对应的行的像素，通过各漏极信号线，对所述各像素的像 素电极提供图像信号。由这样的结构构成的液晶显示装置例如记载在以下的专利文献1中。[专利文献1]日本特开2005-300821号公报

发明内容
这种结构的液晶显示装置伴随着大型化的倾向，希望能进一步提 高其像素的开口率，为此而不断进行着研究开发。而且，本发明人根据以下所示的理由来实现像素开口率的提高。即，上述结构的液晶显示装置通过向栅极信号线提供栅极信号 (电压)而使对应的薄膜晶体管导通时，通过该导通的薄膜晶体管， 漏极信号线的图像信号作用在像素电极PX上，但是在该像素电极和 所述栅极信号线之间产生电位差，将会产生与该电位差对应的电场。该电场成为与在像素电极和对置电极之间产生的电场不同的噪 声成分的电场，通常该电场产生的部位例如由黑底(遮光膜)遮光， 无法用眼睛观察到基于该电场的液晶的光透射率的变化。可是，在所述像素电极和所述栅极信号线之间产生的电场(蔓延 电场)的电力线在液晶一侧大大隆起而形成，与该隆起相应，必须遮 光的区域变大。这意味着如果能抑制在所述像素电极和所述栅极信号线之间产 生的电场的电力线向液晶 一侧的隆起，就能按照可抑制的量来缩小必 须遮光的区域，能提高像素的开口率。本发明的目的在于提供能够进一步提高开口率的液晶显示装置。 简单说明本申请所描述的发明中具有代表性的技术方案的概要 如下。(1 )本发明的液晶显示装置，具有第一基板、第二基板、以及夹持在所述第 一基板和所述第二基板之间的液晶层，其特征在于 所述第 一基板具有多条栅极信号线、与所述多条栅极信号线交叉的漏极信号线、配置为矩阵状的多个像素，所述多个像素的各像素具有薄膜晶体管、像素电极和对置电极， 所述第一基板从所述第一基板一侧依次形成透光性的所述对置电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜、透光性的所述像素电极，用由所述像素电极和所述对置电极之间的电位差产生的电场来驱动所述液晶层，所述薄膜晶体管具有由所述栅极信号线的 一部分构成的栅极、由
所述漏极信号线的一部分构成的漏极、通过在所述第二绝缘膜形成的 通孔与所述像素电极连接的源极， 所述对置电极具有面状图案，所述像素电极由具有与所述对置电极重叠的多个线状电极的图 案构成，所述源极由遮光性的材料构成，并且配置在所述第一绝缘膜和所 述第二绝缘膜之间，在所述栅极信号线的走线方向延伸形成，以使得与所述像素电极的 一 方的所述栅极信号线 一侧的端部全长的80%以上重叠。(2) 本发明的液晶显示装置例如以(1)的结构为前提，其特征 在于所述源极的 一部分构成降低在所述栅极信号线和所述像素电极 之间产生的蔓延电场的电场控制电极。(3) 本发明的液晶显示装置例如以(2)的结构为前提，其特征 在于所述电场控制电极在其延伸方向的一部分包含实现与所述像素 电极的电连接的所述源极的焊盘部。另外，本发明并不局限于以上的结构，在不脱离本发明的技术思 想的范围内能进行各种变更。这样构成的液晶显示装置能进一步提高开口率。


图1是表示本发明液晶显示装置的 一 个实施例的像素的要部结构图。图2是表示本发明液晶显示装置的一个实施例的整体结构图。 图3是表示本发明液晶显示装置的 一 个实施例的像素的整体结构图。图4是图3的IV-IV线的剖视图。图5是表示现有的液晶显示装置的一个例子的要部结构图，是与 图1对应描绘的图。图6是表示本发明液晶显示装置的效果的说明图。标号"i兌明SUB1、 SUB2—基板；SL—密封材料；AR—液晶显示区域；SCN (V) —半导体器件(扫描信号驱动电路)；SCN (He) —半导体器 件(图像信号驱动电路)；GL—栅极信号线；DL—漏极信号线；CL 一对置电压信号线；TFT—薄膜晶体管；DT—漏极；ST—源极；PD 一焊盘部；PX—像素电极；CT一对置电极；EFC—电场控制电极； GI—绝缘膜；PAS—保护膜；0RI1—取向膜；BM—黑底；FIL—滤色 器。
具体实施方式
以下，使用

本发明的液晶显示装置。 (整体结构)图2是表示本发明的液晶显示装置的 一 个实施例的整体结构图。 在图2中，液晶显示装置把平行配置的一对例如由玻璃构成的基 板SUB1、 SUB2作为封装，在该基板SUB1、 SUB2之间夹持液晶(未图示)。该液晶由兼任相对基板SUB1的基板SUB2的固定的密封材料SL 封入，由该密封材料SL包围的区域构成液晶显示区域AR。例如基板SUB1与基板SUB2相比，其面积更大地形成，在图中 左侧边部和上侧边部具有从所述基板SUB2露出的区域。在基板SUB1的左侧边部的所述区域安装多个并列设置的半导体 器件SCN (V),在基板SUB1的所述上侧边部的区域安装多个并列 设置的半导体器件SCN(He)。多个所述半导体器件SCN (V)构成扫 描信号驱动电路，连接在后面描述的栅极信号线GL上，多个所述半 导体器件SCN(He)构成图像信号驱动电路，连接在后面描述的漏极信 号线DL上。在基板SUB1的液晶一侧的面，即液晶显示区域AR内形成了在 图中x方向延伸并且在y方向并列设置的栅极信号线GL，另外形成
了在y方向延伸并且在x方向并列设置的漏极信号线DL。由相邻的一对栅极信号线GL和相邻的一对漏极信号线DL包围 的矩形的区域构成形成像素的区域，据此，在液晶显示区域AR内， 各像素配置为矩阵状。所述各栅极信号线GL,其左侧端部超过密封材料SL而延伸到液 晶显示区域AR的外侧，与接近的所述半导体器件SCN ( V)的输出 端子连接，由该半导体器件SCN ( V)提供扫描信号(电压)。所述各漏极信号线DL,其上侧端部超过密封材料SL,延伸到液 晶显示区域AR的外侧，与接近的所述半导体器件SCN(He)的输出 端子连接，由该半导体器件SCN (He)提供图像信号(电压)。所述像素例如图中圆框P的放大图的圆框P，所示，具有通过来 自栅极信号线GL的扫描信号而导通的薄膜晶体管TFT;通过该导通 的薄膜晶体管TFT而提供来自漏极信号线DL的图像信号的像素电极 P X;以及作用基准电压而通过与所述像素电极P X之间的电位差来产 生电场的对置电极CT。像素电极PX和对置电极CT都形成在相同的 基板SUBl,所述电场的一部分包含与基板SUBl的表面平行的电场 成分，将通过这样的电场使液晶的分子运动的方式称作横电场方式。另外，所述对置电极CT例如通过与栅极信号线GL平行配置的 对置电压信号线CL作用基准电压，该对置电压信号线CL超过所述 密封材料SL延伸，与形成在基板SUBl面上的对置电极端子CTM连 接。在上述的实施例中，所述扫描信号驱动电路V、图像信号驱动电 路He安装在基板SUBl上而构成。但并不局限于此，也可以跨在所 述基板SUB1和未图示的印刷电路板之间，配置以所谓的带载方式构 成的半导体器件(在柔性基板上安装半导体芯片的半导体器件)而构成。(像素的结构)图3是表示在所述液晶显示面部PNL的基板SUBl —侧，配置 为矩阵状的各像素中的一个像素的一个实施例的俯视图。据此，对于 别在上下和左右配置的各像素成为与该像素同样的结构。此外，图4表示图3的IV-IV线的剖视图。首先，在基板SUB1的液晶一侧的面(表面)，4册极信号线GL 和对置电压信号线CL具有比较大的距离而平行形成。在栅极信号线GL和对置电压信号线CL之间的区域例如形成由 ITO (Indium-Tin-Oxide)的透明导电材料构成的对置电极CT。该对 置电极CT在该对置电压信号线CL 一侧的边部，与该对置电压信号 线CL重叠形成，据此，与该对置电压信号线CL电连接而形成。对 置电极C T具有占像素的8 0 %以上区域的面状的图案。而且，在基板SUB1的表面，覆盖所述栅极信号线GL、对置电 压信号线CL和对置电极CT，形成绝缘膜GI (参照图4)。该绝缘膜 GI在后面描述的薄膜晶体管TFT的形成区域作为该薄膜晶体管TFT 的栅绝缘膜起作用，据此设定膜厚等。在所述绝缘膜GI的上面，即与所述栅极信号线GL的一部分重 叠的部位，例如形成由非晶体硅构成的非晶体的半导体层AS。该半 导体层AS成为所述薄膜晶体管TFT的半导体层。此外，与所述半导体层AS的形成同时形成的半导体层AS，在栅 极信号线GL以及对置电压信号线CL和后面描述的漏极信号线DL 的交叉部形成。该半导体层AS，与所述绝缘膜GI —起作为栅极GL 以及对置电压信号线CL和所述漏极信号线DL之间的层间绝缘膜起 作用。而且，沿图中y方向延伸而形成有漏极信号线DL，在该漏极信 号线DL与栅极信号线GL的交叉部的一部分上，该漏极信号线DL 在所述薄膜晶体管TFT的形成区域一侧延伸，该该延伸部及于所述半 导体层AS的上面而构成该薄膜晶体管TFT的漏极DT。而且，与该漏极信号线DL和漏极DT同时形成的所述薄膜晶体 管TFT的源极ST在所述半导体层AS上与所述漏极DT相对，并且 从该半导体层AS上延伸至没有形成该半导体层AS的区域，该延伸 部及于像素区域一侧而构成焊盘部PD。另外，该焊盘部PD也构成源
极ST的一部分。该焊盘部PD成为与后面描述的像素电极PX电和物 理连接的部位，例如以比与所述源极ST的一部分的半导体层AS重叠的部分宽度更宽的较大面积形成。这里，在本实施例中，在所述焊盘部PD,与该焊盘部PD—体设 置电场控制电极EFC。即该电场控制电极EFC也构成源极ST的一部 分。该电场控制电极EFC接近所述栅极信号线GL而配置，从所述焊 盘部PD与该栅极信号线GL平行延伸地形成。后面将会描述该电场 控制电极EFC的结构和功能。所述漏极DT例如包围所述源极ST的顶端部地作为圆弧状图案 形成，构成较大的该薄膜晶体管TFT的沟道宽度。另外，所述半导体层AS在绝缘膜GI上形成时，例如在其表面 掺杂高浓度的杂质而形成，例如把所述漏极DT和源极ST构图而形 成后，把该漏极DT和源极ST作为掩模，蚀刻在该漏极DT和源极 ST的形成区域以外的区域形成的高浓度的杂质层。在半导体层AS和 漏极DT之间、半导体层AS和源极ST之间分别残留高浓度的杂质层 (未图示)，把该杂质层作为电阻接触层而形成。据此，所述薄膜晶体管TFT构成想把栅极信号线GL的一部分作 为栅极的所谓反交错构造的MIS (Metal Insulator Semiconductor)型 的晶体管。另外，在MIS型的晶体管中，通过其偏压的作用，漏极DT和源 极ST交替地驱动，但是在本说明书的说明中，为了方便，把与漏极 信号线DL连接的一侧称作漏极DT，把与像素电极PX连接的一侧称 作源极ST。在基板SUB1的表面，也覆盖所述薄膜晶体管TFT，形成由绝缘 膜构成的保护膜PAS (参照图4)。该保护膜PAS为了避免该薄膜晶 体管TFT与液晶的直接接触而设置。此外，该保护膜PAS介于所述 对置电极CT和后面描述的像素电极PX之间而设置，与所述绝缘膜 GI —起，作为设置在该对置电极CT和像素电极PX之间的电容元件 起作用。 在所述保护膜PAS的上面形成像素电极PX。该像素电极PX例 如有ITO (Indium-Tin-Oxide)等的透明导电膜构成，其轮廓部与对置 电极CT的轮廓部几乎一致地形成。而且，在该像素电极PX,多个狭缝ST例如相对于栅极信号线 GL的走线方向具有若干角度而形成，在与纵向交叉的方向并列设置 而形成。据此，该像素电极PX形成为具有由两端彼此连接的多个带 状的线状电极构成的电极组。另外，也可以不是在多个带状的线状电 才及的两端连4妄，而是只4巴一端4皮此连4妾。像素电极PX的线状电极在把像素的区域例如在图中上下2分割 的一个区域中，例如相对于栅极信号线GL的走线方向，在+角度方 向延伸地形成，在另一个区域，在-角度方向延伸地形成。在采用所 谓的多领域方式时，在一个像素内的像素电极PX设置的狭缝ST的 方向(像素电极PX的电极组的方向)是单一方向的情况下，消除了 因观察的方向的不同而出现染色的问题。这样形成的像素电极PX在接近薄膜晶体管TFT的部分，通过形 成在所述保护膜PAS的通孔TH (参照图4)，与该薄膜晶体管TFT 的源极ST的所述焊盘部PD电连接。此外，在所述基板SUB1的表面，也覆盖像素电极PX,形成取 向膜ORIl (参照图4)，通过该取向膜ORIl,设定与该取向膜ORIl 直接接触的液晶的分子的初始取向方向。在上述的实施例中，使用非晶体硅作为半导体层AS、 AS，，但是 并不局限于此，例如也可以是多晶硅等。 (电场控制电极EFC)图1的(a)是放大表示图3所示的像素的结构中所述电场控制 电极EFC和该电场控制电极EFC附近的结构的图。图1 (b)表示图 1 (a)的b-b线的剖视图。在图l(a)中，首先，在基板SUB1的上面的比图中的栅极信号 线GL更下侧的像素的区域，首先把对置电极CT上侧的边部(端部) 与所述栅极信号线GL接近并且平行而形成此对置电极CT。
然后，在覆盖所述对置电极CT形成的绝缘膜GI(参照图l(b)) 的上面，与所述栅极信号线GL接近并平行，形成电场控制电极EFC。 另外，在图1中，示出使电场控制电极EFC与对置电极CT的上侧的 边部(端部)不重叠的例子。可是，并不局限于此，电场控制电极 EFC也可以与对置电才及CT的上侧的边部(端部)重叠。另外，在所述栅极信号线GL的一部分重叠薄膜晶体管TFT而形 成，其源极ST到达未形成所述半导体层AS的区域，延伸到像素区 域的部分，该延伸部分构成具有比较大的面积(比源极ST与半导体 层AS重叠的部分更大的面积)的焊盘部PD。在该焊盘部PD,用与该焊盘部PD相同的材料与该焊盘部PD — 体地形成所述电场控制电才及EFC。而且，所述电场控制电极EFC在所述焊盘部PD中接近栅极信号 线GL的一侧，与该焊盘部PD—体形成，据此，尽可能接近栅极信 号线GL而配置所述电场控制电极EFC。从后面描述的说明可知，是 为了尽可能提高像素的实质开口率。通过采用这样的结构，所述电场控制电极EFC与源极ST的焊盘 部PD —起，在^t极信号线GL的走线方向，与所述焊盘部PD —起， 占据像素区域的栅极信号线GL的走线方向的长度的几乎大部分 (80%以上)而形成。另外，所述焊盘部PD从后面的说明可知，具有与本实施例中设 置的电场控制电极EFC相同的作用、功能，所以在本说明书中，有 时把所述电场控制电极EFC和焊盘部PD的一体结构作为电场控制电 极而理解。源极(包含焊盘部PD、电场控制电极PD )由遮光性的材料(例 如金属膜)构成，也发挥遮光膜的作用。而且，在覆盖所述电场控制电极EFC形成的所述保护膜PAS的 上面，把像素电极PX上侧的边部(端部)PSD与所述栅极信号线 GL接近并且平行，形成此像素电极PX。这里，源极(包含焊盘部PD、电场控制电极PD)与像素电极 PX的一方的栅极信号线GL —侧的边部(端部)PSD的全长的80% 以上重叠。在这样的结构中，通过提供栅极信号线GL的栅极信号(电压) 而使图中的薄膜晶体管TFT导通时，漏极信号线DL的图像信号通过 该薄膜晶体管TFT作用在像素电极PX,按照在所述栅极信号线GL 和像素电极PX之间产生的电位差而产生电场。该电场成为与在像素 电极PX和对置电极CT之间产生的电场不同的噪声成分的电场。此时，该电场(蔓延电场)只在所述栅极信号线GL和像素电极 PX之间产生时，该电场的图中的电力线EPL在基板SUB2 —侧大大 隆起地形成，但是该电场不仅在所述栅极信号线GL和所述像素电极 PX之间产生，在所述栅极信号线GL和所述电场控制电极EFC之间 也产生，上述的电力线EPL的大的隆起(蔓延电场)被大幅度抑制(减 少)。据此，能降低由于蔓延电场而产生的像素电极PX和栅极信号线 GL之间的光泄漏的强度。此外，也能减小蔓延电场引起的光泄漏产 生的区域的面积。顺便说一下，图5 (a)、 (b)是与图1 (a)、 (b)对应的图，是 表示没有形成本实施例所示的所述电场控制电极EFC的以往结构的 图。在图5 (b)中，电力线EPL在相对一侧的其他基板SUB2—侧 大大隆起而形成只在栅极信号线GL和像素电极PX之间产生的电场。而在图1 (b)中，除了栅极信号线GL和像素电极PX之间产生 的电场，在所述栅极信号线GL和所述电场控制电极EFC之间也产生 电场。电位差相同时，它们之间产生的电力线EPL的数量相等，所以 后者的电场能抑制前者的电力线EPL的隆起。通过设置电场控制电极EFC,能抑制栅极信号线GL和像素电极 PX之间的电力线EPL的隆起时，能把该电场引起的液晶的行动限制 在栅极信号线GL上和稍微离开它的像素电极PX的上侧的边部(端 部)PSD之间的区域，能避免进一步波及像素电极PX的中央部一侧。因此，能减小在像素电极PX上由于噪声电场而受到影响的区域， 据此，要遮挡光泄漏的区域(例如在与基板SUBl相对的基板SUB2上设置的黑底(遮光膜)的形成区域)减少，所以能提高像素的开口率。另外，如上所述，通过实^r,确认源极(包含焊盘部PD、电场 控制电极PD )与像素电极PX的一方的栅极信号线GL —侧的边部(端 部)PSD的全长的80%以上重叠，从而取得充分的效果。 (黑底)黑底形成在与所述基板SUB1通过液晶相对配置的基板SUB2的 液晶 一侧的面，是对于该像素区域例如划分上下左右分别相邻的像素 区域而形成的遮光膜。另外，关于与漏极信号线DL平行的方向(y 方向)，也可以省略黑底的形成。在图1和图3所示的像素，所述黑底BM例如把用粗线表示的部 位作为开口部，覆盖栅极信号线GL、对置电压信号线CL和漏极信 号线DL而形成。因此，像素的实质开口率受到所述黑底B M的开口部的面积尺寸 影响。图6 (a)是在图1 (b)所示的图中也包含所述基板SUB2 (具有 黑底BM)而表示的剖视图。此外，为了比较，在图6(b)示出在图 5 (b)所示的图中也包含所述基板SUB2 (具有黑底BM)而示出的 剖视图。另外，图6 (a)、 (b)都省略与液晶抵接而配置的取向膜的描绘。如图6 (a)所示，配置在栅极信号线GL的上方的黑底BM在形 成像素电极PX的一侧增大宽度(图中y方向的宽度)而形成，该黑 底BM形成为达到与所述像素电极PX的所述栅极信号线GL的一侧 的边部(端部)PSD重叠。这是为了遮挡由于栅极信号线GL和像素电极PX之间产生的电 场(蔓延电场)引起的液晶分子的行动而产生的光泄漏。此时，在像素电极PX的所述边部(端部)PSD的下方形成所述 电场控制电极E F C ，所述黑底B M设定为其宽度覆盖所述电场控制电 极EFC的程度，该宽度的端边SD的位置在图中y方向与该电场控制
电极EFC对应的端边SD，几乎相同。这里，黑底BM的所述端边SD的位置不是严格的，在比所述电 场控制电极EFC对应的端边SD，更靠前一侧(栅极信号线GL的中心 轴一侧)定位，或者在相反一侧超过该端边SD，而定位。电场控制电极EFC由遮光性的材料形成，所以在基板SUB1和基 板SUB2之间产生对位偏移时，也能实现充分的遮光。因此，能形成 较小的黑底BM的宽度。通过形成所述电场控制电极EFC，能抑制在栅极信号线GL和像 素电极PX之间产生的电场的电力线EPL的较大隆起，据此，与以往 相比能够大幅度减小覆盖栅极信号线GL和像素电极PX的该栅极信 号线GL—侧的边部(端部)PSD的黑底BM的宽度，与此相应能增大该黑底BM的开口 (图中用OP表示)。因此，能提高像素的实质 的开口率。另外，图6 (a)示出在所述黑底BM的开口部形成滤波器FIL。图6 (b)是以往结构的一个例子，与图6(a)关联地描绘。图6 (b)为了容易比较与图6(a)的位置，将各图所示的栅极信号线GL、 像素电极PX等与图中y轴相应地描绘。在图6 (b)中，不具有本实施例中表示的电场控制电极EFC, 所以来自栅极信号线GL的电场的电力线EPL只在像素电极PX结束， 该电力线EPL分布为在基才反SUB2 —侧具有大的隆起。这样的电力线EPL的分布为其电场不仅停留在像素电极PX的 所述栅极信号线GL —侧的边部(端部)PSD，也波及像素电极PX 的中心一侧而产生。因此，必须覆盖这样产生电场的部分而形成黑底BM，所以无法 避免该黑底BM的开口 (图中用OP，表示)减小。而且，为了在基板SUB1和基板SUB1之间产生位置偏移时也能 充分的遮光，需要把黑底BM的宽度增大对于位置偏移的界限量，黑 底BM的开口 OP，减小与该界线量相应的部分。在上述的实施例中，如图3所示，使像素电极PX的多个线状的
电极在其长度方向上与栅极信号线GL的走线方向之间具有若干的角度而配置。可是，并不局限于此，也可以与例如漏极信号线DL的走 线方向平行而配置多个线状电极。此时，像素电极PX的多个线状电极在栅极信号线GL —侧的端 部公共连接而构成。这是因为薄膜晶体管TFT的源极ST的焊盘部PD 配置在栅极信号线GL的附近，所述多个线状的电极必须与该焊盘部 PD电连接的缘故。因此，所述像素电极PX在栅极信号线GL的一侧 具有图l所示的边部(端部)PSD，能直接应用本发明。另外，本发明的液晶显示装置是透射型的液晶显示装置，优选在 其背面一侧具有背光源。上述各实施例可以单独或者组合使用。这是因为各实施例的效果 能单独或相乘而产生。
权利要求
1. 一种液晶显示装置，具有第一基板、第二基板、以及夹持在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，其特征在于所述第一基板具有多条栅极信号线、与所述多条栅极信号线交叉的漏极信号线、以及配置为矩阵状的多个像素，所述多个像素中的各像素具有薄膜晶体管、像素电极和对置电极，所述第一基板从所述第一基板一侧依次形成有透光性的所述对置电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜以及透光性的所述像素电极，利用由所述像素电极和所述对置电极之间的电位差产生的电场来驱动所述液晶层，所述薄膜晶体管具有由所述栅极信号线的一部分构成的栅极、由所述漏极信号线的一部分构成的漏极、以及通过形成在所述第二绝缘膜上的通孔而与所述像素电极相连接的源极，所述对置电极具有面状图案，所述像素电极由具有与所述对置电极重叠的多个线状电极的图案构成，所述源极由遮光性材料构成，并且配置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间，且在所述栅极信号线的走线方向上延伸而形成，以与所述像素电极一方的所述栅极信号线一侧的端部的全长的80％以上重叠。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于所述源极的 一部分构成用于降低在所述栅极信号线和所述像素 电极之间产生的蔓延电场的电场控制电极。
3. 根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于 所述电场控制电极在其延伸方向的一部分上包含用于实现与所述像素电极的电连接的所述源极的焊盘部。
全文摘要
一种液晶显示装置，其第一基板具有多条栅极信号线、与多条栅极信号线交叉的漏极信号线和矩阵状的多个像素，多个像素各自具有薄膜晶体管、像素电极和对置电极，用由像素电极和对置电极之间的电位差产生的电场来驱动液晶层，薄膜晶体管具有由栅极信号线的一部分构成的栅极、由漏极信号线的一部分构成的漏极、以及与像素电极连接的源极，对置电极具有面状图案，像素电极由具有与对置电极重叠的多个线状电极的图案构成，源极由遮光性材料构成且配置在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间，在栅极信号线的走线方向上延伸形成，以与像素电极一方的栅极信号线一侧的端部全长的80％以上重叠。能进一步提高像素开口率。
文档编号G02F1/1343GK101398575SQ20081014980
公开日2009年4月1日 申请日期2008年9月27日 优先权日2007年9月27日
发明者前出优次 申请人:株式会社日立显示器