专利名称:石英透射偏振分束光栅的制作方法
技术领域:
本发明涉及红外光通信1310纳米波长的高消光比高衍射效率偏振分束光 栅器件,.特别是一种石英透射偏振分束光栅。
背景技术:
随着信息技术的迅猛发展,具有容量大、损耗低、传输距离远等优点的 光通信得到了越来越广泛的应用。在光通信以及许多光学信息处理系统中, 偏振分束器是一种关键元件,它可以将光分成两束偏振模式相互垂直的偏振 光。大多数应用中,人们往往需要高消光比、高衍射效率、较宽的可操作波 长范围和角度带宽、体积小的偏振分束器。传统的偏振分束器是基于一些晶 体的自然双折射效应(例如Thomson棱镜、Nicol棱镜和Wollaston棱镜)或 者多层介质膜的偏振选择性。但是,利用双折射晶体所制成的偏振分束器体 积大、价格昂贵;.而薄膜偏振分束器一般工作带宽较小,薄膜层数达到几十 层,对均匀性和对称性要求较严,加工较难,高消光比元件的成本很高。随 着微制造技术的快速发展,近年来涌现出的光子晶体,也可用作偏振分束器, 但同样存在着制造困难等不利因素。同时亚波长光栅表现出来的特有光学效 应受到人们的广泛关注。近来, 一些研究工作报道了表面浮雕型光栅作为偏 振分束器。与其它偏振分束器相比,表面浮雕型偏振分束光栅结构紧凑,易 于小型化和集成化,且插入损耗小,是一种无源器件。在这些已报道的表面 浮雕型偏振分束光栅中,有矩形槽型偏振分束光栅,三角槽型偏振分束光栅 等。矩形槽型偏振分束光栅的消光比和衍射效率不是很高,但易于制造加工。 三角槽型偏振分束光栅有极高的消光比和衍射效率,但难于实际制作。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对常用1310纳米波长的红外光提供一种石 英透射偏振分束光栅,该光栅可以将TM、 TE两种偏振模式相互垂直的光分 为不同的方向,实现0级和1级衍射光消光比大于100。在光通信0波段(1260 1360纳米),实现O级和-l级衍射光较高的消光比,TM偏振光的O级透射 衍射效率和TE偏振光的-1级透射衍射效率分别高于95.98%和96.59%。因此 能够实现高消光比、高衍射效率的深刻蚀正弦槽型石英透射偏振分束光栅,具有重要的实用意义。
本发明的技术解决方案如下
一种用于1310纳米波段的石英透射偏振分束光栅,其特点在于该光栅的 沟槽是正弦槽型,光栅的周期为737 780纳米、刻蚀深度为1.942 2.204微米。
所述的高密度正弦深刻蚀石英光栅的周期为758纳米,刻蚀深度为2.074 微米。
本发明的依据如下
图l显示了高密度正弦深刻蚀石英光栅的几何结构。区域l、 2都是均匀 的,分别为空气(折射率i^4)和石英(折射率ti2-1.44692)。 TM偏振入射 光对应于磁场矢量的振动方向垂直于入射面,TE偏振入射光对应于电场矢量 的振动方向垂直于入射面。线性偏振的光波以一定角度e,. = sin"(X/(2*A* n2)) 入射(定义为Littrow条件,即-l级反射光沿原入射光的方向返回),X代表入 射波长,A代表光栅周期。该偏振分束光栅的消光比定义为0级衍射光中TM、 TE偏振模式衍射效率之比和-1级衍射光中TE、TM偏振模式衍射效率之比中 较小的值。
在如图1所示的光栅结构下,本发明采用严格耦合波理论在先技术1
计算了高密度深刻蚀熔融石英正弦光栅在红外1310纳米波段的消光比和衍射 效率。如图2、 3所示,依据理论计算得到高消光比、高衍射效率正弦光栅的 数值优化结果,即当光栅的周期为737 780纳米、刻蚀深度为1.942 2.204 微米时,偏振分束光栅的消光比大于100。特别是光栅周期为758纳米,刻蚀 深度为2.074微米时,可以使偏振分束光栅的消光比达到8.085x103, TM偏振 光0级透射衍射效率为97.76%, TE偏振光-1级透射衍射效率为97.49%。
如图4、 5所示,光栅的周期为758纳米,深度为2.074微米,若考虑1310 纳米附近两种偏振模式的入射光各自以对应的Littrow角度入射到光栅时,该 偏振分束光栅在1275 1348纳米波长范围内所有波长的消光比均可以达到 100以上,即对应于73纳米的谱宽范围,TM偏振光的0级衍射效率和TE偏 振光的-1级衍射效率分别高于96.72%和96.87%。
如图6、 7所示,TM/TE偏振模式的入射光以59.78°角度(对应于人=1310 纳米时的Littrow角度)附近入射到光栅时,光栅的周期为758纳米,深度为2.074微米,该偏振分束光栅在57.45° 61.78°角度范围内所有入射角的消光比 均可以达到100以上,即对应于4.33。的角度带宽,TM偏振光的0级衍射效 率和TE偏振光的-1级衍射效率分别高于97.53%和96.06%。
图1是本发明1310纳米波长的石英透射偏振分束光栅的几何结构示意 图。图中,l代表区域l (折射率为n。, 2代表区域2 (折射率为ri2), 3代表 光栅,4代表入射光,5代表TM模式下的'0级衍射光,6代表TE模式下的-1 级衍射光。
图2是本发明偏振分束光栅(石英的折射率取1.44692)在不同光栅周期 和刻蚀深度下的消光比。
图3是本发明偏振分束光栅(石英的折射率取1.44692)在优化光栅周期 下(A:758纳米),消光比随着刻蚀深度的变化曲线。
图4是本发明偏振分束光栅(石英的折射率取1.44692)光栅周期为758 纳米、光栅深度2.074微米,在1310纳米波段附近使用,各波长以相应的Littrow 角度入射到光栅时,消光比随入射波长的变化曲线。
图5是本发明偏振分束光栅(石英的折射率取1.44692)光栅周期为758 纳米、光栅深度2.074微米,在1310纳米波段附近使用,各波长以相应的Littrow 角度入射到光栅时,TM/TE模式下的衍射效率。
图6是本发明偏振分束光栅(石英的'折射率取1.44692)光栅周期为758 纳米、光栅深度2.074微米,入射光以59.78。角度(对应于人=1310纳米时的 Littrow角度)附近入射到光栅时,消光比随入射角度的变化曲线。
图7是本发明偏振分束光栅(石英的折射率取1.44692)光栅周期为758 纳米、光栅深度2.074微米,入射光以59.78。角度(对应于X =1310纳米时的 Littrow角度)附近入射到光栅时,TM/TE模式下的衍射效率。
图8是全息光栅记录光路。图中7代表氦镉激光器,8代表快门,9代表 分束镜,10、 11、 12、 13代表反射镜,14、 15代表扩束镜,16、 17代表透镜, 18代表基片。
具体实施例方式
利用微光学技术制造高密度正弦偏振分束光栅,首先在干燥、清洁的石 英基片上均匀涂上一层正光刻胶(Shipley, .S1805,USA)。然后采用全息记录方式记录光栅(见图8),采用He-Cd激光器7 (波长为441.6纳米)作为记 录光源。记录全息光栅时,快门8打开,从激光器发出的窄光束经过分束镜9 分成两窄光束。 一束通过反射镜10后,经过扩束镜14、透镜16形成宽平面 波;另一束通过反射镜11后,经过扩束镜15、透镜17形成宽平面波。两束 平面波分别经过反射镜12、 13后,以2e夹角在基片18上形成干涉场。光栅 空间周期(即相邻条纹的间距)可以表示为八=人/(2*81110),其中X为记录光波
长。记录角e越大,贝ijA越小,所以通过改变e的大小,可以控制光栅的周期(周
期值可以由上述消光比和效率图设计),记录高密度光栅。接着,显影后,在 基底表面形成正弦槽型的光刻胶光栅。最后,将样品放入感应耦合等离子体 刻蚀机中进行一定时间的等离子体刻蚀(或使用反应离子束刻蚀),把光栅图 形转移到石英上,再用丙酮、酒精将基底表面剩余的光刻胶去除,就得到高 密度深刻蚀表面浮雕结构的石英光栅。在制作的过程中,需要严格控制光刻 胶的厚度,曝光时间,以及刻蚀速率和刻蚀时间,使得在较大光栅深度的情 况下能保持光栅槽形的正弦形状。
在制作光栅的过程中,适当选择光栅刻蚀深度及周期,就可以得高消光 比、高衍射效率的正弦槽型石英偏振分束光栅。结合图3可知,该光栅的周 期为758纳米、刻蚀深度为1.942 2.204微米时,偏振分束光栅的消光比大 于100, TM偏振光的0级透射衍射效率和TE偏振光的-1级透射衍射效率分 别高于97.74%和96.54%,实现了将两种偏振模式相互垂直的光分为不同的方 向。特别是光栅周期为758纳米,刻蚀深度为2.074微米时,本发明可以使偏 振分束光栅的消光比达到8.085xl()S,TM偏振光0级透射衍射效率为97.76%, TE偏振光-1级透射衍射效率为97.49%。
本发明石英透射偏振分束光栅作为偏振分束器,不必镀金属膜或介质膜, 具有很高的消光比和衍射效率,利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结 合微电子深刻蚀工艺,可以大批量、低成本地生产,刻蚀后的光栅性能稳定、 可靠,是偏振分束器的一种重要的实现技术。
权利要求
1、一种用于1310纳米波段的石英透射偏振分束光栅,其特征在于该光栅的沟槽为正弦槽型,光栅的周期为737~780纳米、刻蚀深度为1.942~2.204微米。
2、 根据权利要求1所述的石英透射偏振分束光栅,其特征在于所述的光 栅的周期为758纳米,刻蚀深度为2.074微米。
全文摘要
一种用于1310纳米波段的石英透射偏振分束光栅,该光栅的沟槽为正弦槽型,光栅的周期为737~780纳米、刻蚀深度为1.942~2.204微米。本发明偏振分束光栅的消光比达到8.085×10<sup>3</sup>,TM偏振光0级透射衍射效率为97.76%,TE偏振光-1级透射衍射效率为97.49%;本发明石英透射光栅由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成,可以低成本、大批量生产。
文档编号G02B5/18GK101614836SQ200910054510
公开日2009年12月30日 申请日期2009年7月8日 优先权日2009年7月8日
发明者冯吉军, 周常河 申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所