液晶显示装置的制作方法

专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明，涉及液晶显示装置，尤其涉及能够使透射率提高的液晶显示装置。
背景技术：
作为可得到高对比度及广视场角的液晶显示装置，已知使液晶采用相
对于2块透明a基本水平方向的电场对液晶分子的取向进行控制的液晶 显示装置，即、通过FFS (Fringe-Field Switching,边缘场开关)模式、 IPS (In-Plain Switching,平面内开关)模式进行工作的液晶显示装置。在 该液晶显示装置中，在一方透明M，配设供给显示信号的像素电极与供 应共用电位的共用电极的双方。
若关于该液晶显示装置为FFS模式的情况进行说明，则例如，在像素 电极交替地平行配置多个线状部及缝隙，像素电极与共用电极，通过绝缘 膜相对向所配置。液晶分子，相应于取向膜的摩擦方向所初始取向。然后， 若在像素电极施加显示信号，则相应于在从像素电极的线状部延伸于缝隙 的下层的共用电极上延伸的电场、即相对于透明;i^L基本水平方向的电场， 控制液晶分子的取向方向。通过该液晶分子进行光学性控制，进行白色显 示或黑色显示。
可是，作为FFS模式的液晶显示装置，例如，提出了具有如下构成的 边缘场开关模式液晶显示装置通过包括多个液晶分子的液晶层而以预定 的距离对向配置第1及第2透明绝缘M,并在第1透明M上形成多条 栅总线及数据总线而对单位像素进行限定地以矩阵形式进行配置，在与它 们的交叉部处设置薄膜晶体管，将由透明导电体构成的反电极配置于各单位像素；包括使与反电极一起形成边缘场的多个上部缝隙及下部缝隙与前 述反电极相绝缘而配置于各单位像素，按以像素的长边为中心成为对称的 预定的倾斜进行排列，并且，由透明导电体构成的像素电极(例如，参见 专利文献l)。
专利文献1
特开2002-182230号公报(第1页，图3) 可是，在上述专利文献1记载的现有例中，在以栅总线及数据总线所 包围的区域配设长方形状的像素电极，公开了在该像素电极互相平行地形 成相对于与栅总线相平行的短边发生倾斜的多个缝隙的情况、和形成具有 以像素电极的长度方向的中心位置成为对称关系的倾斜角的上部缝隙及下 部缝隙的情况，虽然能够通过缝隙而使透射率提高，但是因为像素电极形 成为长方形状，相对于此而形成相对于短边发生倾斜的缝隙，所以因短边 侧的对向外周缘而在缝隙与外周边缘之间残留直角三角形状的电极部，存 在因该部分而透射率降低的未解决的问题。

发明内容
因此，本发明，着眼于上述现有例的未解决的问题所作出，目的在于 提供能够使形成缝隙的电极的透射率提高的液晶显示装置。
为了达到上述目的，本发明中的液晶显示装置，特征为使形成显示 部的像素，至少包括挟持液晶层而相对向的一对M、与设置于前述一对 基板之一方基板而挟持绝缘膜所配置的对前述液晶层的液晶分子进行驱动 的共用电极及像素电极；前述共用电极及前述像素电极之中的前述液晶层 侧的电极，具有相对于前述像素的长度方向倾斜了预定角度的缝隙，并具 有与该缝隙相平行的对向外周缘。
由此，因为共用电极;s^象素电极之中形成有缝隙的电极具有与缝隙相
平行的对向外周缘，所以能够将电极的外形形成为平行四边形状，因为在 与缝隙相平行的对向外周缘并不存在多余的电极部，所以能够使像素的透 射率提高。
并且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述缝隙，在前述液晶层侧的电极的该缝隙的长度方向的比对向外周缘靠内侧形成为平 -f亍四边形状。
由此，因为液晶层侧的电极形成为平行四边形状，所以能够容易地形 成当为了形成该电极而对电极层薄膜进行蚀刻时的曝光掩^f莫。
进而，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述缝隙，延 长直至前述液晶层侧的电极的该缝隙的长度方向的对向外周缘之一方而该 电极成为梳状。
由此，因为缝隙的一端延长直至缝隙的长度方向侧的对向外周缘之一 方而电极成为梳状，所以相比较于将电极形成为平行四边形状的情况能够 进一步使透射率提高。
而且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述缝隙，在 前述液晶层侧的电极上互相平行地形成多个。
由此，因为缝隙互相平行地形成多个，所以能够使像素的透射率提高。
更进一步，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述液晶 层侧的电极中外侧电极部至少一部分不与栅线相重叠地所配设。
由此，因为液晶层侧的电极的外侧电极部至少一部分不与栅线相重叠 地所配设，所以通过外侧电极部与形成得比液晶层侧的电极大的下部电极 的电场，能够对外侧电极部与栅线之间的液晶分子进行控制，能够佳j象素 中的透射率进一步提高。
并且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述液晶层侧 的电极中外侧电极部至少一部分与漏线相重叠地所配设。
由此，通过对液晶装置侧的电极的外侧电极部与漏线使得至少一部分 互相重叠地进行配置，能够使缝隙的端部接近漏线，能够使像素中的透射 率进一步提高。
进而，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，形成于前述液 晶层侧的电极的缝隙，相对于摩擦方向倾斜预定角度所形成。
由此，因为缝隙相对于摩擦方向倾斜预定角度所形成，所以能够使液 晶层的液晶分子的旋转方向稳定。进而，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述缝隙在向 错所发生的部位使用形成有扩展缝隙部的掩模所形成。
由此，因为在缝隙的向错所发生的部位使用形成有扩展缝隙部的掩模 所形成，所以能够抑制缝隙的形状变成圆弧状而对向错的发生进行抑制。
而且，本发明中的液晶显示装置，特征为前述缝隙在开口部侧的向 错所发生的部位使用形成有扩展电极部的掩模所形成。
由此，当使电极形成为梳状时，因为在该的开口部侧的向错所发生的 部位使用形成有扩展电极部的掩模而进行，所以能够抑制开口部的长度方 向端部变成圆弧状形状，能够对向错进行抑制。
并且，本发明中的液晶显示装置，特征为使形成显示部的像素，至 少包括挟持液晶层而相对向的一对M、与设置于前述一对^L之一方基 板而挟持绝缘膜所配置的对前述液晶层的液晶分子进行驱动的共用电极及 像素电极；前述共用电极及前述像素电极之中的前述液晶层侧的电极，具 有相对于摩擦方向倾斜了预定角度的缝隙的至少一对缝隙形成区域中前述
像素的长度方向与前述缝隙的长度方向形成的角度变成补角的关系地所配 置，并且前述一对缝隙形成区域之一方缝隙形成区域中的与另一方缝隙形 成区域相反侧的外周边缘和该缝隙的长度方向基本平行地所形成。
由此，因为共用电极及前述像素电极之中的前述液晶层侧的电极，具 有相对于摩擦方向倾斜了预定角度的缝隙的至少一对缝隙形成区域中前述 像素的长度方向与前述缝隙的长度方向形成的角度变成补角的关系地所配 置，并且前述一对缝隙形成区域之一方缝隙形成区域中的与另一方缝隙形 成区域相反侧的外周边缘和该缝隙的长度方向基本平行地所形成。所以能 够使电极的外形形成为多缝隙构成的梯形状，因为在形成有缝隙的电极的 与缝隙相平行的对向外周缘并不存在多余的电极部，所以能够使像素的透 射率提高。
并且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，在前述一对缝 隙形成区域的各自中，形成于前述液晶层侧的电极的缝隙互相平行地形成 多个。由此，在缝隙形成区域的各自中，因为形成于液晶层侧的电极的缝隙 互相平行地形成多个，所以能够使在各缝隙形成区域的透射率提高。
进而，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述缝隙，延 长直至前述液晶层侧的电极的该缝隙的长度方向的对向外周缘之一方，该 电才及成为梳状。
由此，因为电极成为梳状，所以能够使透射率进一步提高。
而且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，在前述像素内 配设1个电极的前述一对缝隙形成区域。
由此，因为使对应于一个像素的电极，以形成有一对缝隙形成区域的 多缝隙构成的电极进行构成，所以即使在一对缝隙形成区域间也能够缩小 它们间的间隔而使透射率提高。
更进一步，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，在形成有 前述缝隙的电极的一方缝隙形成区域的外周边缘部，形成对施加于前述像 素电极及像素电极之一方的电压进行控制的有源控制部。
由此，因为在多缝隙构成的电极之一方缝隙形成区域的外周缘形成有 源控制部，所以该有源控制部能够在像素的角部对有源控制部进行配置， 能够使像素整体的透射率提高。
并且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，相邻于前述缝 隙的排列方向的像素之中一方像素^目邻于另一方像素的缝隙形成区域、 与另一方像素^f目邻于一方像素的缝隙形成区域中，双方的缝隙变得平行 》也所配i殳。
由此，因为使得相邻的像素"M目邻的缝隙形成区域的缝隙平行变得平 行地所配设，所以能够跨相邻于缝隙排列方向的像素间而形成平行的缝隙， 能够形成连续于缝隙排列方向的像素。
进而，本发明中的液晶显示装置，特征为在前述一对缝隙形成区域 的边界位置，配设向对施加于像素电极的电压进行控制的有源控制部的栅 供给栅信号的栅线。
由此，因为在像素内的一对缝隙形成区域间配置有源控制部，所以能够利用透射率下降的缝隙方向的转换部而对有源控制部进行配置，能够将 多缝隙构成的像素区域设计为最小。
而且，本发明中的液晶显示装置，特征为在上述中，前述有源控制 部弯曲而与前述栅线相交叉2次。
由此，因为有源控制部弯曲而与栅线相交叉2次，所以能够减小薄膜 晶体管的形成区域的面积而使可显示区域的比例即开口率提高。


图l是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置的俯视图。
图2是图1的A-A上的剖面图。
图3是表示图1的〗象素电极的俯视图。
图4是表示应用于第1实施方式的开口部形成用掩模的俯视图。
图5是表示图4的校正透光图形部的详情的图。
图6是表示本发明的第2实施方式的像素电极的俯视图。
图7是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置的俯视图。
图8是表示图7的像素电极的俯视图。
图9是表示应用于笫3实施方式的开口部形成用掩^莫的俯视图。
图IO是表示开口部形成用掩模的校正非透光图形部的详情的图。
图ll是表示薄膜晶体管的其他构成的俯视图。
图12是表示本发明的第4实施方式的液晶显示装置的俯视图。
图13是图12的A-A上的剖面图。
图14是表示图12的像素电极的俯视图。
图15是表示应用于第4实施方式的开口部形成用掩模的俯视图。
图16是表示本发明的笫5实施方式的液晶显示装置的俯视图。
图17是图16的剖面图。
图18是表示图16的像素电极的俯视图。
图19是表示本发明的第6实施方式液晶显示装置的俯视图。
图20是表示图19的像素电极的俯视图。图21是表示应用于第6实施方式的开口部形成用掩模的俯视图。 符号的说明
1…液晶显示装置，2-显示部，3…像素，4…栅线，5."漏线，IO'"背光 源，11…第1偏振板，12…第1透明基板，13…緩冲膜，14…有源层，15…栅 绝缘膜，16…层间绝缘膜，17…漏，18…源，19…源电极，20-钝化膜，21…平 坦化膜，22...共用电极，23...绝缘膜，24...像素电极，25."取向膜，26…液 晶层，27".滤色器，28…取向膜，29-第2透明基敗，30…第2偏振板，TR…薄 膜晶体管，Sl、 S2…缝隙，31、 32…对向外周缘，33、 34—对向外周缘， 35 38…外侧电极部，39…连结电极部，40…晶体管对向电极，100…开口部 形成用掩模，112…非透光图形部，113、 114…基本透光图形部，115 ~ 118…校 正用透光图形部，200…开口部形成用掩模，212…非透光图形部，213、 214…基本透光图形部，215、 217."校正用非透光图形部，216、 218…校正 用透光图形部
具体实施例方式
以下，对本发明的实施方式基于附图进行说明。
图1,是表示将本发明应用于通过常黑型的FFS模式进行工作的液晶 显示装置的情况下的一实施方式的俯视图，在附图中，l为液晶显示装置， 显示部2将多个像素3配置成矩阵状所构成。在图1中，仅示出显示部2 的一部分像素3。
显示部2，如示于图l地，形成为以X方向为水平方向、以Y方向为 垂直方向的矩形状，沿该水平方向，供给像素选择信号的多条栅线4保持 预定间隔所配置，并且沿垂直方向，供给显示信号的漏线5保持预定间隔 所配置。还有，显示部2的水平方向，设定为在通过偏振太阳镜观看显 示部1的情况下，变得与该偏振太阳镜的吸收轴相平行。
在以这些栅线4及漏线5所包围的像素区域配置像素3。在各^f象素3， 配设在像素形成区域的左上角部使栅线4变成栅电极的薄膜晶体管TR。
而且，像素3，如示于图2的剖面图地，成为多层结构，具有在对向于背光源10的下面形成有第1偏椒敗11的由玻璃等构成的第1透明 12,在该第1透明基敗12的上面形成緩冲膜13,在该緩冲膜13的上面配 置构成薄膜晶体管TR的以图1看U字状的以多晶硅所形成的有源层14， 覆盖该有源层14地配置栅绝缘膜15。
在栅绝缘膜15的对向于有源层14的上面使得2次穿过有源层14地配 置栅线而成为双栅结构。而且，栅绝缘膜15及栅线4,以层间绝缘膜16 所覆盖。在该层间绝缘膜16上，配置通过接触孔CH1与薄膜晶体管TR 的漏17相连接的漏线5、和通过接触孔CH2与源极18相连接的源电极19。
这些漏线5及源电极19以钝化膜20所覆盖，在该钝化膜20上形成平 坦化膜21。还有，钝化膜20未必需要，也能够进行省略。
在平坦化膜21上，在与源电极19相对向的位置配置具有开口部22a 的共用电极22。该共用电极22,例如在配置像素3的显示有效区域中作为 整面膜所形成，在未配置像素3的区域中，通过接触孔(未图示)，与供 给共用电位的共用电极线(未图示)相连接。并且，既可以形成为平行于 栅线或漏线地成列的带状，也可以每像素都与共用电极线进行连接。
而且，在共用电极22上通过绝缘膜23配置像素电极24。该像素电极 24通过穿过绝缘膜23、共用电极22的开口部22a、平坦化膜21及钝化膜 20所形成的接触孔CH3与源电极19相连接。
并且，像素电极24以取向膜25所覆盖，该取向膜25的摩擦方向，设 定为变得与第1偏痴板ll的透射轴相平行。
而且，在取向膜25的上部通过具有液晶分子M的液晶层26而配置在 下面具有滤色器27及取向膜28的第2透明14129。在此，取向膜28的 摩擦方向具有与前述的取向膜25相同的摩擦方向。并且，液晶层26的液 晶分子M，相应于取向膜25及28的摩擦方向所初始取向、所均匀取向。
进而，在第2透明基板29的上面配置具有与第l偏振板ll相正交的 透射轴的第2偏#41 30。
而且，取向膜25及28的摩擦方向，如示于图3地，与水平方向(X 方向)相一致。像素电极24，如示于图3地，成为所谓单一缝隙构成具有相对于取向膜25及28的摩擦方向仅倾斜了预定角度6 sl的长方形状的 多个缝隙Sl保持预定间隔LI平行地形成于垂直方向上。
并且，像素电极24，在从垂直方向两端部侧的缝隙Sl仅离开预定距 离L2的位置形成作为与缝隙Sl相平行的短边的对向外周缘31及32、形 成连结这些对向外周缘31及32的左右两端而延伸于垂直方向的作为比较 长的长边的对向外周缘33及34而具有平行四边形状的外形。
在此，各缝隙S1，如示于图2地，为用于在作为通过绝缘膜23所形 成的上部电极的像素电极24与作为下部电极的共用电极22之间施加电压、 并通过由此产生的电场对液晶分子M进行驱动的开口部。因为缝隙Sl在 垂直方向上平行地形成多个，所以能够使像素3的透射率提高。
而且，各缝隙S1，其倾斜角6sl为了不使液晶层26的液晶分子M旋 转方向变得不确定，设定为相对于取向膜25及28的摩擦方向大例如约+5 度~+15度、优选约大+5度的值。
并且，各缝隙S1，使得其长度方向的两端部，相对于对向于它们两端 部的像素电极24的对向外周缘33及34仅预定距离L3变成内侧地所形成。 结果，像素电极24，具有如下构成以形成对向外周缘31及32的外侧电 极部35及36、和形成对向外周缘33及34的外侧电极部37及38而成为 平行四边形状，外侧电极部37及38间以形成缝隙Sl的连结电极部39所 连结。
该像素电极24，当图形化时，存在由于光刻工序而角部变成稍带圆角 的形状的情况。为了极力避免该圆角，如果使用于图形化的掩模的图形， 成为考虑了近光效应的图形，则能够将该圆角抑制为能够忽略的程度。
并且，如示于图1地，通过对俯视至少像素电极24的外侧电极部35 与漏线5使得它们的一部分互相重叠地进行配置，能够使缝隙Sl的端部接 近漏线5，能够使像素3中的透射率进一步提高。并且，通过对像素电极 24的外侧电极部35与栅线4进行配置使得它们互不重叠，能够通过外侧 电极部35与作为形成得比像素电极24大的下部电极的共用电极22的电 场，对外侧电极部35与栅线4之间的液晶分子M进行控制，能够使像素3中的透射率进一步提高。
若对具有上述构成的液晶显示装置1的工作，参照图2进行说明，则 在电场并未产生于共用电极22与像素电极24之间的截止状态下，液晶层 26的液晶分子M所均匀取向，其长轴方向，例如与笫l偏振板ll的透射 轴为平行。此时，通过第1偏痴仗11所直线偏振的背光源10的光，以原 状的偏振轴对液晶层26进行透射而入射于第2偏振板30。但是，该光， 因为其偏振轴和与第2偏#41 30的透射轴相正交，所以通过第2偏#41 3()所吸收。即说，成为黑色显示(常黑)。
另一方面，在电场产生于共用电极22与像素电极24之间的导通状态 下，相应于该电场，液晶层26的液晶分子M的长轴，相对于第l透明基 板12基本水平地进行旋转。此时，通过第l偏痴板ll所直线偏振的背光 源10的光，通过液晶层26中的双折射变成椭圆偏振，入射于第2偏#41 30。该椭圆偏振之中，出射与第2偏振板30的透射轴相一致的分量，成为 白色显示。
此时，因为像素电极24的外侧电极部35及36的对向外周缘31及32 与缝隙Sl相平行地所形成，所以相比较于使像素电极24的外形成为长方 形状的情况并不在外侧电极部35及36产生多余的余量，能够使各4象素3 的透射率提高。
还有，在配置有上述像素电极24的各像素3，通过所谓行反转驱动进 行工作的情况下，在以垂直方向相邻的各像素3的各像素电极24，供给极 性不同的显示信号。因此，存在由于不同的显示信号的中间处理得不到预 期的显示，在那些像素3的边界附近发生显示不佳的情况。虽然为了避免 该问题，可以使以垂直方向相邻的各像素3的各像素电极24极力离开，但 是若将离开距离取得太大则招致透射率的下降。
因此，优选 一方像素电极24的对向外周缘31与另一方像素电极24 的对向外周缘32的距离，为与像素电极24的对向外周缘31及32的外侧 的液晶分子M通过电场得到预期的旋转的范围的2倍相等、比其稍大的范 围。例如，若以相邻的各像素电极24之中， 一方像素电极24的外周边缘31、与另一方像素电极24的外周边缘32的距离为Dl，则为5fim〈D1〈 15nm，作为合适的例为7nm〈Dl〈10nm。
还有，在上述第1实施方式中，若缝隙Sl的端部形状带有圆角，则存 在液晶分子M的旋转方向相对于预期的方向发生反转的区域，发生作为本 来应当成为白色显示的区域变成黑色显示而透射率下降的现象的向错。为 了抑制该向错的发生，缝隙Sl的端部形状需要不带圓角地进行形成，作为 在为此的光刻工序中进行使用的掩模，使用如示于图4的开口部电极形成 掩模亂
该开口部电极形成掩模100，相对于非透光图形部112，在^f象素电极 24的对向于缝隙Sl的位置形成相应于缝隙Sl的形状的基本透光图形部 114，进而在基本透光图形部114的发生向错的部位使基本透光图形部114 扩展而形成对向错的发生进行抑制的校正用透光图形116及118。
在此，基本透光图形部114的发生向错的部分，如上述的第1实施方 式地，在缝隙S1相对于摩擦方向倾斜于正方向即逆时针方向的情况下，当 以缝隙Sl的中心点为XY坐标的原点、以X方向为缝隙的长度方向、以Y 方向为缝隙的宽度方向时，成为第2象限及第4象限的角部。还有，在缝 隙Sl相对于摩擦方向倾斜于负方向即顺时针方向的情况下，在上述XY坐 标系中在第1象限及第3象限的角部发生向错。
校正用透光图形部116，如以图5进行放大图示地，使得基本透光图 形部114成为扩展于非透光图形部112内的形状地连通于基本透光图形部 114所形成，以连通于基本透光图形部114而相对于其长度方向即X轴例 如45度倾斜于逆时针方向进行延长的宽度比较窄的带状图形部119、和形 成于该带状图形部119的延长端的例如形成为直角等腰三角形的三角形图 形部120所构成。
在此，带状图形部119的宽度尺寸B及从基本透光图形部114的端部 到三角形图形部120的前端部的延长尺寸C设定得比基本透光图形部114 的宽度尺寸A小。
若举尺寸之一例，则当以形成于蚀刻后的像素电极24的缝隙宽度S为约4.0fim时，能够侵羞本透光图形部114的宽度尺寸A为约3.4nm，在该 情况下，能够使校正用透光图形部116的延长尺寸C为约1.75nm，使宽 度尺寸B为约1.4nm。
在高清晰的液晶显示装置中，基本透光图形部114的宽度尺寸A,多 设定为接近曝光装置分辨率的极限的最小尺寸。从而，通常，开口部电极 形成掩才莫的图形的最小尺寸，即侵爽出啄光装置的分辨率地变小，也无法 曝光为预期的尺寸、形状。这里，通过利用近光效应，能够得到膝光装置 的分辨率以下的精细图形。这是基于通过在接近膝光装置的分辨率的极 限的基本图形部周边部，设置考虑了光的衍射等的形状、尺寸的校正用图 形部，能够对基本图形部的周边部的形状进行校正，并形成曝光装置的分 辨率以上的精度的图形。虽然在图4的例中，仅在基本透光图形部114， 由于曝光装置的分辨率的极限，膝光图形在其长度方向的端部，成为圆弧 状，但是通过设置校正用透光图形部116，能够对圆孤状形状进行校正， 成为相当接近矩形的曝光图形。
从而，因为利用近光效应，所以校正用透光图形部116的尺寸，可设 定得比基本透光图形部114的最小尺寸小。在上述的例中，如果曝光装置 的分辨率为约3fim,则能够使一基本透光图形部114的最小尺寸成为比啄光 装置的分辨率的约3nm大的约3.4jim， 4吏校正用透光图形部116的最小尺 寸成为比曝光装置的分辨率的3nm小的约1.4jim。
如此的开口部电极形成掩冲莫100，能够采用如下掩才莫按照一般的膝 光掩模的制造方法，佳羞本透光图形部114的最小尺寸成为啄光装置的分 辨率的允许范围，在基本透光图形部114的长度方向的端部，为了设置具 有超出曝光装置的分辨率的小的尺寸的校正用透光图形部116而形成透光 图形。
并且，虽然关于校正用透光图形部118，详细图示也进行省略，但是 形成为与校正用透光图形部116线对称的相同形状。
若使用具有上述构成的开口部电极形成掩模100而进行曝光，则光通 过基本透光图形部114及校正用透光图形部116、 118，并曝光感光性抗蚀剂。若曝光该感光性抗蚀剂，则因为其特性发生变化，所以通过采用适当
的显影液，能够去除曝光部分，由此感光性抗蚀剂按与基本透光图形部114 相同的形状在感光性抗蚀剂上形成开口部。通过如此地采用形成开口部的 感光性抗蚀剂，对像素电极用透明导电材料膜进行蚀刻，形成具有对应于 感光性抗蚀剂的开口部的形状的缝隙Sl的像素电极24。 接下来，对本发明的第2实施方式关于图6进行说明。 该第2实施方式如下通过对取向膜25及30的摩擦方向与形成于像 素电极24的缝隙Sl的倾斜角进行选择，而使由于在制造时的图形化的限 制上、缝隙Sl的端部的图形变成圆弧状，在从像素电极的电极部延伸于缝 隙Sl的下层的共用电极上延伸的电场的方向与摩擦方向的角并不一样，存 在液晶分子M的旋转方向相对于预期的方向发生反转的区域，本来应当成 为白色显示的区域变成黑色显示而透射率下降的现象、即向错减少，提高 像素的透射率。
即，在第2实施方式中，如示于图6地，取向膜25及30的摩擦方向， 相对于水平方向(X方向)具有倾斜角6r。该倾斜角6r，例如为约+20 度~+50度，优选为约+30度。第l偏振板ll的透射轴，例如平行于该摩 擦方向。
在具有平行四边形或基本平行四边形的形状的像素电极24，互相平行 地配置具有由长边El与短边E2构成的平行四边形或基本平行四边形的形 状的多条缝隙Sl。平行四边形的像素电极24的长边，平行于显示部2的 垂直方向。缝隙Sl的长边E1相对于显示部1的水平方向的倾斜角6s， 为了不使液晶层26的液晶分子M的旋转方向变得不确定，设定得比摩擦 方向的倾斜角6r大例如约+5度~+15度、优选约大5度。
另一方面，缝隙S1短边E2相对于水平方向的倾斜角6e，设定得比长 边E1的倾斜角大、且比(6r+90° )小。即，在像素电极24中，在缝 隙S1的端中， 一方角部Aac成为4兌角的开口部。
并且，像素电极24的短边侧的对向外周缘31及32，相对于水平方向 具有倾斜角6s。即，像素电极24的对向外周缘31及32与缝隙S1的长边El相平行。这些对向外周缘31及32与沿垂直方向的对向外周缘33及34 以锐角相交叉。即，在对向外周缘31与对向外周缘34相交叉的部位及对 向外周缘32与对向外周缘33相交叉的部位存在锐角的角部C 。
还有，像素电极24的外周缘的角部C与缝隙S1的角部Aac，当对像 素电极24进行图形化时，存在由于光刻工序的近光效应而稍带圆角的情 况。为了极力避免该圆角，如果使用于图形化的掩模的图形，成为考虑了 上述近光效应的图形，则能够将该圆角抑制为能够忽视的程度。
若根据该第2实施方式，则像素电极24，因为在缝隙Sl的成为锐角 的角部Aac附近，液晶分子M的旋转方向的反转难以发生，所以可抑制 向错。还有，因为在缝隙Sl的另一端的附近，本来就不发生液晶分子M 的旋转方向的反转，所以不发生向错。
进而，像素电极24的沿对向外周缘31及32的区域，因为与缝隙Sl 的长边E1相平行，所以并不在沿对向外周缘31及32的区域配置缝隙Sl 的短边E2，因为在该区域中不会发生液晶分子M的旋转方向的反转，所 以不发生向错。进而，因为通过像素电极24的对向外周缘31及32与配置 于其外侧的共用电极22的电场，该区域的液晶分子M进行旋转的角度能 够与像素3内相同，所以能够成为用于显示的区域。由此，能够使#_素3 整体中的向错减少，提高透射率。
该情况下在缝隙Sl的端中的像素电极24沿对向外周缘33及34的端 中，因为缝隙Sl的端、和与对向外周缘33及34最近的部分的距离在电极 材料的形成上必需为预定的距离，所以若与使最近的部分的距离成为预定 的情况相比较，则缝隙Sl的端远离对向外周缘33及34。
因为该像素电极24的端的余量，使透射率降低，所以尤其是在^象素电 极24的对向外周缘33及34 —方比对向外周缘31及32长的情况下，发生 向错的部位增大。即，像素3整体中的透射率显著下降。相对于此，在本 实施方式中，因为缝隙Sl的倾斜角6s比摩擦方向的倾斜角6r大，所以 能够使如此的像素电极24的端的缝隙Sl的端与像素电极24的对向外周缘 33及34的距离变近。从而，能够抑制上述透射率的下降。接下来，对本发明的笫3实施方式关于图7及图进行说明。 在该第3实施方式中，使像素电极形成为梳状。
即，在第3实施方式中，如示于图7及图8地，除了并不形成前述的 第1实施方式中的像素电极24的右侧的外侧电极部38、而像素电极24形 成为梳状之外具有与前述的图1及图3同样的构成，在与图1及图3的对 应部分附加同一符号，其详细说明进行省略。
若根据该第3实施方式，则因为并不形成第1实施方式中的像素电极 24的外侧电极部38而成为梳状的像素电极24，所以并不形成缝隙1的端， 能够使透射率提高。
在该第3实施方式中，为了不使向错发生也必需不在端部形状带有圆 角地形成梳状的像素电极24，作为在为此的光刻工序中进行使用的掩^^莫， 使用如示于图9的、开口部电极形成掩模200。
该开口部电极形成掩模200,相对于非透光图形部212，在像素电极 24的对向于缝隙Sl的位置形成相应于缝隙Sl的形状的基本透光图形部 214，进而在基本透光图形部214的发生向错的部位缩小基本透光图形部 214使对向错的发生进行抑制的校正用非透光图形部216及基本透光图形 部214扩展而形成对向错的发生进行抑制的校正用透光图形部218。
在此，基本透光图形部114的发生向错的部位，如上述的第3实施方 式地，在缝隙S1相对于摩擦方向倾斜于正方向即逆时针方向的情况下，当 以缝隙Sl的中心点为XY坐标的原点、以X方向为缝隙的长度方向、以Y 方向为缝隙的宽度方向时，成为笫2象限及第4象限的角部D。还有，在 缝隙Sl相对于摩擦方向倾斜于负方即顺时针方向的情况下，在上XY坐标 系中在第1象限及第3象限的角部发生向错。
校正用非透光图形部216，如以图IO进行放大图示地，连结于非透光 图形部212而形成为非透光图形部212扩张于基本透光图形部214内的形 状、若换言之则缩小基本透光图形部214的形状，以连结于非透光图形部
度比较窄的带状非透光图形部219、和形成于该带状非透光图形部219的延长端的例如形成为直角等腰三角形的三角形非透光图形部220所构成。
在此，带状非透光图形部219的宽度尺寸I及从非透光图形部212的 端部到三角形非透光图形部220的前端部的延长尺寸J设定得比非透光图 形部212的宽度尺寸H小。
若举尺寸之一例，则当以形成于蚀刻后的像素电极24的细长的电极部 的宽度即线的宽度尺寸W为约3.0nm时，能够使非透光图形部212的宽 度尺寸H为约3.6nm，在该情况下，能够使校正用非透光图形部216的延 长尺寸J为约1.5jim、使宽度尺寸I为约1.4nm。
关于图4及图5如前所述地，通过利用仅光效应，能够得到膝光装置 的分辨率以下的精细图形，在图10的例子中，仅在基本透光图形部214 或者非透光图形部212中，由于曝光装置的分辨率的限度，膝光图形在其 长度方向的端部中为圆弧状，通过设置精细的校正用非透光图形部216， 对圆弧状形状进行校正，能够成为相当接近于矩形的曝光图形。
从而，因为利用近光效应，所以校正用非透光图形部216的尺寸，可 设定得比基本透光图形部214或非透光图形部212的最小尺寸小。在上述 的例中，如果曝光装置的分辨率为约3nm，则能够侵羞本透光图形部214 的最小尺寸成为比啄光装置的分辨率的约3nm大的约3.6nm，使校正用非 透光图形部216的最小尺寸成为比爆光装置的分辨率的3nm小的约
如此的开口部电极形成掩模200，能够采用如下掩;f莫按照一般的曝 光掩模的制造方法，侦—基本透光图形部214的最小尺寸成为膝光装置的分 辨率的允许范围，在基本透光图形部214的长度方向的端部，为了设置具 有超出曝光装置的分辨率的小的尺寸的校正用透光图形部216而形成透光 图形部。
并且，关于校正用透光图形部218，具有与前述的图4及图5的校正 用透光图形部118同^^的构成。
虽然在该第3实施方式中，关于使前述的第1实施方式的像素电极24 成为梳状的情况进行了说明，但是并不限定于此，也可以使前述的第2实施方式的像素电极成为梳状。
接下来，对本发明的第4实施方式基于附图进行说明。 图12,是表示将本发明应用于通过常黑型的FFS模式进行工作的液晶 显示装置的情况下的一实施方式的俯视图，在附图中，l是液晶显示装置， 将多个像素3配置为矩阵状而构成显示部2。在图12中，仅示出显示部2 的一部分像素3。
显示部2，如示于图12地，形成为以X方向为水平方向、以Y方向为 垂直方向的矩形状，沿该水平方向，供结^象素选择信号的多条栅线4保持 预定间隔所配置，并且沿垂直方向，供给显示信号的漏线5保持预定间隔 所配置。还有，显示部2的水平方向，设定为在通过偏振太阳镜观看显 示部l的情况下，变得与该偏振太阳镜的吸收轴相平行。
在以这些栅线4及漏线5所包围的像素区域配置像素3。在各像素3， 配设在像素形成区域的左上角部使栅线4成为栅电极的薄膜晶体管TR。
而且，像素3，如示于图13的剖面图地，成为多层结构，具有在对向 于背光源10的下面形成有第1偏椒fe 11的由玻璃等构成的第1透明141 12,在该笫1透明J4^12的上面形成緩沖膜13，在该緩冲膜13的上面配 置构成薄膜晶体管TR的以图12看为U字状的以多晶硅所形成的有源层 14，覆盖该有源层14地配置栅绝缘膜15。
在栅绝缘膜15的对向于有源层14的上面使得2次穿过有源层14地配 置栅线4而成为双栅结构。而且，栅绝缘膜15及栅线4，以层间绝缘膜16 所覆盖。在该层间绝缘膜16上，配置通过接触孔CH1与薄膜晶体管TR 的漏17相连接的漏线5、和通过接触孔CH2与源18相连接的源电极19。
这些漏线5及源电极19以钝化膜20覆盖，在该钝化膜20上形成平坦 化膜21。还有，钝化膜20未必需要，也能够进行省略。
在平坦化膜21上，在与源电极19相对向的位置配置具有开口部22a 的共用电极22。该共用电极22，例如在配置着像素3的显示有效区域中作 为整面膜所形成，在未配置像素3的区域中，通过接触孔(未图示)，与 供给共用电位的共用电极线(未图示)相连接。并且，既可以形成为平行于栅线或漏线地成列的带状，也可以每像素都与共用电极线进行连接。
而且，在共用电极22上通过绝缘膜23配置像素电极24。该像素电极 24，通过穿过绝缘膜23、共用电极22的开口部22a、平坦化膜21及钝化 膜20所形成的接触孔CH3与源电极19相连接。
并且，像素电极24以取向膜25所覆盖，该取向膜25的摩擦方向，设 定为变得与笫1偏振板11的透射轴相平行。
而且，在取向膜25的上部通过具有液晶分子M的液晶层26而配置在 下面具有滤色器27及取向膜28的第2透明14^29。在此，取向膜28的 摩擦方向具有与前述的取向膜25相同的摩擦方向。并且，液晶层26的液 晶分子M，相应于取向膜25及28的摩擦方向所初始取向、进行均匀取向。
进而，在第2透明M29的上面配置具有与笫1偏痴仗11相正交的 透射轴的第2偏痴敗30。
而且，取向膜25及28的摩擦方向，如示于图14地，与水平方向(X 方向)相一致。像素电极24,如示于图14地，成为具有在像素3的长度 方向的中央部具有上下对称的缝隙形状的一对第1缝隙形成区域A1及第2 缝隙形成区域A2的双缝隙构成。
第1缝隙形成区域A1，具有相对于取向膜25及28的摩擦方向仅倾斜 了预定角度+6sl的长方形状的多条缝隙Sl保持预定间隔Ll平行地形成 于垂直方向。
并且，第2缝隙形成区域A2，具有相对于取向膜25及28的摩擦方向 仅倾斜了预定角度-6sl的长方形状的多条缝隙S2保持预定间隔Ll平行 地形成于垂直方向。
从而，第1缝隙形成区域A1及第2缝隙形成区域A2，使得像素3的 长度方向与缝隙Sl及S2的长度方向形成的角度成为补角的关系地所配 置。
并且，像素电极24，使得第1缝隙形成区域A1侧的外周边缘31在从 最外周侧的缝隙Sl仅离开预定距离L2的位置成为与缝隙Sl相平行的短 边地所形成，使得第2缝隙形成区域A2侧的外周边缘32在从最外周侧的缝隙S2仅离开预定距离L2的位置成为与缝隙S2相平行的短边地所形成。 并且，像素电极24，形成变成分别个别地连结外周边缘31及32的左
通过各外周边缘31 ~34形成为梯形状。
在此，第1缝隙形成区域Al及第2缝隙形成区域A2的各缝隙Sl及 S2是开口部，为用于在作为通过绝缘膜23所形成的上部电极的像素电极 24与作为下部电极的共用电极22之间施加电压、并通过由此产生的电场 对液晶分子M进行驱动的开口部。在各缝隙区域Al及A2，通过使多个 缝隙Sl及S2平行地形成于垂直方向(Y方向)，能够使在各缝隙区域Al 及A2的透射率提高。
而且，第1缝隙形成区域Al的缝隙Sl，其倾斜角+ 6sl为了不使液 晶层26的液晶分子M的旋转方向变得不确定，设定为相对于取向膜25及 28的摩擦方向大例如约+5度~+15度，优选约大+5度的值。
并且，第2缝隙形成区域A2的缝隙S2，其倾斜角-6sl也为了不使液 晶层26的液晶分子M的旋转方向变得不确定，设定为相对于取向膜25及 28的摩擦方向小例如约-5度~-15度，优选约小-5度的值。
并且，各缝隙S1及S2，使得其长度方向的两端部，相对于对向于它 们两端部的像素电极24的对向外周缘33及34仅预定距离L3变成内侧地 所形成。结果，像素电极24，具有如下构成以形成对向外周缘31及32 的外側电极部35及36、与形成对向外周缘33及34的外侧电极部37及38 而成为梯形状，外侧电极部37及38间以形成缝隙S1及S2的连结电极部 39所连结。
进而，第1缝隙形成区域A1及笫2缝隙形成区域A2边界位置的缝隙 Sl及S2，使得在外侧电极部37的位置连结电极部39彼此之间相重叠地 所形成，在该外侧电极部38侧，形成4吏端部向外周边缘34敞开的缝隙S3。
该缝隙S3，由于光刻工序的分辨率，如示于图14地，在缝隙S1及S2 相对于摩擦方向的倾斜角+6sl及-6sl小而缝隙宽度窄的情况下，能够成 为在外周边缘34侧敞开的形状，而在倾斜角+ 6sl及-6sl大而缝隙宽度宽的情况下，则能够成为以外侧电极部38堵塞外侧电极部38侧端部的形 状。
该像素电极24,当图形化时，存在由于光刻工序而角部变成稍带圆角 的形状的情况。为了极力避免该圆角，如果使用于图形化的掩才莫的图形， 成为考虑了近光效应的图形，则能够将该圓角抑制为能够忽视的程度。
而且，在像素电极24的第2缝隙形成区域A2的左下角部形成前述的 薄膜晶体管TR。
并且，如示于图12地，通过对俯视至少像素电极24的外侧电极部35 与漏线5使得它们的一部分互相重叠地进行配置，能够使缝隙Sl的端部接 近漏线5，能够使〗象素3中的透射率进一步提高。并且，通过对像素电极 24的外侧电极部35与栅线4使得它们互不重叠地进行配置，能够通过外 侧电极部35与作为形成得比像素电极24大的下部电极的共用电极22的电 场对外侧电极部35与栅线4之间的液晶分子M进行控制，能够使像素3 中的透射率进一步提高。
若对具有上述构成的液晶显示装置1的动作，参照图13进4亍说明，则 在电场并未产生于共用电极22与像素电极24之间的截止状态下，液晶层 26的液晶分子M进行均匀取向，其长轴方向，例如与第l偏振板ll的透 射轴相平行。此时，通过第1偏 111所直线偏振的背光源10的光，以 原来的偏振轴对液晶层26进行透射而入射于第2偏振板30。但是，该光， 因为其偏振轴与第2偏膝板30的透射轴相正交，所以通过第2偏痴敗30 所吸收。即，成为黑色显示(常黑)。
另一方面，在电场产生于共用电极22与像素电极24之间的导通状态 下，相应于该电场，液晶层26的液晶分子M的长轴，相对于第l透明基 板12基本水平地进行旋转。此时，通过第1偏痴仗11所直线偏振的背光 源10的光，通过液晶层26中的双折射变成椭圆偏振，入射于第2偏#4^ 30。该椭圆偏振之中，与第2偏椒板30的透射轴相一致的分量被出射，成 为白色显示。
此时，因为像素电极24的外侧电极部35及36的外周边缘31及32分别与缝隙Sl及S2相平行地所形成，所以相比较于使像素电极24的外形 为长方形状的情况在外侧电极部35及36并不产生多余的余量，能够使各 像素3的透射率提高。
而且，因为薄膜晶体管TR成为栅线4两次穿过有源层14的双栅结构， 所以能够减小薄膜晶体管的形成区域的面积而使可显示区域的比例即开口 率提高。
还有，在配置有上述像素电极24的各像素3，通过所谓行反转驱动进 行工作的情况下，在以垂直方向相邻的各像素3的各像素电极24，供给极 性不同的显示信号。因此，存在由于不同的显示信号的中间处理而得不到 预期的显示、在那些像素3的边界附近^生显示不佳的情况。为了避免该 问题，虽然可以使以垂直方向相邻的各像素3的各像素电极24极力分离，， 但是若将分离距离取得太大则招致透射率的下降。
因此，优选 一方像素电极24的对向外周缘31与另一方像素电极24 的对向外周缘32的距离，为与像素电极24的对向外周缘31及32的外侧 的液晶分子M通过电场得到预期的旋转的范围的2倍相等、比其稍大的范 围。例如，若以相邻的各像素电极24之中， 一方像素电极24的外周边缘 31、与另一方像素电极24的外周边缘32的距离为Dl，则为5nm〈DK 15jim，作为合适的例为7nm〈DK10jim。
还有，在上述第4实施方式中，若缝隙S1及S2的端部形状带有圓角， 则存在液晶分子M的旋转方向相对于预期的方向发生反转的区域，发生作 为本来应当成为白色显示的区域变成黑色显示而透射率下降的现象的向 错。为了抑制该向错的发生，缝隙S1及S2的端部形状需要不带圓角地进 行形成，作为在为此的光刻工序中进行使用的掩模，使用如示于图15的、 开口部电极形成掩才莫100。
该开口部电极形成掩模100，以用于第1实施方式的图4的掩膜为基 础而在像素电极24的对向于第1缝隙形成区域A1的位置形成相应于缝隙 Sl的形状的基本透光图形部113,在对向于第2缝隙形成区域A2的位置 形成相应于缝隙S2的形状的基本透光图形部114,形成对向错的发生进行抑制的校正用透光图形部115、 116及117、 118。
在此，基本透光图形部113的发生向错的部分，因为第1缝隙形成区 域A1的缝隙S1，相对于摩擦方向倾斜于正方即逆时针方向，所以当以缝 隙Sl的中心点为XY坐标的原点、以X方向为缝隙的长度方向、以Y方 向为缝隙的宽度方向时，成为第2象限及第4象限的角部。并且，基本透 光图形部114的发生向错的部分，因为第2缝隙形成区域A2的缝隙S2, 相对于摩擦方向倾斜于负方向即顺时针方向，所以在上述XY坐标系中成 为第1象限及第3象限的角部E。
各校正用透光图形部，与用于第10实施方式的图5的校正用透光图形 部同样地所构成，详细的尺寸设定也能够同样地进行应用。
若使用具有上述构成的开口部电极形成掩模100进行曝光，则光通过 基本透光图形部113、 114及校正用透光图形部115~118，并膝光感光性 抗蚀剂。若曝光该感光性抗蚀剂，则因为其特性发生变化，所以通过采用 适当的显影液，能够去除膝光部分，由此，感光性抗蚀剂按与基本透光图 形部114相同的形状在感光性抗蚀剂上形成开口部。通过如此地采用形成 开口部的感光性抗蚀剂，对像素电极用透明导电材料膜进行蚀刻，形成具 有对应于感光性抗蚀剂的开口部的形状的缝隙Sl及S2的像素电极24。
以下，对本发明的第5实施方式关于图16及图17进行说明。
该第5实施方式，在第1缝隙形成部Al及第2缝隙形成部A2的边界 部形成薄膜晶体管TR。
即，在第5实施方式中，如示于图16地，除了在像素3内的像素电极 24的第1缝隙形成区域Al及第2缝隙形成部A2的边界部形成薄膜晶体 管TR、且在沿上下方向即漏线5相邻的像素3中像素电极24的方向左右 反转之外具有与前述的第4实施方式同样的构成，并在与图1的对应部分 附加同一符号，其详细说明进4亍省略。
在该第5实施方式中，第1缝隙形成区域A1及第2缝隙形成区域A2 的各缝隙Sl及S2的倾斜角+ 6 sl及-6 sl的绝对值设定成比前述第4实施 方式大的角度。并且，在第1缝隙形成区域A1及第2缝隙形成区域A2的边界位置缝 隙S1'及S2'，如以图18进行放大图示地，以其外侧电极部37侧所连通而 形成为V字状，并且外侧电极部38在从该外侧电极部38仅离开比距离 L2大的距离L5的位置所堵塞，形成晶体管对向电极部40。
而且，如示于图17地，对向于晶体管对向电极部40的下侧，形成以 图16看为U字状的有源层14，使得栅线4两次穿过该有源层14的漏17 及源8间地形成双栅构成的薄膜晶体管TR。该薄膜晶体管TR的源极18 通过接触孔CH2、源电极19、接触孔CH3电连接于晶体管对向电极部40。
若根据该第5实施方式，则通过在缝隙Sl及S2的倾斜方向不同的第 1缝隙形成区域A1及第2缝隙形成区域A2的边界位置，形成与薄膜晶体 管TR相对向的晶体管对向电极部40，并使该晶体管对向电极部40，如示 于图17地，连接于薄膜晶体管TR的源18， 2次横穿该薄膜晶体管TR的 有源层14地对栅线4进行配设，如示于图16地，能够横穿1个^象素3的 上下方向的中央部地对栅线4进行配设，能够进行使像素3最小化的设计。
而且，通过如前述地使薄膜晶体管TR成为双栅结构，能够使构成小 型化，能够使第1缝隙形成区域A1及第2缝隙形成区域A2间狭窄，能够 使像素3进一步最小化。
进而，因为相邻的像素电极24左右反转，所以在相邻的像素3间，缝 隙S1或S2变成平行地相连续的状态，因为在像素3间成为无缝状态，所 以能够使相邻的像素3间的透射率提高。
以下，对本发明的第6实施方式关于图19及图20进行说明。
在该第6实施方式中，将l象素电极形成为才危状。
即，在第3实施方式中，如示于图19及图20地，除了不形成前述的 第4实施方式中的像素电极24的右侧的外侧电极部38，而像素电极24形 成为梳状之外具有与前述的图12及图14同样的构成，在与图12及图14 的对应部分附加同一符号，其详细说明进行省略。
若根据该第6实施方式，则因为不形成第4实施方式中的像素电极24 的外侧电极部38，而成为梳状的像素电极24，所以并不形成缝隙Sl的端，能够使透射率提高。
在该第6实施方式中，为了不使向错发生也必需在端部形状不带圆角 地形成梳状的像素电极24，作为在为此的光刻工序中进行使用的掩模，使 用如示于图21的、开口部电极形成掩模200。
该开口部电极形成掩模200,以用于第4实施方式的图15的掩模为基 础而在像素电极24的对应于缝隙Sl及S2的位置形成相应于缝隙Sl及S2 的形状的基本透光图形部213及214,使对向错的发生进行抑制的校正用 非透光图形部215、 216及基本透光图形部213、 214进行扩展而形成对向 错的发生进行抑制的校正用透光图形部217、 218。
在此，基本透光图形部213的发生向错的部位，如上述的第4实施方 式地，在如缝隙S地1相对于摩擦方向倾斜于正方向即逆时针方向的情况 下，当以缝隙Sl的中心点为XY坐标的原点、以X方向为缝隙的长度方 向、以Y方向为缝隙的宽度方向时，成为第2象限及笫4象限的角部D。 并且，基本透光图形部214的发生向错的部位，在如缝隙S2地相对于摩擦 方向倾斜于负方向即顺时针方向的情况下，在上述XY坐标系中成为笫1 象限及第3象限的角部。
校正用透光图形部，与用于第3实施方式的图10的校正用透光图形部 同样地所构成，详细的尺寸设定也能够同样地进行应用。
虽然在该第6实施方式中，关于使前述的第4实施方式的像素电极24 成为梳状的情况进行了说明，但是并非限定于此，也可以使前述的第5实 施方式的像素电极成为梳状。
还有，虽然在上述笫1~第3实施方式中，关于像素电极24的缝隙S1 的长度方向相对于摩擦方向倾斜于正方向的情况进行了说明，但是并非限 定于此，也可以相对于摩擦方向倾斜于负方向。
并且，虽然在上述第1~第3实施方式中，关于共用电极22及〗象素电 极24之中像素电极24配置于液晶分子M侧，形成缝隙Sl的情况进行了 说明，但是并非限定于此，在使共用电极22配置于液晶分子M侧的情况 下，只要代替像素电极24，在共用电极22形成缝隙S1即可。还有，虽然在上述第4~第6实施方式中，关于共用电极22及像素电 极24之中像素电极24配置于液晶分子M侧，形成具有缝隙Sl及S2的第 1缝隙形成区域Al及第2缝隙形成区域A2的情况进行了说明，但是并非 限定于此，在使共用电极22配置于液晶分子M侧的情况下，只要代替素 电极24，在共用电极22形成具有缝隙Sl及S2的第1缝隙形成区域Al 及第2缝隙形成区域A2即可。
而且，虽然在上述第1~第6实施方式中，关于使薄膜晶体管TR的 有源层14形成为U字状，使得栅线4两次横穿该有源层14地成为双栅结 构的情况进行了说明，但是并非限定于此，如示于图11地，也可以使有源 层14形成为直线状，相应于此在栅线形成以有源层14的位置分支为二股 的分支部300，成为栅线4两次横穿有源层14的双栅结构。
更进一步，虽然在上述第1~第6实施方式中，关于像素3通过常黑 型的FFS模式进行工作的情况进行了说明，但是并非限定于此，关于通过 常白型的FFS模式进行工作的液晶显示装置也能够应用本发明。该情况下， 只要对应于常白型改变第1偏痴板11及第2偏痴敗30的透射轴、取向膜 25及28的摩擦方向的关系即可。
权利要求
1. 一种液晶显示装置，其特征在于使形成显示部的像素，至少包括挟持液晶层而相对向的一对基板、与设置于前述一对基板之一方基板而挟持绝缘膜所配置的对前述液晶层的液晶分子进行驱动的共用电极及像素电极；前述共用电极及前述像素电极之中的前述液晶层侧的电极，具有相对于前述像素的长度方向倾斜了预定角度的缝隙，并具有与该缝隙相平行的对向外周缘。
2. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于前述缝隙，在前述液晶层侧的电极的该缝隙的长度方向的比对向外周 缘靠内侧形成为平行四边形状。
3. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于前述缝隙，延长直至前述液晶层侧的电极的该缝隙的长度方向的对向 外周缘之一方，该电极成为梳状。
4. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于 前述缝隙，在前述液晶层侧的电极上互相平行地形成多个。
5. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于 前述液晶层侧的电极中外侧电极部至少一部分不与栅线相重叠地所配设。
6. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于 前述液晶层侧的电极中外侧电极部至少一部分与漏线相重叠地所配设。
7. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于 形成于前述液晶层侧的电极的缝隙，相对于摩擦方向倾斜预定角度所形成。
8. 根据权利要求l所述的液晶显示装置，其特征在于 前述缝隙在开口部侧的向错所发生的部位使用形成有扩展缝隙部的掩才莫所形成。
9. 根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于 前述缝隙在向错所发生的部位使用形成有扩展电极部的掩模所形成。
10. —种液晶显示装置，其特征在于使形成显示部的像素，至少包括挟持液晶层而相对向的一对141、与 设置于前述一对14l之一方14l而挟持绝缘膜所配置的对前述液晶层的液 晶分子进行驱动的共用电极及像素电极；前述共用电极及前述像素电极之中的前述液晶层侧的电极中，具有相 对于摩擦方向倾斜了预定角度的缝隙的至少一对缝隙形成区域中前述像素 的长度方向与前述缝隙的长度方向形成的角度变成补角的关系地所配置， 并且前述一对缝隙形成区域之一方缝隙形成区域中的与另一方缝隙形成区 域相反侧的外周边缘和该缝隙的长度方向基本平行地所形成。
11. 根据权利要求10所迷的液晶显示装置，其特征在于 在前述一对缝隙形成区域的各自中，形成于前述液晶层侧的电极的缝隙互相平行地形成多个。
12. 根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于 前述缝隙，延长直至前述液晶层侧的电极的该缝隙的长度方向的对向外周缘之一方，该电极成为梳状。
13. 根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于 在前迷像素内配设前迷一对缝隙形成区域。
14. 根据权利要求13所述的液晶显示装置，其特征在于 在前述一方缝隙形成区域的外周边缘部，形成对施加于前述像素电极的电压进行控制的有源控制部。
15. 根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于 相邻于前述缝隙的排列方向的像素之中一方像素之相邻于另一方像素的缝隙形成区域、与另一方像素^M目邻于一方像素的缝隙形成区域中，双 方的缝隙变得平行地所配设。
16. 根据权利要求15所述的液晶显示装置，其特征在于在前述一对缝隙形成区域的边界位置，配设向对施加于像素电极的电 压进行控制的有源控制部的栅供给栅信号的栅线。
17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于 前述有源控制部弯曲而与前述栅线相交叉2次。
全文摘要
本发明涉及液晶显示装置。提供能够使形成缝隙的电极的透射率提高的液晶显示装置。使形成显示部(2)的像素(3)，至少包括挟持液晶分子(M)而相对向的第1基板(12)及第2基板(29)、与设置于该第1基板(12)及第2基板(29)之一方而挟持绝缘膜(23)所配置的对前述液晶分子(M)进行驱动的共用电极(22)及像素电极(24)；前述共用电极(22)及前述像素电极(24)之中的前述液晶分子(M)侧的电极，具有相对于摩擦方向倾斜预定角度且平行的多个缝隙(S1)，并具有与该缝隙(S1)相平行的对向外周缘(31、32)。
文档编号G02F1/1343GK101441369SQ200810174770
公开日2009年5月27日 申请日期2008年11月3日 优先权日2007年11月21日
发明者矢田龙也 申请人:爱普生映像元器件有限公司