等离子体处理装置的制作方法

专利名称：等离子体处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种使用等离子体对大型的基板实施等离子体处理的等离子体处理
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背景技术：
在FPD (平板显示器)的制造工序中，对FH)用的玻璃基板实施等离子体蚀刻、等离子体灰化以及等离子体成膜等各种等离子体处理。作为进行上述等离子体处理的装置，已知有电感耦合等离子体(ICP)处理装置，该电感耦合等离子体(ICP)处理装置使高密度的等离子体产生并利用该等离子体对玻璃基板实施所希望的等离子体处理。通常，电感耦合等离子体处理装置包括处理室和线圈状的高频天线，该处理室的内部保持气密并用于配置玻璃基板；该线圈状的高频天线配置在该处理室的外部。处理室具有由电介质构成的、兼作顶部部分的电介质窗，高频天线配置在电介质窗的上方。在电感耦合等离子体处理装置中，通过对高频天线施加高频电力，隔着电介质窗在处理室内形成感应电场，利用该感应电场激发被导入到处理室内的处理气体而生成等离子体，使用该等离子体对玻璃基板实施所希望的等离子体处理。在此,若电介质窗的下表面暴露在处理室中，则该电介质窗的下表面会因暴露于等离子体而受到损伤。例如，该电介质窗的下表面由于阳离子的溅射而被切削。由于电介质窗不能够容易地进行装卸，因此即使损伤也不能够容易地进行更换或者清洁。应对此问题而利用由电介质构成的、能够容易地装卸的电介质盖覆盖电介质窗的下表面(例如，参照专利文献I。)。由此，能够保护电介质窗的下表面，能够防止电介质窗损伤。

此外，近年来，由于FPD用的玻璃基板大型化，并且处理室也与此相对应地大型化，因此该处理室的顶部构件即电介质窗也大型化，覆盖该电介质窗的电介质盖也大型化。若电介质盖大型化，则由于难以利用一片构件构成电介质盖，因此，例如，在用于对第4代以后的Fro用的玻璃基板进行处理的电感耦合等离子体处理装置中，如图11所示，电介质盖100由多个分割片101组合而构成。此外，各分割片101利用电介质盖固定器具102a、102b支承下表面,该电介质盖固定器具102a、102b固定在被配置于处理室的顶部的、由招构成的梁上(例如，参照专利文献2。)。专利文献1:日本特开2001 - 28299号公报专利文献2:日本特开2010 - 251708号公报然而，各分割片101受到来自等离子体的热而热膨胀，例如，有时相邻的各分割片101的交界处开裂，由于上述的电介质盖固定器具102a、102b未将相邻的各分割片101的交界处全部覆盖，因此存在当该交界处开裂时电介质窗、梁暴露于等离子体而受到损伤这一问题。此外，存在如下这种问题:在两个分割片101的交界处进入并堆积有反应生成物，若各分割片101的交界处开口，则存在反应生成物剥离而成为颗粒并在处理室内浮游，并作为沉积物附着于玻璃基板。

发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止被电介质盖覆盖的其他的构成构件损伤、并且防止沉积物附着于基板的等离子体处理装置。为了实现上述目的，技术方案I所述的等离子体处理装置包括处理室和电介质盖，该处理室形成在其中产生等离子体的处理空间，该电介质盖在该处理室内与暴露于上述等离子体的基板相对地配置，其特征在于，上述电介质盖由多个分割片组合而构成，相邻的两个上述分割片的交界处由盖板覆盖，各上述分割片由上述盖板支承。技术方案2所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I所述的等离子体处理装置中，在上述相邻的两个分割片的交界处设有预定的宽度的间隙。技术方案3所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I或2所述的等离子体处理装置中，上述盖板覆盖相邻的两个上述分割片的全部交界处的90%以上。技术方案4所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至3中任一项所述的等离子体处理装置中，该等离子体处理装置还包括用于供给处理气体的气体供给部，上述盖板介于上述气体供给部和上述处理室之间，并且上述盖板具有连通上述气体供给部和上述处理室的气体导入孔。技术方案5所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至4中任一项所述的等离子体处理装置中，在上述盖板之外另行设有用于支承上述盖板的盖板支承器具。技术方案6所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至5中任一项所述的等离子体处理装置中，各上述分割片由正方形或者矩形的电介质构件构成，该电介质构件的一边为至少500mm以上。技术方案7所述的等离 子体处理装置的特征在于，在技术方案6所述的等离子体处理装置中，上述电介质构件的一边为至少900mm以上。技术方案8所述的等离子体处理装置的特征在于，在技术方案I至7中任一项所述的等离子体处理装置中，该等离子体处理装置还包括:被施加高频电力的高频天线，其相对于上述电介质盖来说配置在与上述基板所在侧相反的那一侧；电介质窗，其配置于上述电介质盖和上述高频天线之间；以及梁，其用于支承上述电介质窗，上述盖板安装于上述
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ο采用本发明，由于相邻的两个分割片的交界处由盖板覆盖，因此，即使各分割片热膨胀而相邻的两个分割片的交界处开裂，被电介质盖覆盖的其他的构成构件也不会暴露于等离子体。由此，能够防止其他的构成构件损伤。此外，即使堆积在相邻的两个分割片的交界处的反应生成物剥离，由于盖板防止从交界处剥离的反应生成物的飞散，因此能够防止因反应生成物而产生的沉积物附着于基板。此外，由于各分割片由盖板支承，因此不需要由螺栓等固定各分割片，即使各分割片热膨胀也不会受螺栓等约束，因此能够防止在各分割片上产生压缩应力、拉伸应力。而且，由于各分割片不固定于用于支承电介质窗的支承梁而由盖板支承，因此能够不考虑支承梁的形状而决定该各分割片的分割数量以及分割形状。


图1是概略性地表示本发明的实施方式的等离子体处理装置的结构的剖视图。图2是表示图1中的电介质窗的分割方式的仰视图。图3是表示从沿空心箭头的方向观察图1中的电介质盖的情况的图。图4的(A) (E)是图3中的盖板的各部分的剖视图，图4的(A)是图3的A — A剖视图，图4的(B)是图3的B — B剖视图，图4的(C)是图3的C 一 C剖视图，图4的(D)是图3的D — D剖视图。图4的(E)是表示图4的(C)中的盖板的变形例的剖视图。图5的(A)、图5的(B)是表示以往的等离子体处理装置中的气体流路与气体导入孔的位置关系的图，图5的(A)表示分割片未热膨胀的情况，图5的(B)表示分割片热膨胀的情况。图6是表示展开图3中的各盖板的情况的图。图7是表示图3中的各盖板的第I变形例的图。图8是表示向支承梁安装图4的(B)中的支承垫片的安装方法的变形例的图。图9是表示图3中的各盖板的第2变形例的图。图10是表示图3中的各盖板的第3变形例的图。图11是表示以往的等离子体处理装置中的分割片以及电介质盖固定器具的配置方式的图。
具体实施例方式以下，参照

本发明的实施方式。本实施方式的等离子体处理装置例如对FPD用的玻璃基板(以下，简称为“基板”。)S实施等离子体蚀刻、等离子体灰化以及等离子体成膜等等离子体处理。作为使用被实施上述的等离子体处理的基板的FPD，相当于液晶显示器(IXD)、电致发光(EL)显示器以及等离子显示器面板(PDP)等。图1是概略性地表示本实施方式的等离子体处理装置的结构的剖视图。在图1中，等离子体处理装置10包括容器I和电介质窗4，该电介质窗4配置于该容器I内，并将容器I的内部划分为形成容器I内的图中上方的空间的天线室2及形成该天线室2的下方的空间的处理室3。在等离子体处理装置10中，电介质窗4构成天线室2的底部，并且构成处理室3的顶部部分。处理室3保持气密并产生电感耦合等离子体，利用该电感耦合等离子体对基板S实施所希望的等离子体处理。容器I是具有上部与底部以及将该上部与底部连结起来的四个侧壁的角筒形状的容器。另外，容器I的侧壁的数量并不限于四个，例如，也可以根据等离子体处理装置10的结构、所实施的等离子体处理的内容而为三个或者五个以上。此外，容器I也可以是具有上部与底部以及将该上部与底部连结起来的筒状部的圆筒形状的容器。作为容器I的材料，可以使用铝、铝合金等导电体，容器I接地。在使用铝作为容器I的材料的情况下，对容器I的内壁面实施铝阳极化处理，以便不会自容器I的内壁面发生异常放电。电介质窗4由与容器I的上部、底部平行配置的电介质的板状构件构成，且分割为多个分割构件、例如八个分割电解质构件5 (参照图2)。电介质窗4的厚度例如为40_，作为构成电介质窗4的电介质，例如可以使用Al2O3等陶瓷、石英。另外，电介质窗4的分割方式，并不限于如图2所示的那种八分割，能够根据被实施等离子体处理的基板的大小、等离子体处理的内容而决定分割数量以及分割形状，此外，也可以不分割电介质窗4。等离子体处理装置10还具有支承电介质窗4的作为支承构件的支承梁6。支承梁6例如为由铝构成的俯视井字形状的构件，且从下方支承各分割电解质构件5。支承梁6由从容器I的顶部部分向图中下方延伸突出的圆筒形状的吊杆7悬吊支承，例如，以维持该支承梁6水平状态的方式将该支承梁6配置于容器I的内部的上下方向的大致中央的位置处。关于支承梁6的上下方向的位置，并不由于后述的天线8的构造、处理室内的构造而限于大致中央处，也可以为中央偏上、或者中央偏下。此外，吊杆7的形状以及配置方式由该吊杆7所悬吊支承的支承梁6的形状、大小来适当地决定。作为支承梁6的材料，使用导电体、例如铝等金属材料，在使用铝作为支承梁6的材料的情况下，对支承梁6的内外的表面实施铝阳极化处理，以便不会自表面产生污染物。另外，如后所述，在支承梁6的局部上形成供处理气体在其中流动的气体流路16。等离子体处理装置10还具有配置于天线室2的内部的高频天线(以下，简称为“天线”。)8。天线8例如其轮廓呈大致正方形或者大致矩形的俯视方形的螺旋形状，且配置在电介质窗4的上表面上。在容器I的外部设置有匹配器9以及高频电源11，天线8的一端经由匹配器9与高频电源11连接。天线8的另一端与容器I的内壁连接，经由容器I接地。等离子体处理装置10还具有覆盖电介质窗4的下表面的作为“盖”的电介质盖12。电介质盖12由正方形形状或者矩形形状的板状构件构成，该板状构件由电介质材料形成。电介质盖12的形状是精确的正方形或者矩形较为理想，但由于等离子体处理装置10等的构造上的限制、例如在为了消除与构造物之间的干涉而避开构造物的情况下在局部的外形上产生凹凸，因此在本实施方式中电介质盖12呈大致正方形或者大致矩形。然而，即使呈大致正方形或者大致矩形，由于未对本发明所起到的效果产生影响，因此在含有上述的形状的本实施方式中也称为正方形或者矩形。后述的分割片13、分割电解质构件5也是相同的。另外，作为电介质盖12的材料，例如可以使用Al2O3等陶瓷、石英。在本实施方式中，与电介质窗4不同，电介质盖12被分割为九个分割片13。具体地说，如图3所示，电介质盖12由排列成3X3的九个分割片13组合而构成。为了最低限度地起到本发明的效果，分割片13的大小并无限制，但是分割片13越大，因热膨胀导致的相邻的各分割片13的交界处的开裂量越大，由于上述的问题点变得显著，因此本发明所起到的效果、例如防止其他的构成构件损伤的效果、防止颗粒飞散的效果也变得显著，若分割片13的一边的长度为至少500mm以上、优选为800mm以上或者900mm以上，则能够起到更大的效果。在本实施方式中，分割片13的形状为正方形或者矩形，但分割片13的形状并不限定于上述形状，根据需要，也可以为三角形、五边形等，此外，也可以由不同形状的组合形成。返回到图1，等离子体处理装置10具有设置在容器I的外部的气体供给装置14。气体供给装置14经由形成在一部分的吊杆7的内部的作为中空部的气体导入通路15与支承梁6的气体流路16连接。气体供给装置14供给在等离子体处理中使用的处理气体，在对基板S实施等离子体处理时，经由气体导入通路15、支承梁6内的气体流路16及后述的在盖板17上形成的气体导入孔18向处理室3内供给处理气体。作为处理气体，例如可以使用CF4气体、C2F6气体以及SF6气体。而且，等离子体处理装置10包括:作为台的基座19，其在处理室3内与电介质窗4相对，并与处理室3的底面隔着电气绝缘体21配置在处理室3的底面上；壳体状的绝缘体框20，其用于容纳基座19 ;以及闸阀40，其以面向处理室3内的方式配置在容器I的侧壁上，用于对在向处理室3内搬入基板S及从处理室3搬出基板S时基板S所通过的开口进行密闭及开放。基座19的上表面未被绝缘体框20覆盖，该基座19的上表面形成静电吸盘(未图示)，该静电吸盘构成用于载置基板S并吸附固定该基板S的载置面22。该载置面22与电介质盖12相对。作为基座19的材料，例如可以使用铝等导电体，静电吸盘由导电体层和电介质层构成，该导电体层作为产生静电力的静电电极，该电介质层以夹着该导电体层的方式分别形成于该导电体层的上部及下部。此外，在容器I的外部设置有匹配器23、高频电源24。基座19经由贯穿于处理室3的底面的孔(未图示)的通电棒23a与匹配器23连接，而且，经由该匹配器23与高频电源24连接。在对基板S实施等离子体处理时，自高频电源24向基座19供给偏压用的高频电力(例如，380kHz的高频电力)，将等离子体中的离子有效地导入到被载置于载置面22的基板S。而且，在容器I的外部设置有排气装置25。排气装置25经由连接于容器I的底部的排气管26与处理室3连接。在对基板S实施等离子体处理时，排气装置25排出处理室3内的空气，使处理室3内维持真空环境。在等离子体处理装置10中，在对基板S实施等离子体处理时，自高频电源11向天线8供给感应电场形成用的高频电力(例如，13.56MHz的高频电力)。由此，天线8在处理室3内形成感应电场。该感应电场激发处理气体,从而产生等离子体。图3是表示从沿空心箭头的方向观察图1中的电介质盖的情况的图。在图3中，如上述那样，各分割片13排列成3X3，在相邻的两个分割片13的交界处设有预定的宽度、例如在室温下为2mm 3mm的宽度的间隙27。而且，在电介质盖12的靠基板S侧的面(以下，称为“下表面”。)上以与各间隙27相对应的方式配置有多个覆盖各间隙27的长条的矩形状构件、即盖板17。盖板17的长度设定为至少500mm以上，优选设定为800mm以上，更优选设定为900mm以上，并且盖板17的宽度设定得大于间隙27的宽度，盖板17中的未与间隙27相对的部分从下方支承隔着间隙27而相邻的两个分割片13的边缘。即，各盖板17支承各分割片13。此外，各个盖板17由两个支承垫片28 (盖板支承器具)安装在支承梁6上，该盖板17具有设置于与支承梁6的气体流路16、后述的气体供给部29的气体流路30相对应的部位的多个气体导入孔18。图4的(A)至图4的(D)是图3中的盖板的各部的剖视图，图4的(A)是图3的A-A剖视图，图4的(B)是图3的B — B剖视图，图4的(C)是图3的C — C剖视图，图4的(D)是图3的D —D剖视图。如图4的(A)所示，盖板17覆盖间隙27，并且从下方支承相邻的两个分割片13的边缘。如图4的(B)所示，支承垫片28是具有凸缘28a及轴部28b的截面T字状的盖构件，该支承垫片28利用凸缘28a支承盖板17，并通过在具有中空部31的轴部28b的内侧面上形成的内螺纹部(未图示)和在螺纹接合于支承梁6的下表面的螺栓32的头部33的侧面上形成的外螺纹部(未图示)之间螺合，将盖板17安装于支承梁6。此外，在轴部28b及各分割片13之间设有预定的宽度、例如在室温下为2mm 3mm的宽度的间隙35。由此，即使各分割片13热膨胀也不会与轴部28b抵接，因此，能够可靠地防止在各分割片13、轴部28b上产生压缩应力。如图4的(C)所示，在支承梁6中的在内部形成有气体流路16的部位，在盖板17上设有贯通该盖板17并将气体流路16及处理室3内连通的多个气体导入孔18。此外，如图4的(D)所示，在不存在支承梁6的部位以被分割电解质构件5夹着的方式设有气体供给部29，在气体供给部29的内部形成有气体流路30，并且在气体供给部29上连接有自具有气体导入通路15的吊杆7分支的气体供给通路34。在图4的(C)、图4的(D)中，盖板17由具有凸缘17a及轴部17b的截面呈T字状的构件构成，凸缘17a从下方支承各分割片13的边缘，轴部17b贯穿在两个分割片13之间而到达支承梁6、气体供给部29。由于各气体导入孔18贯通轴部17b，因此使气体流路30与处理室3内连通。此外，在轴部17b及各分割片13之间设有预定的宽度、例如在室温下为2mm 3mm的宽度的间隙36。由此，即使各分割片13热膨胀也不会与轴部17b抵接，因此，能够可靠地防止在各分割片13、轴部17b上产生压缩应力。另外，盖板17的截面形状并不限于T字状，例如，如图4的(E)所示，盖板17的上表面也可以呈平坦的一字状。在该情况下，支承梁6向下方突出并与盖板17的上表面接触。此外，在图11所示的这种以往的等离子体处理装置中，由于不存在盖板17，因此需要使用电介质盖的分割片覆盖支承梁、气体供给部的气体流路，如图5的(A)所示，在分割片101上设有气体导入孔103，该气体导入孔103使气体流路104及处理室内连通。然而，由于分割片101是一边的长度为至少500mm的正方形或者矩形状的板状构件，因此在分割片101受到来自等离子体的热而热膨胀的情况下，向整周方向进行较大的伸长。通常，由于气体导入孔103设于分割片101的周缘部，因此气体导入孔103的位置较大地错位，如图5的(B)所示，一部分的气体导入孔103未与气体流路104相对，结果，有时阻碍气体流路104及处理室内的连通。此外，由于气体导入孔103的直径最大为Φ0.5mm Φ 1mm，因此在由陶瓷等构成的分割片101上开凿气体导入孔103非常困难，在分割片101中，即使发生一个气体导入孔103的加工不合格，该分割片101也会成为不良品。而且，由于分割片101如上述那样一边的长度为至少500mm，因此，若分割片101成为不良品，则从材料节约的观点来看，效率非常差。此外，在图11中，对电介质盖100进行4分割，例如，SP使通过对电介质盖100进行9分割而使分割片101的大小变小一些，由于开凿气体导入孔103的困难性没有改变，因此不良品的产生频率也几乎没有改变，不能够期待对材料节约的方面有较大的改善。另一方面，在本实施方式的等离子体处理装置10中，气体导入孔18未设置在分割片13上，而设置在盖板17上。盖板17的宽度大幅度地小于分割片101的一边的长度，即使盖板17热膨胀，盖板17在宽度方向上也并不那么延伸，在图4的(C)、图4的(D)所示的截面中，气体导入孔18仅在宽度方向上稍微移动。因此，在等离子体处理装置10中，无论盖板17的固定位置如何，都不会阻碍气体流路16、30以及处理室3内的连通。此外，即使发生气体导入孔18的加工不良而使该盖板17成为不良品，由于与分割片101相比盖板17较小，因此从材料节约的观点来看也不那么成为问题。优选各盖板17的厚度较小，例如，可以设定为5mm以下。由此，由于盖板17不向处理室3内突出，因此盖板17不会成为异常放电的源头。此外，根据相同的理由，盖板17的边缘为了不变得尖锐而实施倒角、或者形成为圆弧状。另外，盖板17的整体也可以形成为圆弧形状。此外，构成电介质盖12的分割片13由A1203、ZrO2等陶瓷、石英等电介质、在预定的芯材上喷镀Y2O3等电介质材料而成的构件、或者导电体、例如对铝的表面实施铝阳极化处理而成的构件构成。采用本实施方式的等离子体处理装置10，由于设于相邻的两个分割片13的交界处的间隙27由盖板17覆盖，因此即使各分割片13热膨胀而使间隙27开裂，盖板17也会覆盖间隙27而不会使电介质窗4、支承梁6暴露于等离子体。由此，能够防止电介质窗4、支承梁6因等离子体而损伤。此外，由于利用盖板17覆盖间隙27，因此最初在间隙27上难以堆积作为形成沉积物的主要原因的反应生成物，而且，例如，即使在间隙27上堆积了反应生成物，由于盖板17覆盖间隙27而防止从该间隙27剥离的反应生成物的飞散，因此也能够防止因反应生成物而产生的沉积物附着于基板S。在上述的等离子体处理装置10中，由于间隙27具有预定的宽度，因此即使相邻的两个分割片13分别热膨胀也不会相互抵接，因此，能够可靠地防止在各分割片13上产生压缩应力。此外，由于各分割片13由盖板17支承，因此不需要由螺栓固定各分割片13，即使各分割片13热膨胀也不会受螺栓等约束，从而能够防止在各分割片13上产生压缩应力、拉伸应力。而且，在盖板17之外另行设置用于安装盖板17的支承垫片28，由于支承垫片28的凸缘支承盖板17，因此盖板17也不需要由螺栓固定，从而能够防止在盖板17上产生压缩应力、拉伸应力。以上，使用上述实施方式说明了本发明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，如图6所示，各个盖板17由长条的矩形状构件构成，但盖板的形态并不限于此，各盖板17也可以由相互接合而成的一个井字状构件构成，或者如图7所示，各个盖板也可以由大致十字状的构件37构成，并组合使用各构件37。支承垫片28通过与螺纹接合在支承梁6的下表面的螺栓32的头部33嵌合而被安装于支承梁6，但向支承梁6安装支承垫片28的安装方法并不限于此，例如，如图8所示，也可以如下这样将支承垫片28安装于支承梁6:通过从支承梁6的上方进行锪孔加工将螺栓基座面39设于支承梁6内，利用螺栓38将支承梁6及支承垫片28紧固到一起。此外，在上述的实施方式中，说明了各分割片13为正方形或者矩形的情况，但由于各分割片13之间的间隙27的位置不受支承梁6的位置限制，因此各分割片13的形状也可以为三角形、五边形或者上述边数以上的多边形，还可以为与各分割片的设置环境相对应的不规则的形状。此外，在上述的实施方式中，各盖板17覆盖了全部的间隙27，但如果由于加工精度、构造上的理由等而难以完全覆盖全部的间隙27，则也可以暴露出实际上未覆盖也不会产生故障的部分，例如，如图9所示，间隙27的一部分在容器I的侧壁附近暴露出。由于在容器I的侧壁附近的间隙27的一部分仅与不存在基座19的容器I的底部相对，因此在反应生成物从该间隙27的一部分飞散出并因重力落下的情况下，该反应生成物仅落下到容器I的底部，不会到达载置于基座19的载置面22的基板S。此外，由于上述间隙27的一部分远离基座19的载置面22，因此即使在飞散的反应生成物由气体搬运的情况下，也难以到达基板S。而且，如果各盖板17至少覆盖全部的间隙27的90%以上，则能够减少来自间隙27的反应生成物的飞散量，因反应生成物而产生的沉积物几乎不会附着于基板。因此，优选各盖板17至少覆盖全部的间隙27的90%以上。在上述的专利文献2中，由于固定于梁的电介质盖固定器具102a、102b配置在各分割片101的交界处而支承各分割片101，因此需要使各分割片101的交界处的位置与梁的配置部位一致，但在上述的等离子体处理装置10中，安装于支承梁6的支承垫片28不会直接支承分割片13，该支承垫片28借助盖板17支承分割片13，由于仅将盖板17配置于各分割片13之间的交界处即可，因此不需要必须使各分割片13的交界处的位置与支承梁6的配置部位一致。在上述的实施方式中，说明了由8分割而成的电介质窗4与9分割而成的电介质盖12构成的情况、电介质窗4与电介质盖12的分割数量不同的情况，但例如也可以将电介质窗4与电介质盖12的分割数量均设为相同的9分割，在该情况下，也可以使分割片13之间的交界处与支承梁6的配置部位一致。在另一方面，例如，如图10所示，也可以使设于各分割片13的交界处的间隙27的位置自支承梁6的配置部位偏移(如图中虚线所示。)。在该情况下，以沿着电介质盖12的下表面的方式在各盖板40上设置自主体41突出的突出部42，由支承垫片28支承该突出部42，从而能够使盖板40的主体41自支承垫片28的位置(支承梁6的配置部位)偏移，因此，能够利用盖板40的主体41覆盖各间隙27，并且支承各分割片13。此外，电介质盖12的分割数量及分割片13的形状并不限定于上述的实施方式中的分割数量、形状，当然能够根据需要变更分割数量及分割片的形状。附图标记说明S、基板；4、电介质窗；6、支承梁；8、天线；10、等离子体处理装置；12、电介质盖；
13、分割片；17、40、盖板；18、气体导入孔；27、间隙；28、支承垫片。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其包括处理室和电介质盖，该处理室形成在其中产生等离子体的处理空间，该电介质盖在该处理室内与暴露于上述等离子体的基板相对地配置，该等离子体处理装置的特征在于， 上述电介质盖由多个分割片组合而构成， 相邻的两个上述分割片的交界处由盖板覆盖， 各上述分割片由上述盖板支承。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 在上述相邻的两个分割片的交界处设有预定的宽度的间隙。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述盖板覆盖相邻的两个上述分割片的全部交界处的90 %以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 该等离子体处理装置还包括用于供给处理气体的气体供给部， 上述盖板介于上述气体供给部和上述处理室之间，并且上述盖板具有连通上述气体供给部和上述处理室的气体导入孔。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 在上述盖板之外另行设有用于支承上述盖板的盖板支承器具。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 各上述分割片由正方形或者矩形的电介质构件构成，该电介质构件的一边的长度为至少500_以上。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述电介质构件的一边的长度为至少900mm以上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 该等离子体处理装置还包括: 被施加高频电力的高频天线，其相对于上述电介质盖来说配置在与上述基板所在侧相反的那一侧； 电介质窗，其配置于上述电介质盖和上述高频天线之间； 以及梁，其用于支承上述电介质窗， 上述盖板安装于上述梁。
全文摘要
本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够防止被电介质盖覆盖的其他的构成构件损伤，并且防止沉积物附着于基板。等离子体处理装置(10)包括处理室(3)和电介质盖(12)，该处理室(3)用于产生等离子体，该电介质盖(12)在该处理室(3)内与暴露于等离子体的基板(S)相对地配置，电介质盖(12)由多个分割片(13)组合而构成，在相邻的两个分割片(13)的交界处形成的间隙(27)由盖板(17)覆盖，各分割片(13)由盖板(17)支承。
文档编号H01J37/32GK103208410SQ201310016090
公开日2013年7月17日 申请日期2013年1月16日 优先权日2012年1月17日
发明者笠原稔大 申请人:东京毅力科创株式会社