超薄pdp显示屏的制作方法

超薄pdp显示屏的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种超薄PDP显示屏的制作方法。该制备方法包括前基板部、后基板部的制作，及前基板部和后基板部的封接步骤，使前基板部与后基板部相对封接形成多个放电单元，前基板部的制作步骤包括：提供前基板；在前基板的后表面设置介质保护膜；沿前基板的前表面设置放电电极；以及在前基板的前表面及放电电极上设置第一绝缘层。应用本发明的超薄PDP显示屏的制作方法制备的显示屏，前基板既作为支撑结构，又直接作为介质层，与现有技术相比节省了结构，可以在很大程度上降低气体放电装置的厚度。
【专利说明】超薄PDP显示屏的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及气体放电【技术领域】，具体而言，涉及一种超薄PDP显示屏的制作方法。【背景技术】
[0002]目前大多数的市售等离子显示器(rop)商品为表面放电结构，通常具有如图1所示的结构。
[0003]图1为传统的AC型彩色等离子显示器100’的局部结构透视图。PDP 100’包括一片前基板部103’和一片后基板部106’。前基板部103’包括由玻璃构成的前基板110’，维持电极111’和扫描电极112’，其中每个像素都包含有维持电极和扫描电极。前基板103’上还包括介质层113’和介质保护层114’，介质保护层114’ 一般为氧化镁层。
[0004]后基板部106’包括由玻璃构成的后基板115’，上面设置有很多的栏状寻址电极116’。寻址电极116’上面覆盖一层介质层117’。障壁118’将前基板部103’和后基板部106’分隔开来，红色荧光粉层120’，绿色荧光粉层121’和蓝色荧光粉层122’位于介质层上方，障壁118’的侧壁内。PDP的每个像素被定义为由一行维持电极111’和一行扫描电极112’，它们与三列寻址电极116’的交叉点附近的区域构成，每一个像素包含一红色荧光粉层120’、一绿色荧光粉层121’和一蓝色荧光粉层122’。
[0005]PDP的厚度对于大尺寸的等离子电视机是一个很重要的构成因素，降低PDP的厚度是一直是人们致力研究的课题。

【发明内容】

[0006]本发明旨在提供一种超薄PDP显示屏的制作方法，通过该方法制备的超薄PDP显示屏具有与现有技术中的PDP显示屏不同的结构。
[0007]为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种超薄PDP显示屏的制作方法。该制备方法包括前基板部、后基板部的制作，及前基板部和后基板部的封接步骤，使前基板部与后基板部相对封接形成多个放电单元，前基板部的制作步骤包括:提供前基板；在前基板的后表面设置介质保护膜；沿前基板的前表面设置放电电极；以及在前基板的前表面及放电电极上设置第一绝缘层。
[0008]进一步地，前基板是厚度为30-100 μ m，介电常数< 7，不含碱的玻璃。
[0009]进一步地，后基板部的制作步骤包括:提供后基板；在后基板的前表面上设置障壁及荧光粉层，其中，障壁与放电电极垂直设置；在后基板的后表面设置平行于障壁设置寻址电极；以及在后基板的后表面及寻址电极上设置第二绝缘层。
[0010]进一步地，后基板是厚度为30-100 μ m，介电常数< 7，不含碱的玻璃。
[0011]进一步地，完成前基板部的介质保护膜和后基板的障壁及荧光粉层的设置后，进行封接步骤，然后，进行放电电极及第一绝缘层和寻址电极及第二绝缘层的设置。
[0012]进一步地，完成前基板部和后基板部的制作后，进行封接步骤。
[0013]进一步地，以层压或印刷方式制作第一绝缘层和第二绝缘层。[0014]进一步地，第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘层材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、苯并环丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、和聚四氟乙烯组成的组中的一种或多种。
[0015]进一步地，第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为10-50 μ m。
[0016]进一步地，介质保护膜以蒸镀或溅射的方法制作而成，厚度为500_1000nm。
[0017]应用本发明的超薄PDP显示屏的制作方法制备的显示屏，其前基板部由前基板、沿前基板的前表面延伸的放电电极，覆盖在前基板的前表面及放电电极上的第一绝缘层；以及设置在前基板的后表面的介质保护膜构成。前基板既作为支撑结构，又直接作为介质层，与现有技术相比节省了结构，可以在很大程度上降低气体放电装置的厚度。
【专利附图】

【附图说明】
[0018]说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0019]图1示出了现有技术中AC型彩色等离子显示器的局部结构示意图；以及
[0020]图2示出了根据本发明实施例的等离子显示器局部结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0022]根据本发明一种典型的实施方式，该超薄PDP显示屏的制作方法包括前基板部、后基板部的制作，及前基板部和后基板部的封接步骤，使前基板部与后基板部相对封接形成多个放电单元，前基板部的制作步骤包括:提供前基板；在前基板的后表面设置介质保护膜；沿前基板的前表面设置放电电极；以及在前基板的前表面及放电电极上设置第一绝缘层。应用本发明的超薄PDP显示屏的制作方法制备的显示屏，其前基板部由前基板、沿前基板的前表面延伸的放电电极，覆盖在前基板的前表面及放电电极上的第一绝缘层；以及设置在前基板的后表面的介质保护膜构成。前基板既作为支撑结构，又直接作为介质层，与现有技术相比节省了结构，可以在很大程度上降低气体放电装置的厚度。
[0023]优选地，前基板是厚度为30-100 μ m，介电常数< 7，不含碱的玻璃。以这层玻璃直接作为显示器的介质层，同时作为显示器件的支撑结构。
[0024]根据本发明一种典型的实施方式，后基板部的制作步骤包括:提供后基板；在后基板的前表面上设置障壁及荧光粉层，其中，障壁与放电电极垂直设置；在后基板的后表面设置平行于障壁设置寻址电极；以及在后基板的后表面及寻址电极上设置第二绝缘层。后基板同前基板一样，也既作为支撑结构，又直接作为介质层，因此可以进一步降低气体放电装置的厚度。
[0025]优选地，后基板是厚度为30-100 μ m，介电常数< 7，不含碱的玻璃。可使制成的后基板部厚度薄，并具有较好的柔性，前、后基板同时采用该玻璃，可使制成的气体放电装置具有超薄、柔软的特性。
[0026]本发明的显示器的封接步骤可以按照现有技术中的工艺在完成前基板部和后基板部的制作后进行。优选地，完成前基板部的介质保护膜和后基板的障壁及荧光粉层的设置后，进行封接步骤，然后，进行放电电极及第一绝缘层和寻址电极及第二绝缘层的设置。
[0027]本发明第一绝缘层和第二绝缘层是以层压或印刷方式制作，采用这两种方式具有操作简单，所获得平面平整的好处。优选地，第一绝缘层和第二绝缘层的绝缘层材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、苯并环丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、和聚四氟乙烯组成的组中的一种或多种，上述材料目前在各领域中应用广泛，容易获得。
[0028]根据本发明一种典型的实施方式，第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为10-50 μ m，结合前基板及后基板作为介质层的结构，使得根据本发明的方法制备的PDP显示屏的厚度得到较大的降低。优选地，介质保护膜以蒸镀或溅射的方法制作而成，厚度为500-1000nm。
[0029]根据本发明一种典型的实施方式，在前基板蒸镀上介质保护层、后基板的前表面完成障壁及荧光分层的制作后，前基板的后表面与后基板的前表面在真空的环境中对合后，在混合稀有气体的气氛环境中进行封接，其中气体由10%?100% Xe与0%?90% Ne等其他稀有气体混合而成，为等离子显示屏的放电工作气体。封接步骤完成后，在前基板的前表面上依次制作形成放电电极、第一绝缘层；在后基板后表面上制作形成寻址电极、第二绝缘层。其中放电电极可由透明电极和汇流电极构成，或者只由汇流电极构成，BUS电极使用Ag, Cr-Cu-Cr, Al等金属材料制作。寻址电极使用Ag等金属材料制作。绝缘层使用有机材料制作。各种图形的结构和尺寸根据柔性等离子显示屏的尺寸及具体的亮度、驱动功耗等其他性能要求变化设计。
[0030]其中，障壁结构可以经多次印刷障壁浆料，然后经干燥、烧结、涂PR胶层、干燥、曝光、显影、刻蚀等步骤形成障壁图形；也可以经多次印刷障壁浆料，然后经干燥、贴DFR膜、曝光、显影、喷砂、烧结等步骤形成障壁图形。上述封接步骤包括:以10-20°C /min的速率设置升温过程，同时进行抽真空排气。真空度达到1.3*10_5Pa后，在340°C _380°C下保温3个小时。然后再升高温度至设置的高温区420-470°C温度段之后，向整个环境中充入等离子显示屏内所需的工作气体至设定压力。在此恒温恒压环境下保温20-50分钟，使封接框完全熔融，前后基板封接。充入的放电气体选自Xe，Ne，Ar，He，Hg，N2, O2中的一种或多种，充入的放电气体气压为45kPa_60kPa
[0031]采用本发明的超薄PDP显示屏的制作方法制备的显示屏，其结构示意如图2所示，PDP100包括相对设置的前基板部103和后基板部106，前基板部103与后基板部106相对封接形成多个放电单元。前基板部103前基板110、沿前基板的前表面延伸的放电电极，覆盖在前基板110的前表面及放电电极上的第一绝缘层123 ;以及设置在前基板110的后表面的介质保护膜114构成。其中，放电电极由维持电极111和扫描电极112组成，其中每个像素都包含有维持电极和扫描电极。前基板103直接作为介质层，上面设置介质保护层114，介质保护层114为氧化镁层。
[0032]后基板部106由后基板115，寻址电极116，以及第二绝缘层124组成，其中后基板115的前表面设置有障壁118及荧光粉层，障壁118与放电电极垂直设置，寻址电极116沿后基板115的后表面且平行于障壁118延伸，第二绝缘层124覆盖在后基板115的后表面及寻址电极116上。后基板115直接作为介质层，障壁118将前基板部103和后基板部106分隔开来，红色荧光粉层120，绿色荧光粉层121和蓝色荧光粉层122位于后基板115 (介质层)上方,障壁118的侧壁内。本发明的每个像素被定义为由一行维持电极111和一行扫描电极112，它们与三列寻址电极116的交叉点附近的区域构成，每一个像素包含一红色荧光粉层120，一绿色荧光粉层121，和一蓝色荧光体层122。
[0033]本发明的前基板部103以介质保护层面114相对于后基板部106的障壁118对合，前基板部103的第一绝缘层123及后基板部106的第二绝缘层124在装置的外部。
[0034]实施例1
[0035]以制作50寸HD规格，分辨率为1366*768的等离子显示屏为例:
[0036]制作前基板:在厚度为50 μ m的玻璃基板后表面(即蒸镀保护介质层的成为“后表面”)上经蒸镀形成厚度为SOOnm的保护膜层(MgO或其他复合材料)图层，在介质层保护膜层上经喷涂形成保护膜层微晶层(二次MgO层)。
[0037]制作后基板:在厚度为50 μ m的玻璃基板前表面(即设置障壁的一面成为“前表面”)使用刻蚀或喷砂方法制作障壁图形，障壁厚度为90 μ m。使用刻蚀法:经多次印刷障壁浆料、干燥、烧结、涂PR胶层、干燥、曝光、显影、刻蚀步骤形成障壁图形，在障壁内填充荧光粉、干燥，再对下基板进行封接框涂覆、干燥、烧结，完成后基板制作。其中，封接框材料使用无Pb的低玻粉材料。
[0038]前、后基板制作完成后，立即进行前、后基板对合，若不能立即进行对合，前、后基板应先在真空环境中保存。整个对合工序在真空环境中进行，前基板后表面和后基板前表面相对对合。对合好后的前、后基板进行封接工序。封接时，设置合适的速率进行升温，同时进行抽真空排气。真空度达到1.3*10-5Pa，温度升高到380°C以后，在380°C下保温3个小时。然后再升高温度至450°C，后向整个环境中充入等离子显示屏内所需的工作气体，充入15% Xe-85% Ne混合气体，气压控制为50.7kPa。在此恒温恒压环境下保温40分钟，使封接框完全熔融，前后基板封接。保温40分钟以后使整个封排环境温度下降至常温，结束封排工序。
[0039]对合好后的等离子显示屏从封接工序出来后，进行前后基板的电极及绝缘层制作。
[0040]前基板:
[0041]先在前基板前表面上以光刻工艺制作透明电极图形:在前表面上以溅射的方式形成透明电极ITO膜层、以涂覆的方式形成光刻胶、以带有电极图形的掩模板曝光、显影、刻蚀、剥膜、形成透明电极。
[0042]透明电极制作完成后，制作汇流电极。在透明电极表面上依次经印刷汇流电极所需要的黑、白两层浆料、干燥、以带有电极图形的掩模板曝光、显影、烧结、形成汇流电极。
[0043]汇流电极制作完成后，制作第一绝缘层。在汇流电极表面上印刷有机绝缘层材料、干燥、烧结、形成表面绝缘层。绝缘层材料使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，绝缘层厚度为20 μ m0
[0044]后基板:
[0045]先在后基板后表面以光刻工艺上制作寻址ADD电极图形:在后基板后表面上印刷寻址电极Ag浆料、干燥、以带有电极图形的掩模板曝光、显影、烧结、形成寻址ADD电极。其中寻址电极要对应于装有荧光粉的障壁槽位置。
[0046]ADD电极制作完成后，制作表面绝缘层。在ADD电极表面印刷有机绝缘层材料、干燥、烧结、形成表面绝缘层。绝缘层材料使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，绝缘层厚度为20 μ m0[0047]经过上述步骤完成柔性、超薄的等离子显示屏。
[0048]实施例2
[0049]以制作50寸HD规格，分辨率为1366*768的等离子显示屏为例:
[0050]制作前基板:在厚度为60 μ m的玻璃基板后表面(即蒸镀保护介质层的成为“后表面”)上经蒸镀形成厚度为SOOnm的保护膜层(MgO或其他复合材料)图层，在介质层保护膜层上经喷涂形成保护膜层微晶层(二次MgO层)；
[0051]制作后基板:在厚度为60 μ m的玻璃基板前表面(即设置障壁的一面成为“前表面”)使用刻蚀或喷砂方法制作障壁图形，障壁厚度为90 μ m。使用刻蚀法:经多次印刷障壁浆料、干燥、烧结、涂PR胶层、干燥、曝光、显影、刻蚀形成障壁图形，在障壁内填充荧光粉、干燥，再对下基板进行封接框涂覆、干燥、烧结，完成后基板制作。其中封接框材料使用无Pb的低玻粉材料。
[0052]前、后基板制作完成后，立即进行前、后基板对合，若不能立即进行对合，前、后基板应先在真空环境中保存。整个对合工序在真空环境中进行，前基板后表面和后基板前表面相对对合。对合好后的前后基板进行封接工序。封接时，设置合适的速率进行升温，同时进行抽真空排气。真空度达到1.3*10_5Pa，温度升高到360°C以后，在360°C下保温3个小时。然后再升高温度至460°C，后向整个环境中充入等离子显示屏内所需的工作气体，充入10% Xe-90% Ne混合气体，气压控制为50.7kPa。在此恒温恒压环境下保温40分钟，使封接框完全熔融，前后基板封接。保温40分钟以后使整个封接环境温度下降至常温，结束封接工序。
[0053]对合好后的等离子显示屏从封接工序出来后，进行前后基板的电极及绝缘层制作。
[0054]前基板:
[0055]先在前基板前表面上以光刻工艺制作汇流电极:在透明电极表面上依次经印刷汇流电极所需要的黑、白两层浆料、干燥、以带有电极图形的掩模板曝光、显影、烧结、形成汇流电极。
[0056]汇流电极制作完成后，制作表面绝缘层。在汇流电极表面上印刷有机绝缘层材料、干燥、烧结、形成表面绝缘层。绝缘层材料使用聚乙烯醇(PVA)和聚苯乙烯(PS)，比例为8: 2，绝缘层厚度为20 μ m。
[0057]后基板:
[0058]先在后基板后表面以电喷印工艺上制作寻址ADD电极图形。在后基板后表面上进行电喷印制作ADD图行、烧结、形成寻址ADD电极。其中，寻址电极要对应于装有荧光粉的
障壁槽位置。
[0059]ADD电极制作完成后，制作表面绝缘层。在ADD电极表面印刷有机绝缘层材料、干燥、烧结、形成表面绝缘层。绝缘层材料使用聚乙烯醇(PVA)和聚苯乙烯(PS)，比例为8: 2，绝缘层厚度为20 μ m。
[0060]经过上述步骤完成柔性、超薄的等离子显示屏。
[0061]本发明实施I制备的等离子显示屏厚度为300 μ m以内，实施2制备的等离子显示屏厚度为350 μ m以内，与现有技术中采用1.8_厚的玻璃作为前后基板的等离子显示屏相t匕，其厚度降低了至少12倍。[0062]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种超薄PDP显示屏的制作方法，包括前基板部(103)、后基板部(106)的制作，及所述前基板部(103)和所述后基板部(106)的封接步骤，所述封接步骤使所述前基板(110)的后表面与所述后基板部(106)的前表面对合后相对封接形成多个放电单元，其特征在于，所述前基板部(103)的制作步骤包括: 提供如基板(110)； 在所述前基板(110)的后表面设置介质保护膜(114)； 沿所述前基板(110)的前表面设置放电电极；以及 在所述前基板(110)的前表面及所述放电电极上设置第一绝缘层(123)。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述前基板(110)是厚度为30-100 μ m，介电常数< 7，不含碱的玻璃。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述后基板部(106)的制作步骤包括: 提供后基板(115)； 在所述后基板(115)的前表面上设置障壁(118)及荧光粉层，其中，所述障壁(118)与所述放电电极垂直设置； 在所述后基板(115)的后表面设置平行于所述障壁(118)设置寻址电极(116);以及 在所述后基板(115)的后表面及所述寻址电极(116)上设置第二绝缘层(124)。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述后基板(115)是厚度为30-100 μ m，介电常数< 7，不含碱的玻璃。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，完成所述前基板部(103)的介质保护膜(114)和所述后基板(115)的障壁(118)及荧光粉层的设置后，进行所述封接步骤，然后，进行所述放电电极及所述第一绝缘层(123)和所述寻址电极(116)及所述第二绝缘层(124)的设置。
6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，完成所述前基板部(103)和所述后基板部(106)的制作后，进行所述封接步骤。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，以层压或印刷方式制作所述第一绝缘层(123)和所述第二绝缘层(124)。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层(123)和所述第二绝缘层(124)的绝缘层材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、苯并环丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、和聚四氟乙烯组成的组中的一种或多种
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层(123)和所述第二绝缘层(124)的厚度为10-50 μ m。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介质保护膜(114)以蒸镀或溅射的方法制作而成，厚度为500-1000nm。
【文档编号】H01J9/233GK103762138SQ201110460316
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2011年12月31日 优先权日:2011年12月31日
【发明者】唐翠珍 申请人:四川虹欧显示器件有限公司