一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器及制备方法

专利名称：一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器及制备方法
技术领域：
本发明涉及场发射显示器，尤其涉及一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器 及制备方法。
技术背景场致发射显示器(FED)是一种新型平板显示器，与其它显示器如PDP (等 离子体显示)、VFD (荧光显示)、LCD (液晶显示)、OLED (有机发光显示)、 EL (电致显示)等相比，具有自发光、高亮度、宽视角、低功耗、制作工艺简 单、响应时间短和工作环境温度宽等优点，在平板显示器市场具有广阔的前景 和未来。场发射显示器中的关键部件是阴极材料。自1991年发现了纳米碳管(CNT)， 由于它具有良好的化学稳定性、极大的长径比(102 103)以及尖端纳米级的曲 率半径(l 10nm)，被认为是理想的场肆电子发射材料之一，它以其独特的准 一维结构、优异的物理化学特性以及超强的力学性能，在场发射平面显示器中 得到应用。用CNT作场致发射的冷阴极具有普通金属阴极场致发射所无法比拟 的优点是一种端部尖锐的一维材料，具有理想发射源的形状； 一平方毫米面 积上可制备数以万根计长度为微米量级的CNT，可以通过足够的场发射电流； 大多数的CNT具有良好的导电性，并具有很高的机械强度；此外，CNT的制备 工艺也相对简单，原材料价格低廉。普通金属阴极FED的栅极电压需要1KV， 阳极电压需要10KV左右，这样高的电压，对于器件的可靠性和节能等都是不 利的。CNT-FED平板显示器的光电性能主要由显示器阴极板上CNT的表面状态 决定。目前在FED平板显示器阴极板上制备CNT的方法有两种 一种是采用化 学气相沉积法(CVD)和等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)直接在阴极 基板上生长CNT层；另一种是通过各种方法制得CNT，然后通过采用丝网印刷 方法涂复在作为阴极的玻板上。第一种方法的缺点是高温生长CNT层，基板必 须耐高温(大于600。C)，大多使用硅片，价格昂贵而且面积难以大。第二种方 法的缺点是印刷的CNT取向杂乱无序，且含有粘接剂成分，作为阴极发射效率 低下，且不稳定。因此，影响了CNT-FED平板显示器的应用。 发明内容米碳管薄膜场发射显示器及制备方法。单壁纳米碳管薄膜场发射显示器包括前玻板、前玻板选址电极、荧光粉、 封接边、单壁纳米碳管薄膜、后玻板选址电极、后玻板、消气剂、排气管，前 玻板与后玻板之间的四周由封接框固定，构成一个空腔，前玻板内壁上依次设 有前玻板选址电极、荧光粉，后玻板内壁上依次设有单壁纳米碳管薄膜、后玻 板选址电极，空腔底部设有排气管，排气'管内设有消气剂。单壁纳米碳管薄膜场发射显示器的制备方法包括如下步骤1) 在电弧放电真空室中安装有两块平行放置的上石墨板、下石墨板，上石墨板与下石墨板之间距离为50 300mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3|im， 在上石墨板内侧的中心垂直安装有石墨棒阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安 装有石墨棒阳极，石墨棒阳极和石墨棒阴极的直径为6 10mm，石墨棒阳极和 石墨棒阴极分别与直流电源正、负极相连接，电弧放电真空室与真空泵相连接；2) 将镀有透明的X方向氧化铟锡薄膜条状电极的后玻板用导电胶粘连在上 石墨极板，抽去电弧放电真空室中空气，压强为10-2 10'3Pa，充入高纯氦气或 氩气和氢气的混合气体，压强为100 300Torr，调整石墨棒阳极和石墨棒阴极 之间的距离为2 3mm，在两石墨电极间無通直流电源，电流强度为60 100A， 使之实施电弧放电，放电时间20 100s，在镀有氧化铟锡薄膜的后玻板的表面 上形成单壁纳米碳管薄膜。3) 用金刚石刻刀在后玻板的单壁纳米碳管薄膜上平行刻划成与电极宽度相 同的条形，复盖电极；4) 在镀有透明的Y方向氧化铟锡薄膜条状电极的前玻板上涂复荧光粉涂层；5) 将前玻板和后玻板正交对置控制间距0.15 0.45mm，用低熔点玻璃粉制 成封接框熔封两玻板四周边；在排气管中放入金属环状吸气剂，用低熔点玻璃 粉熔封于显示器后部；6) 经排气管抽去前后两玻板与由低垮点玻璃封接框熔封四周构成空腔中的 空气，使内部气体压强为10—2 10'3Pa，然后封离排气装置；7) 将显示器加热至500 52()GC，保温时间10 20分钟，以激活吸气剂。所述的消气剂为锆铝合金非蒸散型消气剂。发光材料是专用场发射荧光粉。 石墨棒阳极内含有Fe、 Ni、 Y或Mo中的一种或两种。本发明可制备大面积场发射显示器，显示器的发光效率高，亮度高而且发 光均匀稳定，工作电压低等特点。可以获得低电压、高亮度、均匀、稳定发光 的显示效果。该显示器的阴极单壁纳米碳管层直接气相沉积生成，呈薄膜状，具有开启电压低、场发射电流密度大、发光均匀稳定，工作电压低等特点，适合做大面积场发射显示器件。


图1是本发明的二极管结构的场发射显示器外形图；图2是本发明的二极管结构的场发射显示器分解示意图；图3是本发明的单壁纳米碳管薄膜制备装置结构示意图；图中前玻板1、前玻板选址电极2、'荧光粉3、封接框4、单壁纳米碳管 薄膜5、后玻板选址电极6、后玻板7、消气剂8、排气管9、真空系统钟罩IO、 上石墨板ll、上石墨电极12、下石墨电极13、下石墨板14、抽气口 15、充气 口 16、直流电源17。
具体实施方式
如图1所示，单壁纳米碳管薄膜场发射显示器包括前玻板1、前玻板选址电 极2、荧光粉3、封接框4、单壁纳米碳管薄膜5、后玻板选址电极6、后玻板7、 消气剂8、排气管9，前玻板1与后玻板7之间的四周由封接框4固定，构成一 个空腔，前玻板l内壁上依次设有前玻板选址电极2、荧光粉3，后玻板7内壁 上依次设有单壁纳米碳管薄膜5、后玻板选址电极6，空腔底部设有排气管9， 排气管9内设有消气剂8。 '单壁纳米碳管薄膜场发射显示器的制备方法包括如下步骤1) 在电弧放电真空室10中安装有两块平行放置的上石墨板11、下石墨板 14，石墨板11与下石墨板14之间距离为50mm 300mm，石墨板内侧表面的粗 糙度Ra为3pm，在上石墨板内侧的中心垂直安装有石墨棒阴极12，在下石墨 板内侧的中心垂直安装有石墨棒阳极13，石墨棒阳极和石墨棒阴极的直径为6 10mm，石墨棒阳极和石墨棒阴极分别与直流电源17正、负极相连接，电弧放 电真空室10与真空泵相连接；2) 将镀有透明的X方向氧化铟锡薄膜条状电极的后玻板用导电胶粘连在上 石墨极板，抽去电弧放电真空室中空气，压强为l(T2 l(T3Pa，充入高纯氦气或 氩气和氢气的混合气体，压强为100 300Torr,调整石墨棒阳极和石墨棒阴极 之间的距离为2 3mm，在两石墨电极间接通直流电源，电流强度为60 100A， 使之实施电弧放电，放电时间20 100s，在镀有氧化铟锡薄膜的后玻板7的表 面上形成单壁纳米碳管薄膜。3) 用金刚石刻刀在后玻板7的单壁纳米碳管薄膜上平行刻划成与电极宽度 相同的条形，复盖电极；4 )在镀有透明的Y方向氧化铟锡薄膜条状电极的前玻板上涂复荧光粉涂层；5) 将前玻板1和后玻板7正交对置控制间距0.15 0.45mm，用低熔点玻璃 粉封接框熔封两玻板四周边；在排气管中放入金属环状吸气剂，用低熔点玻璃 粉熔封于显示器后部；6) 经排气管抽去前后两玻板与由低熔点玻璃粉封接框熔封四周构成空腔中 的空气，使内部气体压强为l(r2 10—3Pa，然后封离排气装置；7) 将显示器加热至500 52(^C，保温时间10 20分钟，以激活吸气剂。8) 将显示器外接600 850V直流电源，使其连续工作4 5小时。 所述的消气剂为锆铝合金非蒸散型消气剂。发光材料是专用场发射荧光粉。石墨棒阳极内含有Fe、 Ni、 Y或Mo中的一种或两种。 实施例1在两块面积100xl00mm镀有ITO膜的平板玻璃上分别制备宽度为0.5mm、 间距0.3mm的X、 Y方向平行条状电极，获得制有X方向平行条状电极的前玻 板和制有Y方向平行条状电极的后玻板，随即在前玻板的X方向电极上涂复荧 光粉，后玻板则置电弧放电室中，用导电胶粘连在上石墨板，上石墨板和下石 墨板的板间距离为50mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3)im，在上石墨板内 侧的中心垂直安装石墨棒阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安装直径为6mm石 墨棒阳极，在石墨棒阳极内含添加铁(F。粉一元催化剂，其与石墨粉的摩尔 比为Fe: C=l: 100，石墨棒阴极的直径为6mm，石墨棒阳极和石墨棒阴极分别 与直流电源正、负极相连接，然后从抽气口抽去电弧放电真空室中空气，当压 强小于l(^Pa时，通过充气口充入氩气和氢气的混合气体，其压力比为2: 3， 总压强200Toir时，接通两石墨电极间直流电源，控制通过电极的电流强度为 80A，使在两石墨阴、阳极板形成的空间内实施电弧放电，放电时间30秒钟， 此时粘连在上石墨极板(阴极石墨极板)的后玻板内表面上形成单壁碳纳米管 薄膜。然后用金刚石刻刀在纳米碳管薄膜上平行刻划成与电极宽度相同的条形， 复盖电极，接着，将X方向电极上涂复荧光粉的前玻板和已生成单壁碳纳米管 薄膜的后玻板正交对置，用隔子控制间距为0.30mm用低熔点玻璃粉封接框熔封 四周和排气管，在排气管处装入消气剂8，'经排气管9抽去两玻板间空气，气体 压强小于3xl(T3 Pa时封离。将显示器加热至510QC，保温15分钟，激活消气剂。 当在前玻板选址电极2和后玻板选址电极6之间施加直流电压，对场发射显示 器的场发射特性和发光情况进行测试。当在前玻板选址电极2和后玻板选址电 极6之间加上直流电源850V时，显示器发出明亮绿光，整个荧光屏的发光变得非常均匀、非常亮，且十分稳定。 实施例2在两块面积100xl00mm镀有ITO膜的平板玻璃上分别制备宽度为0.3mm、 间距0.2mm的X、 Y方向平行条状电极，获得制有X方向平行条状电极的前玻 板和制有Y方向平行条状电极的后玻板，随即在前玻板的X方向电极上涂复荧 光粉，后玻板则置电弧放电室中，用导电胶粘连在上石墨板，上石墨板和下石 墨板的板间距离为50mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3pm，在上石墨板内 侧的中心垂直安装石墨棒阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安装直径为6mm石 墨棒阳极，在石墨棒阳极内含添加钼(Mo)粉和铁(Fe)粉二元催化剂，其与 石墨粉的摩尔比为Fe: Mo: C-l: 0.5: 100，石墨棒阴极的直径为6mm，石墨 棒阳极和石墨棒阴极分别与直流电源正、负极相连接，然后从抽气口抽去电弧 放电真空室中空气，当压强小于10_3Pa时，通过充气口充入氩气和氢气的混合 气体，其压力比为2: 3，总压强200Torr时，接通两石墨电极间直流电源，控 制通过电极的电流强度为80A，使在两石墨阴、阳极板形成的空间内实施电弧 放电，放电时间30秒钟，此时粘连在上石墨极板(阴极石墨极板)的后玻板内 表面上形成单壁碳纳米管薄膜。然后用金刚石刻刀在纳米碳管薄膜上平行刻划 成与电极宽度相同的条形，复盖电极，接着，将X方向电极上涂复荧光粉的前 玻板和己生成单壁碳纳米管薄膜的后玻板正交对置，用隔子控制间距为0.30mm 用低熔点玻璃粉封接框熔封四周和排气管v在排气管处装入消气剂8，经排气管 9抽去两玻板间空气，气体压强小于3xl(^Pa时封离。将显示器加热至505DC， 保温时间18分钟，激活消气剂。当在前玻板选址电极2和后玻板选址电极6之 间加上直流电源800V时，显示器发出明亮绿光。 实施例3在两块面积100xl00mm镀有ITO膜的平板玻璃上分别制备宽度为0.5mm、 间距0.3mm的X、 Y方向平行条状电极，获得制有X方向平行条状电极的前玻 板和制有Y方向平行条状电极的后玻板，随即在前玻板的X方向电极上涂复荧 光粉，后玻板则置电弧放电室中，用导电胶粘连在上石墨板，上石墨板和下石 墨板的板间距离为50mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3nm，在上石墨板内 侧的中心垂直安装石墨櫸阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安装直径为6mm石 墨棒阳极，在石墨棒阳极内含添加铁(Fe)粉一元催化剂，其与石墨粉的摩尔 比为Fe: Oh 100，石墨棒阴极的直径为6mm，石墨棒阳极和石墨棒阴极分别 与直流电源正、负极相连接，然后从抽气口抽去电弧放电真空室中空气，当压强小于10^Pa时，通过充气口充入氩气和氢气的混合气体，其压力比为2: 3， 总压强250Torr时，接通两石墨电极间直流电源，控制通过电极的电流强度为 70A，使在两石墨阴、阳极板形成的空间内实施电弧放电，放电时间30秒钟， 此时粘连在上石墨极板(阴极石墨极板)的后玻板内表面上形成单壁碳纳米管 薄膜。然后用金刚石刻刀在纳米碳管薄膜上平行刻划成与电极宽度相同的条形， 复盖电极，接着，将X方向电极上涂复荧光粉的前玻板和已生成单壁碳纳米管 薄膜的后玻板正交对置，用隔子控制间距为0.30mm用低熔点玻璃粉封接框熔封 四周和排气管，在排气管处装入消气剂8，经排气管9抽去两玻板间空气，气体 压强小于3xl(^Pa时封离。将显示器加热至51(^C，保温15分钟，激活消气剂。 当在前玻板选址电极2和后玻板选址电极6之间施加直流电压，对场发射显示 器的场发射特性和发光情况进行测试。当在前玻板选址电极2和后玻板选址电 极6之间加上直流电源600V时，显示器发出明亮绿光。 实施例4在两块面积100xl00mm镀有ITO膜的平板玻璃上分别制备宽度为0.3mm、 间距0.2mm的X、 Y方向平行条状电极，获得制有X方向平行条状电极的前玻 板和制有Y方向平行条状电极的后玻板，随即在前玻板的X方向电极上涂复荧 光粉，后玻板则置电弧放电室中，用导电胶粘连在上石墨板，上石墨板和下石 墨板的板间距离为50mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3pm，在上石墨板内 侧的中心垂直安装石墨棒阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安装直径为6mm石 墨棒阳极，在石墨棒阳极内含添加钼(Mo)粉和铁(Fe)粉二元催化剂，其与 石墨粉的摩尔比为Fe: Mo: C=l: 0.5: 100，石墨棒阴极的直径为6mm，石墨 棒阳极和石墨棒阴极分别与直流电源正、负极相连接，然后从抽气口抽去电弧 放电真空室中空气，当压强小于10—3Pa时，通过充气口充入氩气和氢气的混合 气体，其压力比为2: 3，总压强250Torr时，接通两石墨电极间直流电源，控 制通过电极的电流强度为70A，使在两石墨阴、阳极板形成的空间内实施电弧 放电，放电时间30秒钟，此时粘连在上石墨极板(阴极石墨极板)的后玻板内 表面上形成单壁碳纳米管薄膜。然后用金刚石刻刀在纳米碳管薄膜上平行刻划 成与电极宽度相同的条形，复盖电极，接着，将X方向电极上涂复荧光粉的前 玻板和已生成单壁碳纳米管薄膜的后玻板正交对置，用隔子控制间距为0.30mm 用低熔点玻璃粉封接框熔封四周和排气管'，在排气管处装入消气剂8，经排气管 9抽去两玻板间空气，气体压强小于3xl(^Pa时封离。将显示器加热至505DC， 保温时间18分钟，激活消气剂。当在前玻板选址电极2和后玻板选址电 6之间加上直流电源750V时，显示器发出明^绿光。 实施例5在两块面积100xl00mm镀有ITO膜的平板玻璃上分别制备宽度为0.5mm、 间距0.3mm的X、 Y方向平行条状电极，获得制有X方向平行条状电极的前玻 板和制有Y方向平行条状电极的后玻板，随即在前玻板的X方向电极上涂复荧 光粉，后玻板则置电弧放电室中，用导电胶粘连在上石墨板，上石墨板和下石 墨板的板间距离为50mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3pim，在上石墨板内 侧的中心垂直安装石墨棒阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安装直径为6mm石 墨棒阳极，在石墨棒阳极内含添加镍(Ni)粉和钇(Y)粉二元催化剂，其与石 墨粉的摩尔比为Nh Y: C=0.8: 0.1: 100,石墨棒阴极的直径为6mm，石墨棒 阳极和石墨棒阴极分别与直流电源正、负极相连接，然后从抽气口抽去电弧放 电真空室中空气，当压强小于10—3Pa时，通过充气口充入氩气和氢气的混合气 体，其压力比为2: 3，总压强200Torr时，接通两石墨电极间直流电源，控制 通过电极的电流强度为80A，使在两石墨阴、阳极板形成的空间内实施电弧放 电，放电时间60秒钟，此时粘连在上石墨极板(阴极石墨极板)的后玻板内表 面上形成单壁碳纳米管薄膜。然后用金刚石刻刀在纳米碳管薄膜上平行刻划成 与电极宽度相同的条形，复盖电极，接着，将X方向电极上涂复荧光粉的前玻 板和已生成单壁碳纳米管薄膜的后玻板正交对置，用隔子控制间距为0.30mm用 低熔点玻璃粉封接框熔封四周和排气管，在排气管处装入消气剂8，经排气管9 抽去两玻板间空气，气体压强小于3xl(T3 Pa时封离。将显示器加热至520QC, 保温10分钟，激活消气剂。当在前玻板选址电极2和后玻板选址电极6之间施 加直流电压，对场发射显示器的场发射特性和发光情况进行测试。当在前玻板 选址电极2和后玻板选址电极6之间加上直流电源850V时，显示器发出明亮绿 光。实施例6在两块面积100xl00mm镀有ITO膜的平板玻璃上分别制备宽度为0.3mm、 间距0.2mm的X、 Y方向平行条状电极，获得制有X方向平行条状电极的前玻 板和制有Y方向平行条状电极的后玻板，随即在前玻板的X方向电极上涂复荧 光粉，后玻板则置电弧放电室中，用导电胶粘连在上石墨板，上石墨板和下石 墨板的板间距离为50mm，石墨板内侧表面的粗糙度Ra为3pm，在上石墨板内 侧的中心垂直安装石墨棒阴极，在下石墨板内侧的中心垂直安装直径为6mm石 墨棒阳极，在石墨棒阳极内含添加镍(Ni)粉和钇(Y)粉二元催化剂，其与石墨粉的摩尔比为Ni: Y: C=0.8: 0.1: 100，石墨棒阴极的直径为6mm，石墨棒阳极和石墨棒阴极分别与直流电源正、负极相连接，然后从抽气口抽去电弧放电真空室中空气，当压强小于10—3Pa时，'通过充气口充入氩气和氢气的混合气 体，其压力比为2: 3，总压强250Torr时，接通两石墨电极间直流电源，控制 通过电极的电流强度为70A,使在两石墨阴、阳极板形成的空间内实施电弧放 电，放电时间30秒钟，此时粘连在上石墨极板(阴极石墨极板)的后玻板内表 面上形成单壁碳纳米管薄膜。然后用金刚石刻刀在纳米碳管薄膜上平行刻划成 与电极宽度相同的条形，复盖电极，接着，将X方向电极上涂复荧光粉的前玻 板和已生成单壁碳纳米管薄膜的后玻板正交对置，用隔子控制间距为0.30mm用 低熔点玻璃粉封接框熔封四周和排气管，在排气管处装入消气剂8，经排气管9 抽去两玻板间空气，气体压强小于3xl0'3 Pa时封离。将显示器加热至500eC， 保温时间20分钟，激活消气剂。当在前玻板选址电极2和后玻板选址电极6之 间加上直流电源S50V时，显示器发出明^绿光。
权利要求
1.一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器，其特征在于包括前玻板(1)、前玻板选址电极(2)、荧光粉(3)、封接框(4)、单壁纳米碳管薄膜(5)、后玻板选址电极(6)、后玻板(7)、消气剂(8)、排气管(9)，前玻板(1)与后玻板(7)之间的四周由封接框(4)固定，构成一个空腔，前玻板(1)内壁上依次设有前玻板选址电极(2)、荧光粉(3)，后玻板(7)内壁上依次设有单壁纳米碳管薄膜(5)、后玻板选址电极(6)，空腔底部设有排气管(9)，排气管(9)内设有消气剂(8)。
2. —种根据权利要求1所述的单壁纳米碳管薄膜场发射显示器的制备方法， 其特征在于包括如下步骤1) 在电弧放电真空室(10)中安装有两块平行放置的上石墨板(11)、下 石墨板(14)，上石墨板(11)与下石墨板(14)之间距离为50 300mm，石墨 板内侧表面的粗糙度Ra为3pm，在上石墨板内侧的中心垂直安装有石墨棒阴极(12)，在下石墨板内侧的中心垂直安装有石墨棒阳极(13)，石墨棒阳极和石 墨棒阴极的直径为6 10mm，石墨棒阳极和石墨棒阴极分别与直流电源(17) 正、负极相连接，电弧放电真空室(10)与真空泵相连接；2) 将镀有透明的X方向氧化铟锡薄膜条状电极的后玻板用导电胶粘连在上 石墨极板，抽去电弧放电真空室中空气，压强为10—2 l(T3Pa，充入高纯氦气或 氩气和氢气的混合气体，压强为100 300Torr，调整石墨棒阳极和石墨棒阴极 之间的距离为2 3mm，在两石墨电极间接通直流电源，电流强度为60 100A， 使之实施电弧放电，放电时间20 100s，在镀有氧化铟锡薄膜条状电极的后玻 板(7)的表面上形成单壁纳米碳管薄膜。-3) 用金刚石刻刀在后玻板(7)的单壁纳米碳管薄膜上平行刻划成与电极 宽度相同的条形，复盖电极；4 )在镀有透明的Y方向氧化铟锡薄膜条状电极的前玻板上涂复荧光粉涂层；5) 将前玻板(1)和后玻板(7)正交对置控制间距0.15 0.45mm，用低熔 点玻璃粉制成的封接框熔封两玻板四周边；在排气管中放入金属环状吸气剂， 用低熔点玻璃粉熔封于显示器后部；6) 经排气管抽去前后两玻板与由低熔点玻璃粉封接框熔封四周构成空腔中 的空气，使内部气体压强为l(T2 l(T3Pa,然后封离排气装置；7) 将显示器加热至500 52()GC，保温时间10 20分钟，以激活吸气剂。
3. 根据权利要求2所述的一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器的制备方法，其特征在于所述的消气剂为锆铝合金非蒸散型消气剂。
4. 根据权利要求2所述的一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器的制备方法， 其特征在于所述的发光材料是专用场发射,光粉。
5. 根据权利要求2所述的一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器的制备方法， 其特征在于所述的石墨棒阳极内含有Fe、 Ni、 Y或Mo中的一种或两种。
全文摘要
本发明公开了一种单壁纳米碳管薄膜场发射显示器及制备方法。单壁纳米碳管薄膜场发射显示器由前玻板、后玻板、封接框和排气管构成四周密封的场发射显示器外壳，外壳内由电极、单壁纳米碳管薄膜和消气剂组成，其特征是后玻板上制有透明的X方向氧化铟锡条状电极，整条电极上复盖单壁纳米碳管薄膜，前玻板上制有透明的Y方向氧化铟锡条状电极，发光材料荧光粉涂复其上。本发明的单壁纳米碳管薄膜场发射显示器中的单壁纳米碳管薄膜是利用电弧放电法将其直接沉积在后玻板上。本发明可制备大面积场发射显示器，显示器的发光效率高，亮度高而且发光均匀稳定，工作电压低等特点。可以获得低电压、高亮度、均匀、稳定发光的显示效果。
文档编号H01J9/00GK101577204SQ20091009936
公开日2009年11月11日 申请日期2009年6月4日 优先权日2009年6月4日
发明者尚学府, 曲绍兴, 李振华, 辉 杨, 淼 王, 顾智企 申请人:浙江大学