光掩模结构及其制造方法

专利名称：光掩模结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光掩模(Mask)结构及其制造方法，特别是涉及一种可以防止静电放电的光掩模结构及其制造方法。
背景技术：
半导体制作工艺一般区分为四个模块(Module)，包括扩散(Diffusion)模块、蚀刻(Etching)模块、薄膜(Thin film)模块与黄光(Photo)模块，其中黄光模块负责光刻制作工艺，其主要的工作是将光掩模上的图案转移至晶片(Wafer)上，以提供蚀刻模块良好的蚀刻图案，或是提供薄膜模块良好的掺杂(Implant)图案，因此光刻制作工艺及光掩模的好坏，直接控制着半导体制作工艺的优与劣。
一般而言，光掩模的主体由不导电的石英基底与具有曝光图案的铬金属层所构成，因此，当光掩模处于外加电场的情形下，容易于铬金属层中感应产生静电电荷，进而发生电荷极化的现象。
又，随着集成电路集成度的提高，光掩模上的曝光图案的密度也随之提高，进而大幅度降低位线、字符线甚至掺杂区及电容器之间的线距宽(pitch)。当曝光图案之间的空间极小时，铬金属层上感应产生的静电电荷，极易发生静电放电Electron Static Discharge，ESD)的现象。
由于静电放电通常会伴随着高温高能的释放，因此将会使光掩模上的铬金属层发生高温熔融，导致由铬金属层所构成的曝光图案产生变形，进而影响曝光结果。

发明内容
本发明的目的在于提供一种光掩模结构，以防止光掩模上发生电荷积聚的现象，进而防止静电放电的产生。
本发明的目的是这样实现的，即提出一种光掩模结构，其结构至少包括透明基底、位于透明基底上的遮蔽层以及覆盖于遮蔽层与透明基底之上的透明导电薄膜，其中遮蔽层具有曝光图案。
本发明还提供一种光掩模的制造方法，此方法包括在透明基底上形成具有曝光图案的遮蔽层，以及在透明基底与遮蔽层上均匀覆盖透明导电薄膜。
本发明还提供一种光掩模结构，其结构至少包括透明基底、位于透明基底上的透明导电薄膜、以及位于透明导电薄膜上的遮蔽层，其中遮蔽层具有曝光图案。
本发明提供一种光掩模的制造方法，此方法包括在透明基底上形成透明导电薄膜，以及在透明导电薄膜上形成具有曝光图案的遮蔽层。
另外，在上述本发明的光掩模结构及其制造方法中，还包括于透明导电薄膜的边缘连接接地线。
本发明的光掩模结构，由于具有曝光图案的遮蔽层与透明导电薄膜电连接，因此当遮蔽层上感应产生静电电荷时，此透明导电薄膜可将电荷由遮蔽层经过接地线导离光掩模，以有效地防止光掩模受到静电放电效应的影响。


图1至图3为本发明第一较佳实施例的光掩模的制造方法的示意图；图4至图5为本发明第二较佳实施例的光掩模的制造方法的示意图。
具体实施例方式
第一较佳实施例图1至图3所示为本发明第一较佳实施例的光掩模的制造方法的示意图。请参照图1所示，提供透明基底100，再利用溅镀法，在透明基底100上形成一层遮蔽层102a。其中透明基底100的材料例如是石英(Quartz)，遮蔽层102a的材料例如是铬(Chromium，Cr)。另外，本发明的透明基底100的材料虽以石英为例进行说明，然而本发明并不以此为限，而可改用氟化钙(CaF2)。又，本发明的形成遮蔽层102a的方法虽以溅镀法为例，然并不以此为限，而可改用化学气相沉积法或其它的物理气相沉积法。
接着，请参照图2所示，利用激光刻印的方式，将曝光图案刻画在遮蔽层102a上，以形成具有曝光图案的遮蔽层102b。本发明的曝光图案的形成方法虽以激光刻印为例进行说明，然而并不以此为限，而可改用其它现有的曝光图案形成方法。
之后，请参照图3所示，利用溅镀法，在遮蔽层102b与透明基底100之上均匀覆盖透明导电薄膜104，其中透明导电薄膜104的材料例如是三氧化二铝钯(PdAl2O3)。另外，本发明的透明导电薄膜104的材料虽以三氧化二铝钯为例进行说明，然而并不以此为限，也可以改用其它具有导电性能且可透光的材料。又，本发明的形成透明导电薄膜104的方法虽以溅镀法为例，然而并不以此为限，而可改用化学气相沉积法或其它的物理气相沉积法。
综上所述，本发明的光掩模结构至少由透明基底100、位于透明基底100上且具有曝光图案的遮蔽层102b、以及覆盖于遮蔽层102b与透明基底100上的透明导电薄膜104所构成。
另外，在透明导电薄膜104的边缘也可与接地线(未绘示)相互电连接，以使存在于透明导电薄膜104上的电荷可迅速经由接地线而导离光掩模。
再者，由于透明导电薄膜104与遮蔽层102b相互电连接，因此当遮蔽层102b的表面受到外加电场的影响而产生感应电荷时，此电荷可迅速由遮蔽层102b导至透明导电薄膜104上，再经过连接于透明导电薄膜104边缘的接地线导离光掩模，而有效地避免在遮蔽层102b中积聚电荷的情形，进而有效地防止光掩模受到静电放电效应之影响。第二较佳实施例图4至图5所示为本发明的第二较佳实施例的光掩模的制造方法的示意图。请参照图4所示，提供透明基底200，再利用溅镀法，在透明基底200上形成一层透明导电薄膜202，其中透明基底200的材料例如是石英，透明导电薄膜202的材料例如是三氧化二铝钯。另外，本发明的透明导电薄膜202的材料虽以三氧化二铝钯为例进行说明，然而并不以此为限，也可以改用其它具有导电性能且可透光的材料。又，本发明的形成透明导电薄膜202的方法虽以溅镀法为例，然而并不以此为限，而可改用化学气相沉积法或其它的物理气相沉积法。再者，本发明的透明基底200的材料虽以石英为例进行说明，然而本发明并不以此为限，而可改用氟化钙。
之后，利用溅镀法，在透明导电薄膜202上形成一层遮蔽层204a，遮蔽层204a的材料例如是铬。另外，本发明的形成遮蔽层204a的方法虽以溅镀法为例，然而并不以此为限，而可改用化学气相沉积法或其它的物理气相沉积法。
接着，请参照图2所示，利用激光刻印的方式，将曝光图案刻画于遮蔽层204a上，以形成具有曝光图案的遮蔽层204b。本发明的曝光图案的形成方法虽以激光刻印为例进行说明，然而并不以此为限，而可改用其它现有的曝光图案的形成方法。
综上所述，本发明的光掩模结构至少由透明基底200、位于透明基底200上的透明导电薄膜202、以及位于透明导电薄膜202上且具有曝光图案的遮蔽层204b所构成。
另外，在透明导电薄膜202的边缘也可与接地线(未绘示)相互电连接，以使存在于透明导电薄膜202上的电荷可迅速经由接地线而导离光掩模。
再者，由于透明导电薄膜202与遮蔽层204b相互电连接，因此当遮蔽层204b的表面受到外加电场的影响而产生感应电荷时，此电荷可迅速由遮蔽层204b导至透明导电薄膜202上，再经过连接于透明导电薄膜202边缘的接地线导离光掩模，而有效地避免在遮蔽层204b中积聚电荷的情形，进而有效地防止光掩模受到静电放电效应的影响。
虽然结合以上一较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种光掩模结构，包括一透明基底；一遮蔽层，位于该透明基底上，且该遮蔽层具有一曝光图案；以及一透明导电薄膜，覆盖于该遮蔽层与该透明基底之上。
2.如权利要求1所述的光掩模结构，还包括一接地线，连接于该透明导电薄膜的边缘。
3.如权利要求1所述的光掩模结构，其中该透明导电薄膜的材料包括三氧化二铝钯。
4.如权利要求1所述的光掩模结构，其中该遮蔽层的材料包括铬。
5.如权利要求1所述的光掩模结构，其中该透明基底的材料包括石英。
6.如权利要求1所述的光掩模结构，其中该透明基底的材料包括氟化钙。
7.一种光掩模之制造方法，该方法包括在一透明基底上形成具有一曝光图案的一遮蔽层；以及在该透明基底与该遮蔽层上均匀覆盖一透明导电薄膜。
8.如权利要求7所述的光掩模的制造方法，还包括于该透明导电薄膜的边缘连接一接地线。
9.如权利要求7所述的光掩模的制造方法，其中该透明导电薄膜的材料包括三氧化二铝钯。
10.一种光掩模结构，包括一透明基底；一透明导电薄膜，位于该透明基底上；以及一遮蔽层，位于该透明导电薄膜上，且该遮蔽层具有一曝光图案。
11.如权利要求10所述的光掩模结构，还包括一接地线，连接于该透明导电薄膜的边缘。
12.如权利要求10所述的光掩模结构，其中该透明导电薄膜的材料包括三氧化二铝钯。
13.如权利要求10所述的光掩模结构，其中该遮蔽层的材料包括铬。
14.如权利要求10所述的光掩模结构，其中该透明基底的材料包括石英。
15.如权利要求10所述的光掩模结构，其中该透明基底的材料包括氟化钙。
16.一种光掩模之制造方法，该方法包括在一透明基底上形成一透明导电薄膜；以及在该透明导电薄膜上形成具有一曝光图案的一遮蔽层。
17.如权利要求16所述的光掩模的制造方法，还包括于该透明导电薄膜的边缘连接一接地线。
18.如权利要求16所述的光掩模的制造方法，其中该透明导电薄膜的材料包括三氧化二铝钯。
全文摘要
本发明提供一种光掩模结构，其结构至少包括透明基底、位于透明基底上的遮蔽层、以及覆盖于遮蔽层与透明基底的上的透明导电薄膜，其中遮蔽层具有曝光图案。再者，此光掩模的制造方法，此方法是在透明基底上形成具有曝光图案之遮蔽层，以及在透明基底与遮蔽层上均匀覆盖透明导电薄膜。
文档编号G03F7/09GK1428652SQ02140920
公开日2003年7月9日 申请日期2002年7月10日 优先权日2001年12月26日
发明者高健富, 黄瑞祯 申请人:联华电子股份有限公司