具有高清晰度和色纯度的等离子体显示面板的制作方法

专利名称：：具有高清晰度和色纯度的等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及等离子体显示面板(PDP)，更具体而言，涉及具有通过防止在不同视角下的色温差异(variance)而获得的高清晰度和色纯度的PDP。
背景技术：
：等离子体显示面板(PDP)可用于大屏幕显示器，并且由于自发光和快速响应的特性而具有良好的显示质量。PDP可以薄的构造形成，从而，例如，液晶显示器(LCD)适于用作壁挂式显示装置。在PDP中，将一种气体填充在设置于密闭空间中的两个电极之间，然后将预定的电压施加到所述电极上以在所述密闭空间中引起辉光放电，由此产生紫外(UV)线。以预定图案形成的荧光粉层被产生的UV线激发并由此发射可见光以形成图像。根据驱动方法，PDP可分为直流(DC)型PDP、交流(AC)型PDP、以及混合型PDP。根据电极结构，PDP还可分为双电极型PDP和三电极型PDP。DC型PDP可包括引起辅助放电的辅助阳极，以及AC型PDP可包括通过分别进行选择性放电和维持放电来提高寻址速度的寻址电极。根据电极的布置，AC型PDP可进一步分为具有对向放电型电极结构的PDP和具有表面放电型电极结构的PDP。在具有对向放电型电极结构的PDP中，引起放电的两个维持电极分别设置于前基板和后基板上，并且放电垂直于所述基板发生。在具有表面放电型电极结构的PDP中，引起放电的两个维持电极设置于相同的基板上，并且放电发生在所述基板的表面上。现有的PDP可包括前基板和成对形成在前基板的底表面上的具有预定宽度和预定高度的维持电极，并且每对维持电极包括公共电极和扫描电极。对其施加电压的汇流电极形成在每个维持电极的底表面上。所述维持电极和汇流电极被前介电层覆盖，并且保护层形成在所述前介电层的底表面上。所述后基板设置成面对前基板，并且具有预定宽度和高度的寻址电极形成在后基板上。所述寻址电极被后介电层覆盖。而且，限定放电空间并且防止相邻的放电空间之间的串扰的障壁形成在后介电层上。所述放电空间充有放电气体，并且由红色、绿色或蓝色荧光粉形成的荧光粉层形成在每个放电空间中。在第一电极和第二电极，例如，一对维持电极之间施加AC电压。当AC电压达到放电着火电压时，产生了电力线，由此将惰性气体离解成电子和离子。当电子和离子重新结合时，产生紫外线(UV),并且产生的紫外线激发荧光粉，由此发出光线。从荧光粉发出的可见光顺序地传输通过可由MgO形成的保护层、前介电层和前基板。以预定入射角进入到PDP的顶面板的可见光的方向可根据各层的折射率改变。在这点上，各层的折射率根据可见光的波长而改变。就是说，折射率随着波长的增加而降低。因此，当具有不同颜色的可见光以相同的入射角入射到所述前介电层和前基板时，当位于前基板前面(即，接近0度入射角)的使用者观察所显示的图像时，蓝光相对强。当使用者移动到远离0度入射角(即，较大入射角)的位置时，红光变得较强，因为在相同的介质中，蓝光具有比红光大的折射率。因此，PDP的色温可根据使用者的视角而不利地有所差别。
发明内容因此，本发明的一个目的是提供改进的PDP以克服上述色温差别。本发明的另一个目的是提供具有高清晰度和色纯度的PDP，其通过在不同视角下保持恒定的色温来获得。根据本发明的一方面，提供用于PDP的前介电层，其覆盖以预定间隔布置在前基板上的维持电极，其中[(iWn'45oHrWn'55o)]为0.01或更小，[(n55o/n'55。)-(n63。/n'63Q)]为0.01或更小，以及[(n45。/n'45oHn63o/n'63o)]为0.01或更小，其中n45。是所述前介电层在450nm波长下的折射率，11'45()是所述前基板在450nm波长下的折射率，1155{)是所述前介电层在550nm波长下的折射率，n'55o是所述前基板在550nm波长下的折射率，1163()是所述前介电层在630nm波长下的折射率，以及n'函是所述前基板在630nm波长下的折射率。前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物B203、Si02、PbO、BaO、Ti(Al203。前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物37摩尔％至43摩尔%的B203、10摩尔°/。至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔％的BaO、0摩尔％至10摩尔％的Ti02和0摩尔％至8摩尔％的A1203。前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物B203、Si02、Bi203、ZnO和A1203。前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物10摩尔％至40摩尔%的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔％的ZnO和4摩尔％至13摩尔％的A1203。根据本发明的另一方面，提供等离子体显示面板，包括前基板，所述前基板上设置了以预定间隔布置的维持电极；覆盖所述维持电极的前介电层；设置成面对所述前基板的后基板，在所述后基板上设置了在与所述维持电极的延伸方向垂直的方向上延伸的寻址电极；覆盖所述寻址电极的后介电层；在所述前基板和后基板之间限定放电空间的障壁；以及在所述放电空间中形成的荧光粉层，其中[(n450/n'45oHn550/n'550)]为0.01或更小，[(n55o/n'55。)-(n63。/n'63。)]为0.01或更小，以及[(n45o/n'45o)-(n63o/n'63o)]为0.01或更小，其中n45Q是所述前介电层在450nm波长下的折射率，11'45()是所述前基板在450nm波长下的折射率，化5。是所述前介电层在550nm波长下的折射率，n'55o是所述前基板在550nm波长下的折射率，1163()是所述前介电层在630nm波长下的折射率，以及n'63。是所述前基板在630nm波长下的折射率。所述前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物B203、Si02、PbO、BaO、TiO>Al203。所述前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物37摩尔％至43摩尔％的B203、10摩尔％至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔％的BaO、0摩尔％至10摩尔％的Ti02和0摩尔％至8摩尔％的A1203。所述前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物B203、Si02、Bi203、ZnO和Al203。所述前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物10摩尔％至40摩尔％的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔％的ZnO和4摩尔％至13摩尔％的A1203。当结合附图考虑时，通过参考以下的详细描述，本发明变得更好理解，本发明的更完整的理解及其许多伴随的优点将容易地显现，在附图中，相同的附图标记代表相同或相似的部件，其中图1为现有等离子体显示面板(PDP)的一部分的截面图2为说明折射通过图1中所示的现有PDP的顶面板的可见光的截面图3A为在450nm和550nm的波长下，构造作为实施例3、4和比较例3、4的PDP的前介电层和前基板的折射率的比之间的差对色温差的二维图；和图3B为在450nm和630nm的波长下，构造作为实施例3、4和比4交例3、4的PDP的前介电层和前基板的折射率的比之间的差对色温差的二维图。具体实施例方式现在参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。图1是现有等离子体显示面板(PDP)的一部分的截面图。参考图1，现有PDP包括前基板14、以及成对形成在前基板14的底表面上的具有预定宽度和预定高度的维持电极15，其中每对维持电极15包括公共电极和扫描电极。对其施加电压的汇流电极形成在各维持电极15的底表面上。维持电极15和汇流电极被前介电层16覆盖，并且保护层17形成在前介电层16的底表面上。后基板IO设置成面对前基板14,并且具有预定宽度和高度的寻址电极11形成在后基板10上。寻址电极11被后介电层12覆盖。而且，限定放电空间并且防止相邻放电空间之间的串扰的障壁19形成在后介电层12上。放电空间充有放电气体，并且由红色、绿色或蓝色荧光粉形成的荧光粉层13形成在各放电空间中。然后，在第一电极和第二电极，例如一对维持电极15之间施加AC电压。当AC电压达到放电着火电压时，产生电力线，由此将惰性气体离解成电子和离子。当电子和离子18重新结合时，产生紫外线(UV),并且荧光粉被产生的UV线激发，从而发出光线20。图2为说明折射通过图1中所示的现有PDP的顶面板的可见光的截面图。参考图1和图2，由荧光粉发射的可见光顺序地传输通过可由MgO形成的保护层17、前介电层16和前基板14。以预定入射角进入到PDP顶面板中的可见光的方向根据各层的折射率而改变。在这点上，各层的折射率根据可见光的波长而改变。就是说，折射率随着波长的增加而降低。因此，当具有不同波长的可见光以同样的入射角入射到前介电层16和前基板14时，当在前基板前面(即，相对于前基板的垂直线约O度视角)的使用者观察时，具有相对短的波长的蓝光相对强。然而，当使用者移动到离开前基板前面(即，相对于前基板的垂直线的较大视角)的位置时，红光变得较强，因为蓝光具有比红光大的折射率。因此，PDP的色温可根据视角而有所差别。根据本发明，在用于PDP的覆盖以预定间隔布置在前基板上的维持电极的前介电层中，前介电层在第一波长下的折射率和前基板在第一波长下的折射率的比与前介电层在第二波长下的折射率和前基板在第二波长下的折射率的比之间的差可为0.01或者更小。例如，[(n45()/n'45oHn55()/n'550)]、[(n55o/n'55o)-(n63o/n'63o)]或者[(n45。/n'45o)-(n63o/n'63o)]可为0.01或更小，其中n450是前介电层在450nm波长下的折射率，11'45()是前基板在450nm波长下的折射率，1155()是前介电层在550nm波长下的折射率，n'55。是前基板在550nm波长下的折射率，n63o是前介电层在630nm波长下的折射率，以及!1'63()是前基板在630nm波长下的折射率。本发明的发明人使用彼此具有不同折射率的一类前基板和前介电层确定了在两种类型的材料(用于PDP的前介电层和用于PDP的前基板)之间的界面处的折射率的比之间的差与色温差之间的关系。然后，在450nm、550nm和630nm的波长下测量前介电层的折射率和前基板的折射率的比以及色温差。结果，本发明人发现，在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差，即，[(n450/n'450)-(n550/n'550)]、[(n550/n'550)-(n630/n'630)]、或者[(n45o/n'45QHn63()/n'63o)]，随着色温差的增加而线性增加，其中ru5Q是前介电层在450nm波长下的折射率，11'45()是前基板在450nm波长下的折射率，1^550是前介电层在550nm波长下的折射率，11'55()是前基板在550nm波长下的折射率，ri63()是前介电层在630nm波长下的折射率，以及11'63()是前基板在630nm波长下的折射率。也就是说，在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差与色温差具有线性比例关系。同时，随着色温差增加，由于在不同视角下的清晰度和色纯度的差异，图像可恶化，因为随着色温差增加，各颜色更加有区别地彼此区分。这样的结果，即，在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差与色温差之间的比例关系导致下面的解释。即，随着在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差增加，色温差增加并且由此色温可改变并且清晰度和色纯度可恶化。换句话说，随着在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差减小，色温差减小并且由此色温变得均匀并且在不同视角下可保持清晰度和色纯度的恒定。本发明的发明人发现，当PDP在不同视角下的色温差大于200K时，各颜色彼此相区别并且由此清晰度和色纯度恶化；另一方面，当PDP在不同视角下的色温差为200K或更小时，各颜色不能彼此相区别，并且由此在不同视角下保持清晰度和色纯度的恒定。就是说，200K是确定色温是否均匀的阈值。由于在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差与色温差具有线性比例关系，因此，相应于特定色温差值的在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差可使用在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差对色温差的图来确定。为了获得相应于200K的色温差的在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差，获得了具有表示在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差的x轴和表示色温差的y轴的二维图。结果，相应于200K的色温差的在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差可为0.01。换句话说，当在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差，即，[(n45。/n'45oHn55()/n'550)]、[(n55。/n'55QHn63o/n'63o)]或者[(n45o/n'45o)-(n63o/n'63o)]为0,01或更小时'色温差为200K或更小。因此，没有出现颜色分离并且能够防止清晰度和色纯度的降低。本发明中使用的前介电层可具有任何组成，使得当在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差为0.01或更小。例如，前介电层可包括选自B203、Si02、PbO、BaO、Ti02和A1203的三种或更多种化合物。具体地，前基板由玻璃形成，并且前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物37摩尔％至43摩尔％的B203、10摩尔％至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔％的BaO、0摩尔％至10摩尔％的Ti02和0摩尔°/。至8摩尔％的A1203。在这些范围内，在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差为0.01或更小。在其它实施方式中，前介电层可包括选自B203、Si02、Bi203、ZnO和A1203的三种或更多种化合物。具体地，前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物10摩尔％至40摩尔％的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔％的ZnO和4摩尔％至13摩尔％的A1203。在这些范围内，在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差为0.01或更小。根据本发明实施方式的PDP包括其上设置了以预定间隔布置的维持电极的前基板；覆盖维持电极的前介电层；设置成面对前基板的后基板，其上设置了在与维持电极的延伸方向垂直的方向上延伸的寻址电极；覆盖寻址电极的后介电层；在前基板和后基板之间限定放电空间的障壁；以及在放电空间中形成的荧光粉层，其中[(n45o/n'450)-(n55o/n'550)]、[(1155()/11'55())-(1163()/11'63())]以及为0.01或更小，其中1145()是前介电层在450nm波长下的折射率，n'45o是前基4反在450nm波长下的4斤射率,ns5o是前介电层在550nm波长下的折射率，n'55Q是前基板在550nm波长下的折射率，1163()是前介电层在630nm波长下的折射率，以及11'63。是前基板在630nm波长下的折射率。在根据当前实施方式的PDP中，前介电层可具有任何组成，使得在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差为0.01或更小。根据本发明的实施方式，PDP的前介电层可包括选自B203、Si02、PbO、BaO、Ti02和八1203的三种或更多种化合物。具体地，PDP的前介电层可包括选自以下的三种或更多种化合物37摩尔％至43摩尔％的B203、10摩尔％至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔％的BaO、0摩尔％至10摩尔％的Ti02和0摩尔。/。至8摩尔％的A1203。在这些范围内，在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差为0.01或更小。或者，PDP的前介电层可包括选自B203、Si02、Bi203、ZnO和A1203的三种或更多种化合物。具体地，前介电层可包括选自10摩尔％至40摩尔％的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔％的ZnO和4摩尔。/。至13摩尔％的八1203的三种或更多种化合物。在这些范围内，在第一波长下前介电层和前基板的折射率比与在第二波长下前介电层和前基板的折射率比之间的差为0.01或更小。参考下面的用于PDP的前介电层以及包括所述前介电层的PDP的实施例进一步详细描述本发明。这些实施例仅用于说明的目的，并不意图限制本发明的范围。实施例介电浆料l(基于Bi)的制备将作为粘合剂的乙基纤维素溶解在比率为3:7的二甘醇一丁醚乙酸酯和碎品醇的溶剂混合物中。然后，将所得混合物与包含13摩尔％的Bi203、12摩尔Q/o的Si02、40摩尔％的8203和35摩尔％的ZnO的玻璃组合物混合以制备具有75%的固体含量的介电浆料1。介电浆料2(基于Pb)的制备将作为粘合剂的乙基纤维素溶解在比率为3:7的二甘醇一丁醚乙酸酯和碎品醇的溶剂混合物中。然后，将所得混合物与包含35摩尔％的PbO、40摩尔％的B203和25摩尔％的Si02的玻璃组合物混合以制备具有75%的固体含量的介电浆料2。实施例1:用于PDP的前基板1的制备将介电浆料1涂覆在形成于玻璃基板上的电极层上，以形成厚度为30|am的介电层l。介电层l是透明的。使用物理气相沉积(PVD)方法在介电层1上沉积MgO保护层，由此完成前基板1的制造。实施例2:用于PDP的前基板2的制备以与实施例1中相同的方式制造前基板2，除了使用介电浆料2代替介电浆料1之外。后基板的制备将6重量份的作为粘合剂的乙基纤维素与100重量份的混合比为3:7的二甘醇一丁醚乙酸酯和萜品醇的溶剂混合物混合。然后，将所得混合物与作为蓝色荧光粉的BaMgAl1()017:Eu混合以制备荧光粉浆料。将得到的荧光粉浆料涂覆在由第一基板上的障壁限定的放电单元的内表面上，然后将具有涂覆的荧光粉浆料的第一基板在120。C下干燥并且在480。C下烧结以形成蓝色荧光粉层。此外，以与上述相同的方式在红色和绿色放电单元中分别形成(Y，Gd)B03:Eu荧光粉层和ZnSi04:Mn焚光粉层，由此完成后基板的制造。实施例3:PDP1的制备将所述后基板和前基板1组装成彼此面对并且形成放电空间，将所述放电空间抽真空(vacuum),将气体注入到所述放电空间中，然后将此结构老化(age)，由此制造PDP1。实施例4:PDP2的制备以与实施例3中相同的方式制造PDP2，除了使用所述前基板2来代替所述前基板1之外。比4交例介电浆料3的制备将作为粘合剂的乙基纤维素溶解在比率为3:7的二甘醇一丁醚乙酸酯和碎品醇的溶剂混合物中。然后，将所得混合物与包含27摩尔％的PbO、43摩尔％的B203和30摩尔％的BaO的玻璃组合物混合以制备具有75%的固体含量的介电浆料3。介电浆料4的制将作为粘合剂的乙基纤维素溶解在比率为3:7的二甘醇一丁醚乙酸酯和萜品醇的溶剂混合物中。然后，将所得混合物与包含14摩尔％的Bi203、52摩尔％的B203和34摩尔％的ZnO的玻璃组合物混合以制备具有75。/o的固体含量的介电浆料4。比较例1:用于PDP的前基板3的制备以与实施例1中相同的方式制备前基板3，除了使用介电浆料3之外。比较例2:用于PDP的前基板4的制备以与实施例1中相同的方式制备前基板4，除了使用介电浆料4之外。比專交例3:PDP3的制备以与实施例3中相同的方式制造PDP3，除了使用所述前基板3之外。比4交例4:PDP4的制备以与实施例3中相同的方式制造PDP4,除了使用所述前基板4之外。在450nm、550nm和630nm下测量根据实施例1和2以及比较例1和2制备的PDP的前基板1-4的折射率的比。结果如下表1中所示。使用现有的折射度测量方法来测量折射率。表l实施例和比较例的折射率比<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>参考表1,n45。、1155。和1163。分别表示所述前介电层(介电层l-4)在450nm、550nm和630nm下的折射率，并且n'45()、n'55()和n'63。分别表示所述前基板(前基板l-4)在450nm、550nm和630nm下的折射率。测量包括前基板1-4的PDP1-4的色温以确定色温是否均匀。测量结果^口下表2所示。能够通过测量在不同视角下的图像的色温和用肉眼来确定色温是否均匀。此外，测量PDPl-4在450nm和550nm下的色温差、以及PDP1-4在450nm和630nm下的色温差。使用现有的色温测量装置和方法来测量色温差。图3A和3B中示出了所获得的色温差值和相应的折射率比的差值之间的关系。所述折射率比如下表2中所示。所述测量值四舍五入到三个小数位并且在表1和2中示出。因此，表1中的这些数据可能不精确地对应于表2中的数据。表2实施例和比较例的折射率比的差<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在两种波长下，根据实施例3和4制备的PDP1和PDP2的前介电层1及2和前基板1及2的折射率的比之间的差为0.01或更小，并且所述色温差为200K或更小。因此，未出现色温差异。在两种波长下，根据比较例3和4制备的PDP3和4的前介电层3及4和前基板3及4的折射率的比之间的差大于O.Ol。因此，出现了色温差异。参考图3A和3B,可看出，对应于200K的色温差的在两种波长下前介电层和前基板的折射率的比之间的差是O.Ol。在图3A中，根据如表2所示的[(n450/n'450)-(n55。/n'55。)]和相应测得的色温差(K)获得了三个点。在图3B中，根据如表2所示的[(n45o/n'45oH1163()/11'63())]和相应测得的色温差(K)获得了三个点。如上所述，通过将在选自450nm、550nm和630nm的两种波长下的前介电层和前基板的折射率的比之间的差调节为0.01或者更小，清晰度和色纯度可保持恒定。尽管已经参照本发明的示例性实施方式具体展示和描述了本发明，但本领域技术人员应当理解，在不背离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可在本发明中进行形式和细节上的各种改变。权利要求1.等离子体显示面板(PDP)，包括前基板；以预定间隔布置在所述前基板上的维持电极；以及覆盖所述以预定间隔布置在所述前基板上的维持电极的前介电层，其中[(n450/n′450)-(n550/n′550)]不超过0.01，[(n550/n′550)-(n630/n′630)]不超过0.01，以及[(n450/n′450)-(n630/n′630)]不超过0.01，其中n450是所述前介电层在450nm波长下的折射率，n′450是所述前基板在450nm波长下的折射率，n550是所述前介电层在550nm波长下的折射率，n′550是所述前基板在550nm波长下的折射率，n630是所述前介电层在630nm波长下的折射率，以及n′630是所述前基板在630nm波长下的折射率。2.权利要求1的等离子体显示面板(PDP)，其中所述前介电层包括选自以下的不少于三种化合物B203、Si02、PbO、BaO、7102和八1203。3.权利要求1的等离子体显示面板(PDP)，其中所述前介电层包括选自以下的三种或更多种化合物37摩尔％至43摩尔％的B203、10摩尔％至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔％的BaO、0摩尔％至10摩尔％的Ti02和0摩尔°/。至8摩尔％的A1203,其中所述化合物的总的摩尔百分数为100%。4.权利要求1的等离子体显示面板(PDP)，其中所述前介电层包括选自以下的三种或更多种化合物B203、Si02、Bi203、ZnO和Al203。5.权利要求1的等离子体显示面板(PDP)，其中所述前介电层包括选自以下的三种或更多种化合物10摩尔％至40摩尔％的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔％的ZnO和4摩尔％至13摩尔％的A1203,其中所述化合物的总的摩尔百分数为100%。6.等离子体显示面板，包括其上设置了以预定间隔布置的维持电极的前基板；覆盖所述维持电极的前介电层；设置成面对所述前基板的后基板，所述后基板上设置了在与所述维持电极的延伸方向垂直的方向上延伸的寻址电极；在所述前基板和后基板之间限定放电空间的障壁；以及在所述放电空间中形成的焚光粉层，其中[(n450/n'450)-(n550/n'550)]不超过0.01,[(n550/n'550)-(n630/n'630)]不超过0.01,以及[(n45。/n'45o)-(n63o/n'63o)]不超过0.01，其中n45。是所述前介电层在450nm波长下的折射率，11'45()是所述前基板在450nm波长下的折射率，n550是所述前介电层在550nm波长下的折射率，！1'55()是所述前基板在550nm波长下的折射率，n63o是所述前介电层在630nm波长下的折射率，以及11'630是所述前基板在630nm波长下的折射率。7.权利要求6的PDP，其中所述前介电层包括选自以下的不少于三种化合物B203、Si02、PbO、BaO、TiO>Al203。8.权利要求6的PDP，其中所述前介电层包括选自以下的不少于三种化合物37摩尔°/。至43摩尔％的B203、10摩尔％至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔％的BaO、0摩尔％至10摩尔%的Ti02和0摩尔％至8摩尔％的A1203,其中所述化合物的总的摩尔百分数为100%。9.权利要求6的PDP，其中所述前介电层包括选自以下的不少于三种化合物B203、Si02、Bi203、ZnO和Al203。10.权利要求6的PDP，其中所述前介电层包括选自以下的不少于三种化合物10摩尔％至40摩尔°/。的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔°/。的ZnO和4摩尔。/o至13摩尔％的A1203,其中所述化合物的总的摩尔百分数为100%。11.制造等离子体显示面板(PDP)的方法，所述方法包括通过将介电浆料涂覆在形成于玻璃基板上的电极层上而制备前介电层，所述前介电层覆盖以预定间隔布置在前基板上的维持电极，其中[(n45o/n'45o)-(n55o/n'55o)]不超过0.01，[(11550/11'550)-(11630/11'630)]不超过0.01，以及[(n45o/n'45o)-(n63o/n'63o)]不超过0.01,其中1145()是所述前介电层在450nm波长下的折射率，n'45Q是所述前基板在450腦波长下的折射率，n55Q是所述前介电层在550nm波长下的折射率，11'55。是所述前基板在550nm波长下的折射率，11630是所述前介电层在630nm波长下的折射率，以及n'63。是所述前基板在630nm波长下的折射率；通过在所制备的前介电层上沉积保护层而制备所述前基板；通过将介电浆料涂覆在形成于后基板上的寻址电极层上而制备后介电层；通过在所述后介电层上和在放电单元的内表面上沉积焚光粉层而制备后基板；以及组装所制备的后基板和前基板，使它们彼此面对且彼此隔开，并将气体填充到抽过真空的^:电空间中。12.权利要求11的方法，其中所述前介电层包括选自以下的不少于三种化合物B203、Si02、PbO、BaO、1102和八1203。13.权利要求11的方法，其中所述前介电层包括选自以下的三种或更多种化合物37摩尔％至43摩尔％的B203、10摩尔％至60摩尔％的Si02、15摩尔％至38摩尔％的PbO、0摩尔％至13摩尔。/o的BaO、0摩尔°/。至10摩尔%的Ti02和0摩尔°/。至8摩尔％的A1203，其中所述化合物的总的摩尔百分数为100%。14.权利要求11的方法，其中所述前介电层包括选自以下的三种或更多种化合物B203、Si02、Bi203、ZnO和Al203。15.权利要求11的方法，其中所述前介电层包括选自以下的三种或更多种化合物10摩尔％至40摩尔％的B203、0摩尔％至12摩尔％的Si02、8摩尔％至13摩尔％的Bi203、10摩尔％至35摩尔％的ZnO和4摩尔％至13摩尔％的八1203,其中所述化合物的总的摩尔百分数为100%。全文摘要本发明涉及具有高清晰度和色纯度的等离子体显示面板。教导了前介电层以及包括所述前介电层的PDP，所述PDP具有通过防止在不同视角下的色温差异而获得的高清晰度和色纯度。所述前介电层覆盖以预定间隔布置在前基板上的维持电极，其中[(n₄₅₀/n′₄₅₀)-(n₅₅₀/n′₅₅₀)]为0.01或更小，[(n₅₅₀/n′₅₅₀)-(n₆₃₀/n′₆₃₀)]为0.01或更小，以及[(n₄₅₀/n′₄₅₀)-(n₆₃₀/n′₆₃₀)]为0.01或更小，其中n₄₅₀是所述前介电层在450nm波长下的折射率，n′₄₅₀是所述前基板在450nm波长下的折射率，n₅₅₀是所述前介电层在550nm波长下的折射率，n′₅₅₀是所述前基板在550nm波长下的折射率，n₆₃₀是所述前介电层在630nm波长下的折射率，以及n′₆₃₀是所述前基板在630nm波长下的折射率。文档编号H01J11/12GK101515529SQ20091013074公开日2009年8月26日申请日期2009年1月23日优先权日2008年1月23日发明者柳成勋申请人:三星Sdi株式会社