可调电极间距及平行度的刻蚀腔的制作方法

可调电极间距及平行度的刻蚀腔的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔，包括；一腔体，所述腔体为圆柱形腔体；一上电极，固定安装在所述腔体的上顶面；一下电极，固定安装在所述腔体的下底面；所述腔体中设置一可变腔体，用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。本发明能既可以做到上下电极的距离可变并且可以让上下电极的水平度坐适当调整，优化面内均匀性。可以保证直径200mm的晶圆内任意个测试点，均匀性小于2%，同时刻蚀速率没有明显变化，满足特殊制品的需要。
【专利说明】可调电极间距及平行度的刻蚀腔
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种可调电极间距及平行度的腔体。
【背景技术】
[0002]如图1所示，现有的刻蚀腔，包括一腔体1，为一圆柱形腔体；上电极2，固定安装在所述腔体的上顶面；下电极3，固定安装在所述腔体的下底面；上电极2与下电极3的距离固定且上电极2与下电极3总是互相平行。理想状态下刻蚀腔中离子电浆4分布，如图2所示。但在实际生产过程中，由于刻蚀气体进入腔体的位置不同，射频功率作用的区域不同，分子泵或干泵的进气口位置差异等原因，会导致同类型的腔体，刻蚀均匀性有明显差异，如果上下电极之间的距离固定或上下电极间总是相互平行时，要达到测试点面内均匀性小于2%的要求(200mm晶圆)比较困难。现有的刻蚀腔实际状态下离子电浆4分布，如图3所
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【发明内容】

[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔，能既可以做到上下电极的距离可变并且可以让上下电极的水平度坐适当调整，优化面内均匀性。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提供的一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔，包括；
[0005]一腔体，所述腔体为圆柱形腔体；
[0006]上电极，固定安装在所述腔体的上顶面；
[0007]一下电极，固定安装在所述腔体的下底面；
[0008]所述腔体中设置一可变腔体，用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。
[0009]进一步的，所述可变腔体为一波纹管腔。
[0010]进一步的，所述波纹管腔包括:波纹管、一螺栓孔基座、一可调螺栓及一密封圈；其中，所述可调螺栓用于调节波纹管腔高度。
[0011]进一步的，所述可调螺栓的调节方式为手动调节。
[0012]进一步的，所述可调螺栓的调节方式为自动调节。
[0013]进一步的，所述螺栓孔基座上分布有多个螺栓孔。
[0014]进一步的，所述螺栓孔数量根据需要进行增减。
[0015]进一步的,所述刻蚀腔用于200mm晶圆的刻蚀。
[0016]本发明能既可以做到上下电极的距离可变并且可以让上下电极的水平度坐适当调整，优化面内均匀性。可以保证直径200mm的晶圆内任意个测试点，均匀性小于2%，同时刻蚀速率没有明显变化，满足特殊制品的需要。
【专利附图】

【附图说明】[0017]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0018]图1是现有的刻蚀腔的结构示意图；
[0019]图2是现有的刻蚀腔理想状态下离子电浆分布图；
[0020]图3是现有的刻蚀腔实际状态下离子电浆分布图；
[0021]图4是本发明刻蚀腔的结构示意图；
[0022]图5是本发明波纹管腔的结构示意图；
[0023]图6是图5中A-A位置剖视图；
[0024]图7是本发明刻蚀腔实际状态下离子电浆分布图。
[0025]主要元件符号说明如下:
[0026]腔体I上电极2
[0027]下电极3离子电浆4
[0028]腔体41上电极42
[0029]下电极43可变腔体44
[0030]波纹管51螺栓孔基座52
[0031]可调螺栓53密封圈54
[0032]螺栓孔61
【具体实施方式】
[0033]为使贵审查员对 本发明的目的、特征及功效能够有更进一步的了解与认识，以下配合附图详述如后。
[0034]如图4所示，本发明刻蚀腔包括一腔体41，为一圆柱形腔体；一上电极42，固定安装在所述腔体的上顶面；一下电极43，固定安装在所述腔体的下底面；一可变腔体44，所述可变腔体44位于所述腔体41中，用于调节所述上电极42和下电极43之间的距离和平行度。所述的可变腔体44可以为一波纹管腔体。
[0035]如图5所示，本发明波纹管腔包括一波纹管51、一螺栓孔基座52、一可调螺栓53，用于调节波纹管腔高度，其调节方式可以为手动调整，也可以通过马达等控制部件自动调节，实现工艺中每一步均匀性可变；一密封圈54，用于密封波纹管腔，使腔内保持低压。所述波纹管腔设置于所述腔体41中。
[0036]如图6所示，为图5中A-A位置的剖视图，所示螺栓孔基座52上分布有多个螺栓孔61，其数量可以根据实际需要进行增减。
[0037]如图7所示，通过波纹管腔的修正，本发明刻蚀腔实际状态下离子电浆分布接近理想状态。
[0038]以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔，包括； 一腔体，所述腔体为圆柱形腔体； 上电极，固定安装在所述腔体的上顶面； 一下电极，固定安装在所述腔体的下底面； 其特征在于:所述腔体中设置一可变腔体，用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。
2.如权利要求1所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于:所述可变腔体为一波纹管腔。
3.如权利要求2所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于，所述波纹管腔包括:波纹管、一螺栓孔基座、一可调螺栓及一密封圈；其中，所述可调螺栓用于调节波纹管腔高度。
4.如权利要求3所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于，所述可调螺栓的调节方式为手动调节。
5.如权利要求3所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于，所述可调螺栓的调节方式为自动调节。
6.如权利要求3所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于，所述螺栓孔基座上分布有多个螺栓孔。
7.如权利要求6所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于，所述螺栓孔数量根据需要进行增减。
8.如权利要求1所述的可调电极间距及平行度的刻蚀腔，其特征在于，所述刻蚀腔用于200mm晶圆的刻蚀。
【文档编号】H01J37/32GK103578903SQ201210249414
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年7月18日 优先权日:2012年7月18日
【发明者】李顺义 申请人:上海华虹Nec电子有限公司