一种反应腔室的制作方法

一种反应腔室的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种反应腔室，包括腔室、位于所述腔室内部的静电卡盘、内衬以及基座，所述基座用于支撑所述静电卡盘，所述内衬上设置有多个通风孔，所述基座包括支撑部分、连接部分以及安装部分，其中：所述支撑部分位于所述静电卡盘正下方并支撑所述静电卡盘；所述连接部分的一侧与所述支撑部分相连接，且所述连接部分在所述内衬上的正投影是从腔室壁指向腔室中心的方向上宽度逐渐减小；所述安装部分与所述连接部分的另一侧相连接，所述安装部分用于将所述基座固定在所述腔室的侧壁上。通过连接部分的非等宽的设计，改善了对上方内衬的遮挡，使得基座上方的内衬上的通风孔在径向上的对称性得到了提高，从而增加基座上方气流分布的径向均匀性，提高了工艺均匀性。
【专利说明】一种反应腔室
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体设备制造【技术领域】，特别涉及一种用于等离子刻蚀设备中的反
应腔室。
【背景技术】
[0002]现代集成电路的发展对芯片的集成度不断提出更高的要求，包括在单一芯片上集成更多的半导体元器件，从而使得芯片具有更高的电路密度。为了获得更高的电路密度，需要减小半导体元器件的关键尺寸。随着关键尺寸的减少，使得半导体元器件的制造更为困难，为了提高成品率，对硅片上工艺均匀性提出了更高的要求。在等离子刻蚀工艺中，气流是影响工艺均匀性的一个重要因素。
[0003]图1示出了一种采用下抽气方式的等离子体刻蚀机的反应腔室的结构简图，如图1所示，该等离子体刻蚀机包括腔室101、进气口 102、静电卡盘103、硅片104、铝基座105、内衬106以及出气口 107。其中，工艺气体从进气口 102进入腔室101中，并被激发为等离子体，等离子体被内衬106限制在硅片104附近的一定区域内，并与硅片104发生化学反应，反应后的气体通过内衬106上的通风孔被真空泵从腔室的出气口 107抽走。在这个过程中，由于内衬106对气体的引流作用，使得等离子体在硅片104的圆周方向上形成环形气流场，从而与硅片104充分反应。
[0004]图2A示出了内衬106的俯视图，如图2A所示，内衬106上开设的通风孔呈现放射性均匀分布，这些通风孔作为气体流过的通道起到引流的作用。图2B示出了铝基座105的俯视图，如图2B所示，铝基座105包括左边圆环形状的支撑部分以及右边等宽设计的安装部分。图3A示出了内衬106和铝基座105的俯视图，如图3A所示，内衬上的部分通风孔被下方的铝基座105遮挡。图3B示出了在图3A中A-A方向上内衬106和铝基座105的截面不意图，其中，招基座105位于内衬106的下方，并且由于招基座105的遮挡，使得招基座105上方内衬106的引流变得不均匀。从图3A和图3B中可以看出，由于内衬106上部分通风孔被下方的铝基座105遮挡，使得通过通风孔抽出的气流在径向和周向上都不均匀，从而造成气流在硅片104的径向和周向上的不对称，影响工艺的均匀性。
[0005]为了对由于铝基座的遮挡所造成的气体的不均匀进行改善，中国专利文献I (
【发明者】廖凤英 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司