光刻胶成膜树脂及其制备方法

专利名称：光刻胶成膜树脂及其制备方法
技术领域：
本发明涉及微电子加工领域，尤其涉及一种光刻胶成膜树脂及其制备方法。
背景技术：
随着微电子加工工艺的发展，光刻胶在行业中得到了广泛地运用。目前常用的正性光刻胶中的成膜树脂多为酚醛树脂，因其单体为苯酚或取代苯酚和甲醛，在制备过程中所使用的原料较容易获得，且较容易合成。所生成的酚醛树脂具有一定的碱溶性，使得光刻胶可以通过碱性溶液进行显影，经济环保。但是，在微电子产品加工的过程中，需要在高温环境下进行加工，此时因光刻胶中酚醛树脂的玻璃化转变温度为70-120°C，过高的环境温度会使通过构图工艺形成的图形发生形变，从而无法实现高精度的微电子加工。

发明内容
本发明的实施例提供一种热稳定性较高的光刻胶成膜树脂及其制备方法。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一方面，本发明提供了一种光刻胶成膜树脂，由式(I)所示的单体A、式(2)所示的单体B和式(3)所示的单体C聚合而成；
权利要求
1.一种光刻胶成膜树脂，其特征在于，由式(I)所示的单体A、式(2)所示的单体B和式(3)所示的单体C聚合而成；
2.根据权利要求I所述的光刻胶成膜树脂，其特征在于，所述R1-R4各自地选自氢、卤素、羟基、取代或未取代的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、取代或未取代的C1-C4胺基中的一种； 所述R5-R6各自地选自氢、取代或未取代的烷基和杂环基中的一种。
3.根据权利要求I所述的光刻胶成膜树脂，其特征在于，所述R7选自氢、卤素、羟基和C1-C4烷基中的一种。
4.根据权利要求I所述的光刻胶成膜树脂，其特征在于，所述R8选自羧基或酯基中的一种。
5.根据权利要求I所述的光刻胶成膜树脂，其特征在于， 所述单体A的物质的量的百分比为25%-40% ； 所述单体B的物质的量的百分比为35%-45% ； 所述单体C的物质的量的百分比为20%-30%。
6.一种光刻胶成膜树脂的制备方法，其特征在于，包括 向溶剂中分别混入式(I)所示的单体Α、式(2)所示的单体B、式(3)所示的单体C和引发剂，形成第一混合溶液；
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述R1-R4各自地选自氢、卤素、羟基、取代或未取代的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、取代或未取代的C1-C4胺基中的一种； 所述R5-R6各自地选自氢、取代或未取代的烷基和杂环基中的一种。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述R7选自氢、卤素、羟基和C1-C4烷基中的一种。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述R8选自羧基或酯基中的一种。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单体A的物质的量的百分比为25%-40% ;所述单体B的物质的量的百分比为35%-45% ;所述单体C的物质的量的百分比为20%-30%。
11.根据权利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述反应温度为80-85°C。
12.根据权利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述反应时间为12小时。
13.根据权利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述溶剂为单体总质量的8-12倍。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述溶剂为二氧六环或四氢呋喃。
15.根据权利要求6-10任一所述的方法，其特征在于，所述引发剂为偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰或过硫酸铵。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述引发剂质量为单体总质量的.0.6%-1%。
全文摘要
本发明公开了一种光刻胶成膜树脂及其制备方法，属于微电子加工领域，为解决现有技术中以酚醛树脂作为光刻胶成膜树脂时，玻璃化转变温度较低，不适于高温加工的问题而设计。一种光刻胶成膜树脂，由式(1)所示的单体A、式(2)所示的单体B和式(3)所示的单体C聚合而成；其中，所述单体A的物质的量的百分比为20%-60%；所述单体B的物质的量的百分比为20%-60%；所述单体C的物质的量的百分比为10%-60%；所述n为1-10的整数。
文档编号G03F7/004GK102890418SQ20121037954
公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月29日 优先权日2012年9月29日
发明者刘陆, 薛建设, 惠官宝 申请人:京东方科技集团股份有限公司