抑制反射的线栅偏振器的制作方法

专利名称：抑制反射的线栅偏振器的制作方法
技术领域：
本发明 一般涉及这样的无机线栅偏振器，其,皮配置为基本抑制反射偏
振，同时基本透射正交偏振，特别关注这样的偏振器在电磁波i普的可见和 红外部分中的应用。
背景技术：
为了使光偏振，或者使光的正交偏振方向分离，已经t艮了各种类型 的偏振器或偏振分束器(PBS) 。 MacneillePBS是基于沿着高折射率立方 体(该PBS被构造于其中)的对角线在薄膜界面处实现Brewster角行为。 这样的Macneille PBS不产生散光，但具有窄的接收角，并且成本和重量 很高。这样的器件可通过对玻璃和薄膜的合适选择而被制造为从红外经过 可见直至紫外范围内起作用。
许多其他类型的偏振器也常用于光谱的可见和红外部分，包括长链聚 合物偏振器、线栅偏振器、Glan Thompson晶体偏振器等等。这些偏振器 中的一些通过反射而将光分离成两种正交偏振，另一些通过吸收而进行分 离。前者的实例包括诸如Glan Thompson型和Wollaston棱镜型的晶体偏 振器、线栅偏振器、MacNeille棱镜型、以及诸如由3M制造的DBEF偏 振器的特定聚合物反射偏振器。在吸收型的后者的实例包括长链聚合物"碘 型，，偏振器、最初由Polaroidn的K薄片和H薄片型偏振器、以及在 平板型液晶显示器中得到应用的各种其他类型。
通常，吸收型偏振器基于诸如聚合物的有机分子。值得注意的例外是 最初由Corning ^A的Polarcor型和诸如由德国的Codixx提供的类似产 品。这种类型的偏振器已在红外光谱中得到多种应用，其中这种类型的偏
5振器在对比率和透射效率方面优良，但这仅限于在相当窄的波带内，可通 过在制造过程中的适当改变来将该波带移动到希望的波长。然而，这种类 型的偏振器尚未被成功扩展到可见光镨的绿色和蓝色部分，使得该技术在 可见光镨中的作用很差。
这导致需要这样一种无机偏振器，对于可见光i普中的特定应用，该无 机偏振器不具有一种偏振的显著或强的反射。这些应用的实例存在于透射 式显示器市场，其中使用小的透射式液晶显示板来在屏幕上产生投射的影 像。由于这种系统的光学设计，它们4艮难在光路的栽像部分中使用反射偏 振器。该困难有至少两个已知的原因。第一个原因在于，已知被反射回到 显示板中的光由于干扰晶体管操作的光电效应而使得该板上的驱动电路中 的晶体管无法操作。第二个问题在于，反射光会引起假像且引起在屏幕上 的影像中的对比度的损失。
在历史上，这种投射式显示器的制造商在这种投射式显示器中已使用 基于聚合物的吸收型偏振器。随着时间的过去，由于这些显示器变得越来 越亮，这种偏振器变成系统中的弱点，导致对偏振器的早期故障的关注。 为了解决该问题，已使用外来的导热基底材料(例如蓝宝石)，已采用强 制气冷系统，甚至更多的外来设计已使用串联的多个偏振器，以便第一偏 振器的故障被在顺序上后续的偏振器所屏蔽，以获得可接受的系统寿命。 显示器市场的朝向更亮且更^f更宜显示的不断进步意^^未着这样的解决方案将 不再使用的时代不久后即将到来。因此，预期这些透射式显示系统将需要 新的解决方案。

发明内容
已经公认，发展这样的无机偏振器将是有利的，该无机偏振器具有基 本受抑制的反射，同时仍提供对正交偏振的基本透射；其在蓝、绿和红色
三种主色的每一种中具有大于约500:1的透射对比度；其具有适当的接收 角且在正入射处起作用；并且其可以以玻片(plate)形式制造。另外，如 果可以以适当的成本制造这种偏振器以使其可应用于竟争激烈的显示市场中将是有利的。
本发明提供抑制反射的线栅偏振器器件，以使入射的可见或红外光偏 振且选择性地抑制反射偏振。偏振线栅层被设置在基底上方，且具有周期 小于入射光波长的一半的平行金属线的阵列。反射抑制层被设置在所述基 底上方，且包括光学吸收可见或红外光的无机的非电介质材料。电介质层 被设置在所述偏振线栅层与所述吸收层之间，且包括无机的电介质材料。


通过结合附图而在下面给出的详细描述，本发明的其他特征和优点将
显而易见，这些附图通过实例而一起示例出本发明的特征；并且其中 图la是根据本发明实施例的抑制反射的线栅偏振器器件的示意性截
图lb是根据本发明实施例的另一抑制反射的线栅偏振器器件的示意 性截面侧视图lc是根据本发明实施例的另一抑制反射的线栅偏振器器件的示意 性截面侧^f见图ld是根据本发明实施例的另一抑制反射的线栅偏振器器件的示意 性截面側视图le是根据本发明实施例的另一抑制反射的线栅偏振器器件的示意 性截面侧^L图2a是根据本发明实施例的第一示例性的抑制反射的线栅偏振器器 件的示意性截面侧^L图2b是示出图2a的偏振器器件的p偏振方向的透射比率、总反射和 对比度相对于波长的计算得到的性能图3a是根据本发明实施例的第二示例性的抑制反射的线栅偏振器器 件的示意性截面侧^L图3b是示出图3a的偏振器器件的p偏振方向的透射比率、总反射和 对比度相对于波长的计算得到的性能图；图4a是根据本发明实施例的第三示例性的抑制反射的线栅偏振器器 件的示意性截面侧视图4b是示出图4a的偏振器器件的p偏振方向的透射比率、总反射和 对比度相对于波长的计算得到的性能图5a是根据本发明实施例的第四示例性的抑制反射的线栅偏振器器 件的示意性截面侧^L图5b是示出图5a的偏振器器件的p偏振方向的透射比率、总反射和 对比度相对于波长的计算得到的性能图6a是根据本发明实施例的第五示例性的抑制反射的线栅偏振器器 件的示意性截面侧视图6b是示出图6a的偏振器器件的p偏振方向的透射比率、总反射和 对比度相对于波长的计算得到的性能图.
为清楚起见夸大了附图中的各种特征。还应注意，附图中的特征没有 按比例绘制。
现在将参考并在此使用特定的语言描述所示例的示例性实施例。然而 应该理解，并不旨在由此限制本发明的范围。
具体实施方式
定义
在此使用术语电介质表示非金属光学材料，其典型地由金属氧化物或 金属氮化物、金属氟化物或其他类似的材料构成。
在此使用术语碳表示任何形式的碳，例如石墨、玻璃碳、无定形碳等等。
在此使用术语非电介质表示金属光学材料，包括碳和硅。 描述
已经公认，线栅偏振器可向投射式显示系统(例如背投显示系统)提 供提高的性能或对比度。另外，已经7>认，线栅偏振器的传导线可吸收光 且可发热。此外，已经^/H人，多层拉伸膜偏振器不耐用且由于其对光的吸收而在许多应用中不可靠，虽然希望这样的性能特征。
如在图la-le中所示例的，在根据本发明的示例性实施例中示出了通 常在lOa-e处表示的无机的抑制反射的线栅偏振器，用以^7v射的可见或 红外光12偏振，透射一种偏振30 (例如p偏振方向)，并且选择性地抑 制(由X表示)反射的偏振34 (例如s偏振方向)。偏振器10可包括设 置在基底14上方且由基底14承载的膜层的叠层18a-d。基底14可由无机 的电介质材料(例如BK7玻璃或熔融珪石)形成。另外，这些膜层以及由 此形成的叠层可由无机材料形成。线栅偏振器的膜层的叠层可包括至少三 个层，包括偏振层18a、反射抑制层18c以及使偏振层与反射抑制层分隔 的电介质层18b。另外，可以通过偏振层或反射抑制层中的一个而4吏第四 层或第二电^h质层18d与第一电介质层18b分隔。此外，这些层中的一者 或多者可以不连续，从而形成形序双折射层。
偏振层18a是偏振线栅且包括平行金属线22的阵列，该平行金属线 22的阵列的周期P小于入射光12的波长的一半。这些线由传导性材料形 成。在一个方面中，这些线可由铝A1形成，如图la-e中所示。在另一方 面中，这些线可由银形成。对于可见光应用，或者当可见光入射在偏振器 上时，线栅的线22的阵列的周期P小于350nm。在另一方面中，对于可 见光应用，该周期可以小于200nm。在另一方面中，对于可见光应用，该 周期可以小于120nm。已经发现，减小周期引起性能提高。对于红外应用， 或者当红外光入射在偏振器上时，线栅的线22的阵列的周期P小于 500nm。另外，这些线长于入射光的波长。这些线还可具有处于间距或周 期的10%至90%的范围内的宽度^。对于可见光应用，这些线还可具有小 于光波长或者小于400nm (0.4;on)的厚度或高度。在一个方面中，对于 可见光应用，该厚度可以小于0.2/tm。
电介质层18b (d)可以为电介质栅且包括无机的电介质材料。对于可 见或红外应用，电介质材料至少分别在可见或红外光谱区中是光学透射的。 在一个方面中，电介质层的电介质材料可以为二氧化硅(Si02)。电介质 层可以为不连续的，从而形成形序双折射层或电介质栅36，其具有^皮间隙分隔的平行脊38的阵列。电介质层的脊38可以具有与线栅的线相同的周 期，并且可以与线栅的线对准。另外，电^h质层中的一个或多个可净皮设置 为与偏振层邻近。
反射抑制层18c包括光学吸收可见或红外光的无机的非电介质材料。 在一个方面中，光学吸收材料可以为碳或硅，或者与线栅的线的金属不同 的金属。由此，入射在该器件上的光被分成两种偏振，这两种偏振中的一 种的大部分被吸收(例如s偏振方向)，其中一些能量^L^射，并且这两 种偏振中的另一种的大部分被透射(例如p偏振方向)，其中少量的一些 能量被吸收。另外，反射抑制层可以是不连续的，从而形成具有平行脊28 的阵列的反射抑制栅。
由此，入射在偏振器10a-d上的入射的可见或红外光束12将光分离成 两种正交的偏振方向，其中具有s偏振方向(平行于脊的长度取向的偏振 方向)光的大部分被吸收，其中一些能量祐^Jt，并且具有p偏振方向(垂 直于脊的长度取向的偏振方向)的光的大部分被透射或通过，其中少量的 能量被吸收。(当然应理解，这两种偏振的分离不会是完全的，并且存在 不希望的反射和/或透射的偏振方向的量的损失。)另外，应注意，其间距 小于光波长的约一半的脊的阵列或栅与t汴射光栅(其具有大于光波长的约 一半的间距)的表现不同。由此，该栅偏振器避免衍射。此外，相信这样 的周期也避免了共振效应或反常。
参考图la，无机的抑制反射的线栅偏振器10a被配置有设置在偏振线 栅层18a上方的反射抑制层18c。第一电介质层18b使得偏振层与反射抑 制层分隔。第二电介质层18d设置在反射抑制层18c上方。所有的层18a-d 都是不连续的。可通过沉积不同的层且蚀刻这些层以形成线和脊而制成该 器件。电介质栅的电介质脊38、反射抑制栅的非电介质脊28以及线栅的 线22对准且具有相同的周期。
参考图lb，无机的抑制反射的线栅偏振器10b与上面所述的相似，但 包括形成在基底14b中且支撑其上的线和脊的多个脊54。可以通过穿过50 而it^基底的过蚀刻来形成脊。脊可在基底与线之间形成另一电介质层。
10参考图lc，无机的抑制反射的线栅偏振器10b与上述图la中的相似， 但层的叠层相反，以便偏振线栅层18a设置在反射抑制层18c上方。
参考图ld，无机的抑制反射的线栅偏振器10b与上述图lb中的相似， 但层的叠层相反，以便偏振线栅层18a设置在反射抑制层18c上方。
参考图le，无机的抑制反射的线栅偏振器10b与上述图la中的相似， 但还包括设置在基底与线栅的线之间的一个或多个连续的层，以形成抗反 射涂层或者实现其他光学目的。
另外，每一层的厚度可被设计为对于希望的光镨范围使光学性能(透 射效率和对比率)最优化。因此，虽然在附图中所述的各厚度相同，但应 理解，这些厚度可以不同。虽然示出了具有四个膜层18a-d的叠层，但应 理解，叠层中的膜层的数目可以改变。
如图la-d中所示，所有的膜层都是不连续的且形成平行的脊或线的阵 列。脊或线可以通过居间的沟槽34或凹槽而被分隔。在这种情况下，沟槽 34延伸穿过膜层18a-d直到基底14,或者甚至ii^基底中。如下所讨论的， 这样的配置可便于制造。
可以不填充或用空气(n=l)填充沟槽34。或者，可用对入射光透光 的材料填充沟槽34。
相信膜层的双折射特征以及相邻膜层的不同折射率会使得栅偏振器基 本分离入射光的偏振方向，基本吸收和反射s偏振方向的光，并且基本透 射或通过p偏振方向的光(其中有少量吸收)。另外，相信可以调整膜层 的数目、膜层的厚度以及膜层的折射率来改变栅偏振器的性能特征，只要 这些层中的至少一个强烈吸收入射的UV光。
制造偏振器10a-d的方法包括获得或提供基底14。如上所述，基底14 可以为BK7玻璃或熔融珪石玻璃。在所有方面中，基底可被选择为对电磁 辐射的希望波长透明。该基底可被清理，或者被制备。在基底上连续形成 所述层。如本领域中公知的，可通过沉积、化学气相沉积、旋涂等等，形 成各层。构图连续的各层而产生具有平行脊或线的阵列且限定至少一个形 序双折射层的不连续层。另外，可构图所有的连续层而产生所有不连续的层。如本领域中公知的，可通过蚀刻等等构图各层。 实例1
参考图2a，示出了被配置为用于红外光i普的抑制反射的线栅偏振器10f 的第一非限制性实例。
偏振器10f具有设置在基底14上方的四个层，包括偏振层18a、反射 抑制层18c、使偏振层与反射抑制层分隔的电介质层18b、以及通过反射抑 制层而与第一电介质层18b分隔的第二电介质层18d。基底为玻璃，例如 BK7。第一层或偏振层18a设置在基底上。偏振层18a为由铝(AL)形成 的具有144mn的周期P的平行金属线22的阵列。偏振层18a具有77nm 的厚度。反射抑制层18c由硅化铌(NbSi;在1550nm下，n*3.8， k=2.90) 形成且具有50nm的厚度。第一和第二电介质层18b和18d由二氧化珪 (Si02 )形成且各具有160nm的厚度。所有的层不连续，从而形成形序双 折射层。周期P为144nm，其中占空比(DC)或者脊宽度与周期的比率 为0.425,或者宽度为约61nm。选择硅化铌材料的原因在于其光学指标和 其对入射光的光学吸收特性。该偏振器将透射光的p偏振方向而不反射任 一偏振方向。
参考图2b，在红外光谱中示出了偏振器10f的计算得到的性能。可以 看出，该偏振器具有对光的p偏振方向的高透射率(约95% )而基本上没 有反射。另外，该偏振器具有约1000的对比率。
实例2
参考图3a，示出了被配置为用于可见光镨的抑制反射的线栅偏振器 10g的第二非限制性实例。
偏振器10g具有设置在基底14上方的四个层，包括偏振层18a、反射 抑制层18c、使偏振层与反射抑制层分隔的电介质层18b、以及通过反射抑 制层而与第一电介质层18b分隔的第二电介质层18d。基底为玻璃，例如 BK7。第一层或偏振层18a设置在基底上。偏振层18a为由铝(AL)形成 的具有I44nm的周期P的平行金属线22的阵列。偏振层18a具有170nm 的厚度。反射抑制层18c由硅(Si;在550nm下，n 4.85， k《8632)形成且具有12nm的厚度。第一和第二电介质层18b和18d由二氧化珪(Si02 ) 形成且分别具有22nm和5nm的厚度。所有的层不连续，从而形成形序双 折射层。周期P为144nm，其中占空比(DC)或者脊宽度与周期的比率 为0.45,或者宽度为约67nm。选择硅材料的原因在于其光学指标和其对 入射光的光学吸收特性。该偏振器将透射光的p偏振方向而不反射任一偏 振方向。
参考图3b，在可见光谱中示出了偏振器10g的计算得到的性能。可以 看出，该偏振器具有对光的p偏振方向的高透射率(约80% )而具有;f艮少 的反射。另外，该偏振器具有跨过可见光语的大于16000的对比率。
实例3
参考图4a，示出了被配置为用于可见光i普的抑制反射的线栅偏振器 10h的第三非限制性实例。
偏振器10h具有设置在基底14上方的四个层，包括偏振层18a、反射 抑制层18c、使偏振层与反射抑制层分隔的电介质层18b、以及通过反射抑 制层而与第一电介质层18b分隔的第二电介质层18d。基底为玻璃，例如 BK7。第一层或偏振层18a设置在基底上。偏振层18a为由铝(AL)形成 的具有144nm的周期P的平行金属线22的阵列。偏振层18a具有170nm 的厚度。反射抑制层18c由钽(Ta;在550nm下，n=€.95, k^.52)形成 且具有13nm的厚度。第一和第二电介质层18b和18d由二氧化硅(Si02 ) 形成且分别具有79nm和67nm的厚度。所有的层不连续，从而形成形序 双折射层。周期P为144nm，其中占空比(DC)或者脊宽度与周期的比 率为0.45，或者宽度为约67nm。选择钽材料的原因在于其光学指标和其 对入射光的光学吸收特性。该偏振器将透射光的p偏振方向而不反射任一 偏振方向。
参考图4b，在可见光镨中示出了偏振器10h的计算得到的性能。可以 看出，该偏振器具有对光的p偏振方向的高透射率(约70% )而基本上没 有反射。另外，该偏振器具有跨过可见光谱的大于20000的对比率。
实例4参考图5a，示出了被配置为用于红外光谱的抑制反射的线栅偏振器10i 的第四非限制性实例。
偏振器10i具有设置在基底14上方的四个层，包括偏振层18a、 抑制层18c、使偏振层与反射抑制层分隔的电介质层18b、以及通过反射抑 制层而与第一电介质层18b分隔的第二电介质层18d。基底为玻璃，例如 BK7。第一层或偏振层18a设置在基底上。偏振层18a为由铝(AL)形成 的具有144nm的周期P的平行金属线22的阵列。偏振层18a具有80nm 的厚度。反射抑制层18c由碳(C;在1550nm下，n3.34, k《6299)形 成且具有107nm的厚度。第一和第二电介质层18b和18d由二氧化硅 (Si02)形成且分别具有44nm和67nm的厚度。所有的层不连续，从而 形成形序双折射层。周期P为144mn，其中占空比(DC)或者脊宽度与 周期的比率为0.45，或者宽度为约67nm。选^^碳材料的原因在于其光学 指标和其对入射光的光学吸收特性。该偏振器将透射光的p偏振方向而不 反射任一偏振方向。
参考图5b，在红外光语中示出了偏振器10i的计算得到的性能。可以 看出，该偏振器具有对光的p偏振方向的高透射率(约90% )而具有很少 的反射。另外，该偏振器具有跨过红外光语的大于800的对比率。
实例5
参考图6a，示出了被配置为用于可见光谱的抑制反射的线栅偏振器10j 的第五非限制性实例。
偏振器10j具有设置在基底14上方的四个层，包括偏振层18a、反射 抑制层18c、使偏振层与反射抑制层分隔的电介质层18b、以及通过反射抑 制层而与第一电介质层18b分隔的第二电介质层18d。基底为玻璃，例如 BK7玻璃。第一层或偏振层18a设置在基底上。偏振层18a为由铝(AL ) 形成的具有144nm的周期P的平行金属线22的阵列。偏振层18a具有 1550nm的厚度。反射抑制层18c由碳(C;在550nm下，n《.35， k^).8344) 形成且具有48nm的厚度。第一和第二电介质层18b和18d由二氧化珪 (Si02 )形成且分别具有20nm和30nm的厚度。所有的层不连续，从而
14形成形序双折射层。周期P为144nm，其中占空比(DC)或者脊宽度与 周期的比率为0.45，或者宽度为约67nm。选#^碳材料的原因在于其光学 指标和其对入射光的光学吸收特性。该偏振器将透射光的p偏振方向而不 反射任一偏振方向。
参考图6b，在可见光语中示出了偏振器10j的计算得到的性能。可以 看出，该偏振器具有对光的p偏振方向的高透射率(在可见光i普上的大于 约60%且高达80%)而基本上没有反射。另外，该偏振器具有在可见光谱 上的大于8000的对比率。
在美国专利5，986，730; 6,081,376; 6,122,103; 6,208,463; 6,243,199; 6,288,840; 6,348,995; 6,108,131; 6,452,724; 6,710,921 ; 6,234,634; 6,447,120; 以及6,666,556中示出了线栅偏振器、光学系统和/或投射/显示系统的不同 方面，其在此引入作为参考。
虽然上述实例是本发明的原理在一种或多种特定的应用中的示例，但 对于本领域的普通技术人员而言，很显然，在不需创造性的劳动并且不偏 离本发明的原理和构思的情况下，可以在实施的形式、用法和细节上进行 许多修改。因此，本发明旨在仅受下面提出的权利要求的限制。
权利要求
1.一种抑制反射的线栅偏振器器件，用以使入射的可见或红外光偏振且选择性地抑制反射偏振，所述器件包括a)基底；b)偏振线栅层，其设置在所述基底上方，且具有周期小于入射光波长的一半的平行金属线的阵列；c)反射抑制层，其设置在所述基底上方，且包括光学吸收可见或红外光的无机的非电介质材料；以及d)电介质层，其设置在所述偏振线栅层与所述反射抑制层之间，且包括无机的电介质材料。
2. 根据权利要求l的器件，其中所述电介质层是第一电介质层，且还 包括第二电介质层，其设置在所述基底上方且通过所述反射抑制层或所述 偏振线栅层而与所述第一电介质层分隔，并且包括无机的电介质材料。
3. 根据权利要求l的器件，其中所述反射抑制层不连续，从而形成限 定反射抑制栅的平行脊的阵列；并且其中所述电介质层不连续，从而形成 限定电介质栅的平行脊的阵列。
4. 根据权利要求l的器件，其中所述器件选择性地吸收可见光谱内的 光；其中所述线栅层的线的阵列的周期小于350nm;并且其中所述反射抑制层的材料包括光学吸收可见光"^普内的光的材料。
5. 根据权利要求l的器件，其中所述器件选择性地吸收红外光谱内的 光；其中所述线栅层的线的阵列的周期小于500nm;并且其中所述反射抑 制层的材料包括光学吸收红外光谱内的光的材料。
6. 根据权利要求l的器件，其中所述反射抑制层的材料不同于所述线 栅的所述金属线的材料。
7. 根据权利要求l的器件，其中所述反射抑制层的材料选自碳、硅、 珪化铌、钽、及其组合。
8. —种抑制反射的线栅偏振器器件，用以使入射的可见或红外光偏振 且选择性地抑制反射偏振，所述器件包括a) 基底；b) 偏振线栅，其设置在所述基底上方，且具有周期小于入射光波长的 一半的平行金属线的阵列；c) 无机的电介质栅，其设置在所述偏振线栅上方，且具有与所述偏振 线栅的线对准的平行脊的阵列；以及d) 非电介质的反射抑制栅，其设置在所述无机的电介质栅上方，且具 有与所述无机的电介质栅的脊对准的平行脊的阵列，并且包括光学吸收可 见或红外光的无机的非电介质材料。
9. 根据权利要求8的器件，还包括 第二无机的电介质层，其设置在所述反射抑制层上方。
10. 根据权利要求8的器件，其中所述非电介质的反射抑制栅的材料 不同于所述线栅的所述金属线的材料。
11. 根据权利要求8的器件，其中所述器件选择性地吸收可见光谱内 的光；其中所述线栅的线的阵列的周期小于350nm;并且其中所述反射抑 制层的材料包括光学吸收可见光谱内的光的材料。
12. 根据权利要求8的器件，其中所述器件选择性地吸收红外光谱内 的光；其中所述线栅层的线的阵列的周期小于500nm;并且其中所迷^Jt 抑制栅的材料包括光学吸收红外光谱内的光的材料。
13. 根据权利要求9的器件，其中所述反射抑制栅的材料选自碳、 硅、硅化铌、钽、及其组合。
14. 一种抑制反射的线栅偏振器器件，用以使入射的可见或红外光偏 振且选择性地抑制反射偏振，所述器件包括a) 基底；b) 由所述基底承载的多个不同的交替层，这些层不连续，从而形成周 期小于入射光波长的一半的平行脊的阵列；c) 所述层中的一个，其包括传导性材料且限定偏振线栅；d) 所述层中的一个，其包括无机的电介质材料且限定电介质栅；以及e) 所述层中的一个，其包括光学吸收可见或红外光的无机的非电介质 材料且限定反射抑制栅。
15. 根据权利要求14的器件，还包括 所述层中的一个，其限定第二电介质栅且包括无机的电介质材料。
16. 根据权利要求14的器件，其中所述器件选择性地吸收可见光i普内 的光；其中所述线栅的线的阵列的周期小于350nm;并且其中所述反射抑 制层的材料包括光学吸收可见光镨内的光的材料。
17. 根据权利要求14的器件，其中所述器件选择性地吸收红外光镨内 的光；其中所述线栅层的线的阵列的周期小于500mn;并且其中所述反射 抑制栅的材料包括光学吸收红外光谱内的光的材料。
18. 根据权利要求14的器件，其中所述反射抑制栅的材料选自碳、 硅、硅化铌、钽、及其组合。
19. 根据权利要求14的器件，其中所述器件具有在整个可见光谱上的 大于约500:1的透射率对比度。
全文摘要
一种抑制反射的线栅偏振器(10a-e)，用以使入射的可见或红外光(12)偏振且选择性地抑制反射偏振，其包括设置在基底(14)上的至少三个层(18a-d)。偏振线栅层(18a)具有周期小于入射光波长的一半的平行金属线(22)的阵列。反射抑制层或栅(18c)包括光学吸收可见或红外光的无机的非电介质材料。电介质层或栅(18b，18d)包括无机的电介质材料。
文档编号G02B5/30GK101688980SQ200880021435
公开日2010年3月31日 申请日期2008年6月19日 优先权日2007年6月22日
发明者E·W·加德纳, R·T·珀金斯, 斌 汪 申请人:莫克斯泰克公司